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公开(公告)号：CN102649537B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210110743.5
申请日：2012-04-17
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种SOI MEMS单片集成方法，本发明的方法包括：在硅片上采用常规标准的CMOS工艺完成集成电路部分的制作；在硅片上淀积钝化层保护集成电路部分；在硅片正面溅射钛层和铝层，光刻腐蚀得到铝掩膜图形和MEMS结构与电路之间的连线；在CMOS电路和MEMS结构之间采用深槽刻蚀，形成隔离槽；在硅片背面形成掩膜，刻蚀硅片，直至暴露出SOI硅片中的绝缘层；刻蚀硅片背面暴露出的绝缘层；利用硅片正面的金属掩膜，采用DRIE各向异性刻蚀释放微结构；裂片、封装、测试。本发明提出的SOI MEMS单片集成方法不仅综合了表面Post-CMOS和体硅MEMS加工的优点，具有大的质量块和检测电容，能够制造高性能的惯性传感器，且在MEMS结构跟电路的隔离以及MEMS结构区厚度均与性的控制等方面具有很好的优势。
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公开(公告)号：CN102616734B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210110745.4
申请日：2012-04-17
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种双掩膜SOIMEMS加工方法，属于微电子机械系统微加工领域。SOI晶圆包括硅结构层、硅衬底层以及位于硅结构层和硅衬底层之间的绝缘层。本发明的SOI晶圆片的硅结构层进行了浓硼掺杂，掺杂浓度大于。本发明的方法包括：在硅片正面溅射一层铝，光刻，刻蚀铝，在硅片上定义出完整的MEMS结构图形；光刻，在硅片上形成细线宽结构图形；采用ICP刻蚀方法刻蚀细线宽结构；去除光刻胶，采用ICP刻蚀方法同时刻蚀宽细线宽结构；刻蚀结构层下的绝缘层；采用KOH溶液腐蚀方法刻蚀硅衬底。本发明可利用SOI材料制作多种MEMS器件，具有结构层厚度可控性好、减小footing效应和寄生电容、加工流程简单等特点。
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公开(公告)号：CN102649538A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210110746.9
申请日：2012-04-17
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于硅玻璃键合的SOI MEMS制备方法，本发明的方法包括：在SOI硅片结构层表面进行光刻、采用剥离工艺制作金属电极；在硅片背面进行光刻，对背面硅进行刻蚀直至绝缘层；刻蚀硅片背面暴露出的绝缘层；将硅片跟玻璃进行键合；在硅片正面光刻定义MEMS结构区，采用DRIE各向异性刻蚀释放微结构；裂片、封装、测试。本发明提出的硅玻璃键合的SOIMEMS制备方法利用绝缘层作为刻蚀自停止层，结构层厚度均匀性好；且结构层不直接跟玻璃键合，减小了衬底跟玻璃键合引入的应力对MEMS器件性能影响。
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公开(公告)号：CN100465571C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200510003246.5
申请日：2005-10-21
Applicant: 贵州久联民爆器材发展股份有限公司 , 中国工程物理研究院电子工程研究所
CPC classification number: F42B3/12
Abstract: 本发明公开了一种点火引爆雷管的方法及装置，它采用半导体芯片作为雷管的点火引爆材料，并通过电流脉冲流经半导体芯片使其加热，使半导体芯片的材料汽化蒸发后，产生爆炸形成高温高压等离子冲击体，通过该等离子体产生的热能和射出的等离子作用在雷管内的起爆药粒上，点燃雷管体内的炸药，从而引爆雷管。用本发明作为雷管的点火引爆装置可以大幅度提高雷管的安全性能，此外，本发明还具有抗静电、抗杂散电流、抗电磁辐射能力高、不污染环境、环境适应性强、操作简便、作用时间短和发火一致性好等优点。使用本发明可以起爆多种类型含能材料。
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公开(公告)号：CN107369756A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710604192.0
申请日：2017-07-24
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L41/08
CPC classification number: H01L41/08
Abstract: 本发明提供了一种全集成压电驱动装置，包括PZT驱动层和SOI支撑平台，所述PZT驱动层包括底电极，所述底电极与所述SOI支撑平台连接；所述底电极通过金-铟共晶键合形成。本发明提供的全集成压电驱动装置结构简单，通过金-铟共晶键合形成PZT驱动层的底电极，并通过所述底电极与SOI支撑平台连接，避免了采用环氧胶装配方式导致的精度差、可重复性低的问题，提升了全集成压电驱动装置的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102005330B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201010589512.8
