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公开(公告)号：CN114563675B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202110428993.2
申请日：2021-04-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本公开涉及一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结壳热阻测试方法，包括对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通电测试，获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的偏置电压；在所述偏置电压条件下，测试所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管源极和漏极之间的电压Vsd与温度数据，获得所述电压Vsd与温度的函数关系；结合所述函数关系，采用瞬态双界面法测试获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的降温时间数据；根据所述降温时间数据，计算获得碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的结壳热阻。本公开有助于消除MOSFET降温测试曲线单调性的影响，提高了SiC MOSFET热阻测量的精确度。
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公开(公告)号：CN113611686B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202110764829.9
申请日：2021-07-06
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体测试结构及其制造方法、测试方法。半导体测试结构包括基底，包括半导体衬底以及介质层，所述基底内具有至少两个间隔设置的通孔；硅通孔结构，形成于所述通孔内；至少两个焊盘，分别位于所述硅通孔结构上，所述焊盘靠近所述基底的一侧与所述硅通孔结构相连接。通过设置两个硅通孔结构，从而利用一个硅通孔代替传统绝缘层测试结构中的导电材料层形成电容式测试结构。在制造该半导体测试结构时只需改变掩模板即可，不需要如传统测试结构中一样向衬底嵌入环绕着硅通孔的导电材料层。使用上述半导体测试结构对TSV绝缘层的可靠性进行测试时，制造整个测试结构所需的工艺步骤少，且结构简单、易于测试。
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公开(公告)号：CN115116863A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210827825.5
申请日：2022-07-14
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L21/50 , H01L21/48 , H01L23/367 , H01L23/38
Abstract: 本发明涉及一种芯片散热结构及其制备方法，芯片散热结构的制备方法包括：将制冷片进行减薄处理，以使制冷片的冷面和芯片贴合；在基板上贯穿开设有安装槽；其中，基板设置在散热件上；将制冷片安装在安装槽内，以使热面和散热件贴合；其中，制冷片的冷面和基板背向散热件的表面平齐；封装芯片和制冷片。将制冷片减薄之后，使得制冷片的冷面能够和芯片直接贴合接触，提高制冷效率，也降低了制冷片的厚度，使得制冷片安装在安装槽内后能够和基板的表面平齐，降低了芯片散热结构的整体体积，增加芯片散热结构及相关设备的集成度。同时，制冷片的热面和散热件贴合，进一步提高芯片散热结构的散热效果和散热效率。
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公开(公告)号：CN115639454B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202211272452.6
申请日：2022-10-18
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请涉及一种高温反偏或高温栅偏试验的阈值电压监测电路。电路包括：待测的目标SiC MOSFET、第一试验电路、第二试验电路以及测试电路；目标SiC MOSFET的栅极、第一试验电路以及源极可形成第一回路，以及漏极、第二试验电路以及源极可形成第二回路，以通过第一回路和第二回路对目标SiC MOSFET进行目标试验，目标试验包括高温反偏试验和高温栅偏试验中的一种；漏极和栅极可形成短路回路，以及漏极、测试电路和源极可形成第三回路，以测量目标SiC MOSFET的阈值电压。本申请能够更准确地监测SiC MOSFET器件的阈值电压。
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公开(公告)号：CN113514492B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202110616270.5
申请日：2021-06-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本公开涉及一种测量界面热阻的方法和装置。包括：获取第一材料和第二材料的本征热阻、测量端和所述第一材料的接触热阻、所述测量端和所述第二材料的接触热阻，所述测量端包括热端和冷端；获取第一热阻和第二热阻；根据所述本征热阻、所述接触热阻、所述第一热阻和所述第二热阻，确定第一材料和第二材料之间的界面热阻。本公开测量结果准确可靠，并且，可以不需要在材料的内部开孔，不影响材料本身的性能；热电偶和热流计的均可安装于统一位置，如测量端，不会因测量材料的不同而改变位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115267445A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210821899.8
申请日：2022-07-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种综合极限应力试验方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品，通过终端接收应力试验的试验需求指令，并根据试验需求指令生成试验程序，再将试验程序发送至中央控制器，中央控制器根据试验程序控制雪崩电流试验模块、浪涌电流试验模块以及短路电流试验模块中的至少一个进行应力试验，能够模拟功率器件实际使用工况环境，实现功率器件综合应力的自动测量。
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公开(公告)号：CN115144719A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210821180.4
申请日：2022-07-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请涉及一种功率器件测试装置。所述装置包括：控制器、储能电路、供电电源、第一电感电路、待测功率器件以及计算机设备；控制器，用于接收计算机设备发送的周期性的测试指令，并根据测试指令，控制待测功率器件关断以及供电电源对储能电路充电；控制器，还用于若储能电路的充电电压大于等于预设电压阈值，则停止对储能电路充电，并控制储能电路对第一电感电路进行充电，以及控制待测功率器件导通；控制器，还用于检测待测功率器件的漏极电流，若漏极电流大于等于预设电流阈值，则控制待测功率器件关断，以在预设时长内由第一电感电路向待测功率器件施加电压得到雪崩测试结果。采用本装置能够对功率器件自动重复进行雪崩测试，提高测试效率。
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公开(公告)号：CN114895166A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210337482.4
申请日：2022-04-01
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请涉及一种GaN功率器件动态应力老化试验方法和系统，包括：获取被测GaN功率器件对应的动态脉冲电压应力数据与温度应力数据；其中，动态脉冲电压应力数据用于周期切换被测GaN功率器件的开关状态；根据动态脉冲电压应力数据与温度应力数据得到试验条件；根据试验条件对被测GaN功率器件进行动态应力老化试验，并采集被测GaN功率器件在应力过程中的电参数；根据电参数与预设失效阈值进行比较，得到试验结果，通过施加更接近被测GaN功率器件实际工况的动态脉冲电压应力，更为真实、严苛的反映GaN功率器件的可靠性，同时在应力施加过程中在线快速监测电参数的真实退化情况，避免了离线测试与器件快速恢复特性导致测不准的难题。
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公开(公告)号：CN114563675A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202110428993.2
申请日：2021-04-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本公开涉及一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结壳热阻测试方法，包括对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通电测试，获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的偏置电压；在所述偏置电压条件下，测试所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管源极和漏极之间的电压Vsd与温度数据，获得所述电压Vsd与温度的函数关系；结合所述函数关系，采用瞬态双界面法测试获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的降温时间数据；根据所述降温时间数据，计算获得碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的结壳热阻。本公开有助于消除MOSFET降温测试曲线单调性的影响，提高了SiC MOSFET热阻测量的精确度。
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公开(公告)号：CN113670975A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110764063.4
申请日：2021-07-06
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N25/20
Abstract: 本申请涉及硅通孔技术领域，具体公开一种硅通孔复合结构的测试系统及测试方法。系统包括温度变化箱、真空箱、温度监控装置和观测装置，温度变化箱内部温度循环变化；真空箱设置于温度变化箱内，真空箱内用于放置硅通孔复合结构的待测样品；温度监控装置连接真空箱和温度变化箱，用于监测待测样品的温度变化范围，并控制温度变化箱调节内部温度的循环变化状态，以使待测样品的温度在目标温度变化范围内变化；观测装置用于当待测样品的温度在目标温度变化范围内循环变化时，对待测样品的界面状态进行观测。确保待测样品可以在目标温度变化范围内变化，提高测试的准确性。
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