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公开(公告)号：CN118011043A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410427084.0
申请日：2024-04-10
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/125 , B81C1/00
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，提供一种具有一体式应力隔离下极板的微加速度计及其加工方法。微加速度计包括下极板和连接至下极板的应力缓冲板。下极板包括下极板主体和与下极板主体一体成型的隔离结构，应力缓冲板包括应力缓冲板主体和位于应力缓冲板主体上的隔离连接部。其中，下极板与应力缓冲板之间通过隔离结构与隔离连接部键合连接，且下极板主体与应力缓冲板主体之间形成间隙。下极板主体与隔离结构材料一致且一体成型，避免了下极板主体与隔离结构之间热失配的问题。下极板和应力缓冲板的固定连接通过隔离结构和隔离连接部键合连接实现，不仅有利于降低下极板固定至应力缓冲板时对加速度计性能的影响，还能降低装配难度，避免精密装配。
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公开(公告)号：CN103474739A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310444513.7
申请日：2013-09-26
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明提供一种矩形波导传输器件的微机械制备方法，所述的制备方法包括如下步骤：首先在一定厚度的双面抛光的硅基片上，采用刻蚀机刻蚀出波导传输器件的内部电路图形结构并刻穿；再在刻蚀出的电路结构各个表面溅射一层薄的金属种子层，然后在金属种子层表面电镀一层厚的其他高传导率金属层，然后采用键合技术在已经刻蚀出滤波器内部电路图形结构的硅晶圆上下表面各键合一镀有金属层的盖板；最后采用划片机按照设计尺寸将整个硅片上的每个单元划开和分离。采用本发明的制备方法制备的矩形波导传输器件，精度高、成本低、制备步骤少、可批量化生产。
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公开(公告)号：CN118011043B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410427084.0
申请日：2024-04-10
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/125 , B81C1/00
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，提供一种具有一体式应力隔离下极板的微加速度计及其加工方法。微加速度计包括下极板和连接至下极板的应力缓冲板。下极板包括下极板主体和与下极板主体一体成型的隔离结构，应力缓冲板包括应力缓冲板主体和位于应力缓冲板主体上的隔离连接部。其中，下极板与应力缓冲板之间通过隔离结构与隔离连接部键合连接，且下极板主体与应力缓冲板主体之间形成间隙。下极板主体与隔离结构材料一致且一体成型，避免了下极板主体与隔离结构之间热失配的问题。下极板和应力缓冲板的固定连接通过隔离结构和隔离连接部键合连接实现，不仅有利于降低下极板固定至应力缓冲板时对加速度计性能的影响，还能降低装配难度，避免精密装配。
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公开(公告)号：CN102005330A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010589512.8
申请日：2010-12-15
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明提供了一种微惯性开关芯片及其制备方法。微惯性开关芯片包括玻璃封帽、硅管芯、硅框架和玻璃基底四部分，硅管芯为“平面矩形螺旋梁-方形质量块”微结构。在惯性加速度作用下，方形质量块向玻璃基底运动，当惯性加速度达到闭合阈值时，方形质量块上的金属层与玻璃基底上的两个金属电极同时接触，从而提供开关闭合信号。本发明采用“平面矩形螺旋梁-方形质量块”微结构，解决了微惯性开关低频“弹簧-质量”结构的设计问题。采用双埋层SOI硅片和MEMS微制造技术，解决了高性能梁结构的制备问题，实现了微惯性开关的低应力一体化微加工。本发明具有结构精巧、加工精度高、批量制备、成本低等特点。
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公开(公告)号：CN111455413A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010459912.0
申请日：2020-05-27