申请日：2010-12-15
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明提供了一种微惯性开关芯片及其制备方法。微惯性开关芯片包括玻璃封帽、硅管芯、硅框架和玻璃基底四部分，硅管芯为“平面矩形螺旋梁-方形质量块”微结构。在惯性加速度作用下，方形质量块向玻璃基底运动，当惯性加速度达到闭合阈值时，方形质量块上的金属层与玻璃基底上的两个金属电极同时接触，从而提供开关闭合信号。本发明采用“平面矩形螺旋梁-方形质量块”微结构，解决了微惯性开关低频“弹簧-质量”结构的设计问题。采用双埋层SOI硅片和MEMS微制造技术，解决了高性能梁结构的制备问题，实现了微惯性开关的低应力一体化微加工。本发明具有结构精巧、加工精度高、批量制备、成本低等特点。
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公开(公告)号：CN105304688A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510739112.3
申请日：2015-11-04
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
CPC classification number: H01L29/0619 , H01L21/0445 , H01L21/046
Abstract: 本发明提供了一种用于碳化硅功率器件的结终端结构及制作方法，属于功率半导体器件技术领域；本发明在功率半导体器件的结终端耐压区(即第一传导类型浅掺杂区和第二传导类型重掺杂区)的引入一层第二传导类型掺杂层，然后通过多次刻蚀的方法实现多区结终端扩展结构，从而使该区域电荷在横向与纵向实现随着距主结的横向距离而减小。本发明能够提高器件结终端单位长度的耐压，缩小终端的面积，简化工艺，降低制作难度，提高生产效率，降低生产成本，提高产品的合格率。
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公开(公告)号：CN102616733B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201210110744.X
申请日：2012-04-17
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供了双掩膜浓硼掺杂SOI MEMS加工方法，属于微电子机械系统微加工领域。SOI晶圆包括硅结构层、硅衬底层以及位于硅结构层和硅衬底层之间的绝缘层。该加工方法包括：利用双掩膜首先刻蚀硅结构层上的细线宽结构部分，然后同时刻蚀硅结构层上宽细线宽结构，以使得宽细线宽结构刻蚀到绝缘层上的时间基本相同；然后对硅结构层的表面进行浓硼掺杂；最后，去掉结构层下的绝缘层，利用各向异性刻蚀，刻蚀结构层下的硅衬底，释放微结构。本发明可利用SOI材料制作多种MEMS器件，具有结构层厚度可控性好、减小footing效应和寄生电容、加工流程简单等特点。
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公开(公告)号：CN103760382A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410017672.3
申请日：2014-01-16
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明提供了一种静电刚度式硅微谐振加速度传感器芯片。传感器芯片包括两个固支振梁、驱动梳齿电容固定极板、检测平行板电容固定极板、一个质量块。质量块位于两个固支振梁之间。固支振梁上的一组平行极板与质量块上的一组平行极板构成平行板电容用于给固支振梁引入静电刚度，固支振梁上的另一组平行极板与检测平行板电容固定极板构成检测平行板电容。在工作时，固支振梁双边驱动并通过检测平行板电容、驱动电路形成闭环谐振，固支振梁与质量块之间的平行板电容极板间施加直流偏置电压后给固支振梁引入一个附加静电刚度。当有加速度作用时，质量块发生位移导致一个固支振梁的静电刚度增加，谐振频率减小，另一个固支振梁静电刚度减小，谐振频率增加，两个固支振梁谐振频率差与加速度大小成正比。传感器输出为两个固支振梁的频率差，具有抗干扰能力强、精度高、使用方便等特点。
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公开(公告)号：CN102135438A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110006491.7
申请日：2011-01-13
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 一种用于微型传感器的局部温度控制装置，其特点是，在微型传感器内部设置微加热器和微温度敏感器，通过微加热器使微型传感器机械敏感芯片局部环境温度上升，达到预设温度点；微温度敏感器感测环境温度变化；温度点控制电路与微温度敏感器和微加热器相连，根据微温度敏感器的输出控制微加热器加热电流。微加热器和微温度敏感器为微米级尺度电子学部件，采用微电子机械系统加工工艺制备，与微传感器机械敏感芯片集成为一体化元件。本发明可提高微型传感器使用精度，用于具备高精度测量特性的微型传感器中，用于对温度不敏感的微型传感器中，用于具备快速启动特性的微型传感器中。
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