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公开(公告)号：CN111763478B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010704951.2
申请日：2020-07-21
Applicant: 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种用于KDP晶体的化学抛光液、制备方法及抛光方法。该抛光液由植物油、有机酸、离子液体、表面活性剂、助表面活性剂组成，是一种新型的完全无水的微乳液。本发明的抛光液，制备方法简单、性质稳定且使用方法简单，能够实现KDP晶体表面的均匀可控去除；本发明的抛光液为完全无固体颗粒的有机溶液，抛光后采用相匹配的有机溶剂对KDP晶体表面进行漂洗即可实现表面的清洁，不会对KDP晶体表面造成二次损伤。基于本发明的新型化学抛光液及其抛光方法，兼具了微乳液高点选择性去除特性和化学抛光无应力加工优点，能够改善KDP晶体表面质量且不引入新的应力损伤。
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公开(公告)号：CN106519989A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201710012175.8
申请日：2017-01-09
Applicant: 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所
IPC: C09G1/04
CPC classification number: C09G1/04
Abstract: 本发明提供了一种用于磷酸二氢钾（KDP）晶体的抛光液，所述抛光液由油相、表面活性剂和KDP水溶液组成，是一种特殊的油包水微乳液。在表面活性剂的作用下，一定浓度的KDP水溶液作为分散相以纳米级液滴的形式被分散在油相中。在抛光过程中由于挤压力和摩擦应力，KDP水溶液液滴突破表面活性剂和油相分子组成的界面膜，到达KDP晶体表面，并与表面的凸起部位发生缓释潮解作用；通过改变KDP水溶液的浓度，对潮解作用进行调控，最终可以实现KDP晶体表面的精密去除；抛光过程不产生新的物质且表面残留为有机物，通过相匹配的有机溶剂清洗即可实现表面清洁，不会造成二次损伤。本发明的抛光液制备方法简单、性质稳定，能够有效的削弱飞切刀纹，降低表面粗糙度，为创成超光滑洁净KDP表面提供良好的技术支撑。
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公开(公告)号：CN107416786A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710407487.9
申请日：2017-06-02
Applicant: 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所
IPC: C01B25/30
CPC classification number: C01B25/30
Abstract: 本发明公开了一种用于KDP晶体的含水有机清洗液。该清洗液包括去离子水、有机溶剂和表面活性剂。本发明的用于KDP晶体的含水有机清洗液，利用KDP易溶于水这一理化特性，在清洗液中加入去离子水作为该清洗液的活性物质，通过控制清洗液中水的存在形式、含量来控制其与KDP元件表面的作用效率，能达到去除其表面污染物而不损害表面质量的目的。本发明的用于KDP晶体的含水有机清洗液性质稳定，采用去离子水作为活性成分不会在KDP晶体表面产生新的杂质；通过可控的潮解作用，能有效去除磁流变抛光加工后表面残留的基液和固体颗粒，提高KDP晶体的表面质量。
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公开(公告)号：CN106811135A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710017150.7
申请日：2017-01-11
Applicant: 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所
IPC: C09G1/18
CPC classification number: Y02P20/542 , C09G1/18
Abstract: 本发明提供了一种用于KDP晶体的油包酸性离子液体抛光液，所述抛光液由油相、分散相溶剂、酸性离子液体（AIL）、表面活性剂以及助表面活性剂组成。在表面活性剂和助表面活性剂的作用下，AIL溶液作为分散相被包覆在油相中，形成油包酸性离子液体微乳液（AIL/O）。在化学机械抛光时，AIL/O微乳液受到挤压和摩擦作用，AIL分子突破界面膜达到晶体表面，并与表面凸起部位发生化学反应，实现表面的选择性去除。本发明的用于KDP晶体的AIL/O抛光液，制备简单、性质稳定，综合考虑了KDP晶体的反应特性和化学机械抛光技术的特点，既具备了微乳液潮解抛光的高选择性，又兼容了有机酸/碱腐蚀抛光的优点，能够有效的削弱飞切刀纹，降低表面粗糙度，并且表面无残留。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110779990B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201910958350.1
申请日：2019-10-10
Applicant: 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所