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明提供了一种缩短微电铸加工时间的方法，属于微电铸工艺技术领域。本发明提供的缩短微电铸加工时间的方法，包括在衬底上依次制备第一光刻板、第一电镀镍、第一次平坦化、第二光刻板、第二电镀镍、去胶处理、电镀铜、第二次平坦化、去铜处理，得到目标装置。本发明在制备两层结构时，能够减少一次电镀工艺，缩短电镀时间；第一次平坦化工艺用时短，第二次平坦化工艺用时能够减少一半，使总的平坦化工艺用时大幅度缩短；同时加工时间变短，减少了产品受损的概率，提高了产品的良品率。实施例的结果显示，采用本发明的方法，产品的生产周期从675h缩短到357h，加工时间缩短了47.1％，良品率从低于5％提升到高于90％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106276783A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610963499.5
申请日：2016-11-04
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00301
Abstract: 本发明公开了一种高频芯片的低损耗互连工艺方法，属于微电子器件互连封装领域，该方法采用MEMS微加工工艺技术实现高频芯片焊盘间的金属互连，可缩短芯片互连的跨接距离，降低寄生效应引入的损耗，提高器件的频率特性；且互连金属尺寸、形状可控行好；还可以实现同一功能集成板上多芯片的一次性互连，缩短工艺制作周期，可用于高频段甚至太赫兹频段电子器件间的低损耗金属互连和集成封装。
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公开(公告)号：CN102005330B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201010589512.8
申请日：2010-12-15
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明提供了一种微惯性开关芯片及其制备方法。微惯性开关芯片包括玻璃封帽、硅管芯、硅框架和玻璃基底四部分，硅管芯为“平面矩形螺旋梁-方形质量块”微结构。在惯性加速度作用下，方形质量块向玻璃基底运动，当惯性加速度达到闭合阈值时，方形质量块上的金属层与玻璃基底上的两个金属电极同时接触，从而提供开关闭合信号。本发明采用“平面矩形螺旋梁-方形质量块”微结构，解决了微惯性开关低频“弹簧-质量”结构的设计问题。采用双埋层SOI硅片和MEMS微制造技术，解决了高性能梁结构的制备问题，实现了微惯性开关的低应力一体化微加工。本发明具有结构精巧、加工精度高、批量制备、成本低等特点。
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公开(公告)号：CN115876831A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211662502.1
申请日：2022-12-23
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开一种热形变解耦的MEMS微应力放大表征结构及传感装置，该MEMS微应力放大表征结构包括外框、用于测量所述外框上的应力的微应力测量结构以及用于测量热形变应力的第一热形变解耦结构；第一热形变解耦结构包括相互交叉设置的第一梳指电极以及第二梳指电极，通过第一梳指电极和第二梳指电极能够测量出外框所受应力的热形变应力分量，只需要在微应力测量结构测得的应力值中减去热形变应力分量的干扰，即可得到准确的应力值；也就是说，采用本申请的MEMS微应力放大表征结构，能够降低温度变化以及热膨胀、热收缩对待测应力的影响，具有更高的测量精度。
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公开(公告)号：CN111455413B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202010459912.0
申请日：2020-05-27
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明提供了一种缩短微电铸加工时间的方法，属于微电铸工艺技术领域。本发明提供的缩短微电铸加工时间的方法，包括在衬底上依次制备第一光刻板、第一电镀镍、第一次平坦化、第二光刻板、第二电镀镍、去胶处理、电镀铜、第二次平坦化、去铜处理，得到目标装置。本发明在制备两层结构时，能够减少一次电镀工艺，缩短电镀时间；第一次平坦化工艺用时短，第二次平坦化工艺用时能够减少一半，使总的平坦化工艺用时大幅度缩短；同时加工时间变短，减少了产品受损的概率，提高了产品的良品率。实施例的结果显示，采用本发明的方法，产品的生产周期从675h缩短到357h，加工时间缩短了47.1％，良品率从低于5％提升到高于90％。
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公开(公告)号：CN106276783B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201610963499.5
申请日：2016-11-04
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种高频芯片的低损耗互连工艺方法，属于微电子器件互连封装领域，该方法采用MEMS微加工工艺技术实现高频芯片焊盘间的金属互连，可缩短芯片互连的跨接距离，降低寄生效应引入的损耗，提高器件的频率特性；且互连金属尺寸、形状可控行好；还可以实现同一功能集成板上多芯片的一次性互连，缩短工艺制作周期，可用于高频段甚至太赫兹频段电子器件间的低损耗金属互连和集成封装。
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