Abstract: 本发明公开了一种材料内部多缺陷的激光超声三维定位定量检测方法，在二维扫描条件下，利用激发的斜透射超声体波、底面入射超声横波和底面反射横波从三个传播方向路径的交叉点对内部缺陷进行定位检测；利用斜透射超声体波幅值衰减或波前时延定量检测内部缺陷。经缺陷衰减和透射作用后的斜透射超声体波和底面反射横波的幅值远大于缺陷的反射波或衍射波幅值，克服了检测亚毫米微缺陷时超声信号弱、信噪比低的问题；斜透射超声体波、底面入射超声横波和底面反射横波分别从三个方向与缺陷相互作用，依据衰减位置的三个超声波交叉点可以准确定位内部缺陷，且能够实现对多缺陷的准确定量检测；适用于对检测材料内部亚毫米级多缺陷定位和定量检测。
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公开(公告)号：CN111763478A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010704951.2
申请日：2020-07-21
Applicant: 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种用于KDP晶体的化学抛光液、制备方法及抛光方法。该抛光液由植物油、有机酸、离子液体、表面活性剂、助表面活性剂组成，是一种新型的完全无水的微乳液。本发明的抛光液，制备方法简单、性质稳定且使用方法简单，能够实现KDP晶体表面的均匀可控去除；本发明的抛光液为完全无固体颗粒的有机溶液，抛光后采用相匹配的有机溶剂对KDP晶体表面进行漂洗即可实现表面的清洁，不会对KDP晶体表面造成二次损伤。基于本发明的新型化学抛光液及其抛光方法，兼具了微乳液高点选择性去除特性和化学抛光无应力加工优点，能够改善KDP晶体表面质量且不引入新的应力损伤。
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公开(公告)号：CN110779990A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910958350.1
申请日：2019-10-10
Applicant: 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所
Abstract: 本发明公开了一种材料内部多缺陷的激光超声三维定位定量检测方法，在二维扫描条件下，利用激发的斜透射超声体波、底面入射超声横波和底面反射横波从三个传播方向路径的交叉点对内部缺陷进行定位检测；利用斜透射超声体波幅值衰减或波前时延定量检测内部缺陷。经缺陷衰减和透射作用后的斜透射超声体波和底面反射横波的幅值远大于缺陷的反射波或衍射波幅值，克服了检测亚毫米微缺陷时超声信号弱、信噪比低的问题；斜透射超声体波、底面入射超声横波和底面反射横波分别从三个方向与缺陷相互作用，依据衰减位置的三个超声波交叉点可以准确定位内部缺陷，且能够实现对多缺陷的准确定量检测；适用于对检测材料内部亚毫米级多缺陷定位和定量检测。
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公开(公告)号：CN106811135B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201710017150.7
申请日：2017-01-11
Applicant: 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所
IPC: C09G1/18
CPC classification number: Y02P20/542
Abstract: 本发明提供了一种用于KDP晶体的油包酸性离子液体抛光液，所述抛光液由油相、分散相溶剂、酸性离子液体（AIL）、表面活性剂以及助表面活性剂组成。在表面活性剂和助表面活性剂的作用下，AIL溶液作为分散相被包覆在油相中，形成油包酸性离子液体微乳液（AIL/O）。在化学机械抛光时，AIL/O微乳液受到挤压和摩擦作用，AIL分子突破界面膜达到晶体表面，并与表面凸起部位发生化学反应，实现表面的选择性去除。本发明的用于KDP晶体的AIL/O抛光液，制备简单、性质稳定，综合考虑了KDP晶体的反应特性和化学机械抛光技术的特点，既具备了微乳液潮解抛光的高选择性，又兼容了有机酸/碱腐蚀抛光的优点，能够有效的削弱飞切刀纹，降低表面粗糙度，并且表面无残留。
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公开(公告)号：CN104667774A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510077068.4
申请日：2015-02-13
Applicant: 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所
IPC: B01F3/12
Abstract: 本发明提供一种用于纳米颗粒浆料的组合式机械分散方法，其包括以高剪切乳化机分散基液1~5分钟；将纳米颗粒加入基液中并继续乳化分散1~5分钟，获得预分散的纳米颗粒浆料；再将预分散浆料以高功率超声破碎机进行二次分散，时间为1~20分钟，获得充分分散的纳米颗粒浆料。本发明采用组合式机械分散方法，有效利用两种分散方法适用不同尺度范围颗粒聚集体的特点，实现纳米颗粒在浆料中的充分和全覆盖分散。
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