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公开(公告)号：CN103323796B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310247035.0
申请日：2013-06-21
Applicant: 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明公开了一种以石墨烯作为势垒层的MTJ磁场传感器，包括两个磁力线聚集器、用来构成惠斯通测量电桥的四个MTJ磁敏感元件、四个电极及基底，两个磁力线聚集器呈对称状布置，两个所述MTJ磁敏感元件位于两个磁力线聚集器之间的间隙处，另外两个所述MTJ磁敏感元件分别位于两个磁力线聚集器的底部，每个所述MTJ磁敏感元件均包括由下至上依次堆叠排列的基底、底电极层、第一缓冲层、自由铁磁层、石墨烯势垒层、被钉扎铁磁层、钉扎层、第二缓冲层及顶电极层。本发明具有结构简单紧凑、体积小、成本低廉、制作方便、具有高分辨力等优点。
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公开(公告)号：CN103323794B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201310246989.X
申请日：2013-06-21
Applicant: 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC: G01R33/09
Abstract: 一种采用平面微线圈的GMR-MEMS集成弱磁传感器，其中微压电桥的基座包括第一基座和第二基座，基座定在垫片上，垫片固定在绝缘基底上，桥身连接于第一基座和第二基座之间；压电片设置于桥身上并位于第一基座和第二基座之间；GMR敏感元件设置在桥身的下方并呈对称状布置，GMR敏感元件中磁力线聚集器包括第一磁力线聚集器和第二磁力线聚集器且之间留有间隙，GMR电阻包括构成惠斯通电桥的第一GMR电阻、第二GMR电阻、第三GMR电阻和第四GMR电阻，第一GMR电阻位于第一磁力线聚集器内，第二GMR电阻位于第二磁力线聚集器内，第三GMR电阻和第四GMR电阻位于间隙内；调制膜连接于桥身上处于与调制膜正对的位置处。本发明具有结构简单、噪声小、成本低廉、磁滞低等优点。
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公开(公告)号：CN103116144B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201310023657.5
申请日：2013-01-22
Applicant: 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC: G01R33/09
Abstract: 一种采用磁变轨结构的Z向磁场传感器，包括基底、两对输入输出电极、两对GMR敏感元件和GMR参考元件、以及呈对称布置的磁力线聚集器，两对输入输出电极镀于基底的表面，每对GMR敏感元件和GMR参考元件与一对输入输出电极构成惠斯通电桥；基底上设有两个对称的第一凹坑和第二凹坑，惠斯通电桥位于第一凹坑和第二凹坑之间，第一凹坑和第二凹坑内部平面、斜面以及凹坑边沿上均镀有软磁薄膜以形成依次布置的凹坑内聚集器、斜面聚集器、凹坑边沿聚集器，第一凹坑和第二凹坑之间的中间区域设有中心聚集器，进而形成磁力线聚集器。本发明具有结构简单紧凑、体积小、成本低廉、制作方便、具有高分辨力等优点。
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公开(公告)号：CN1866821A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610031764.2
申请日：2006-06-05
Applicant: 中国人民解放军国防科学技术大学
Abstract: 本发明公开了一种基于相似数据集的网络监测数据压缩存储和联合检测方法，要解决的技术问题是针对存在较多相同数据项的多个数据集提出一种基于表的关系数据库压缩存储和联合检测方法。技术方案是采用关系模型对数据建模，利用关系数据库对数据进行存储和管理，采用基于状态标记序列的压缩方法对同一关系框架下的多个相似数据集进行压缩存储；使用查询语句恢复出原始的数据集；通过对压缩后的数据表进行查询实现对多个原始数据集的多种类型的联合检测。本发明利用大量数据集之间的相似性，将多个数据集增量式地压缩到数据库的同一个表中，可以应用于多种类型网络监测数据的压缩存储，也可用于存储其他类型的网络历史数据或相似数据集。
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公开(公告)号：CN105572609B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201510956688.5
申请日：2015-12-18
Applicant: 中国人民解放军国防科学技术大学
Abstract: 本发明公开了一种可调量程的多铁异质磁场传感器及量程调节方法，磁场传感器包括从下至上依次排列的底层金属电极层、自由层、隔离层、钉扎层和顶层金属电极层；所述自由层为多铁异质多层结构，从下至上依次为铁电层和第一铁磁层；所述钉扎层为多层结构，从下至上依次为第二铁磁层和反铁磁层；所述自由层的铁电应力轴方向在水平投影上垂直于钉扎层的磁矩方向。量程调节方法包括向磁场传感器的铁电层施加量程切换电压V，使得铁电层产生电场应力，所述第一铁磁层受所述电场应力的作用，使得饱和磁场发生变化，从而改变磁场传感器的量程。本发明具有结构简单、体积小、可方便灵活的调整传感器量程，保证传感器在低磁场测量精度的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103323795B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201310247033.1
申请日：2013-06-21
Applicant: 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC: G01R33/09
Abstract: 一种一体式三轴磁传感器，包括磁测量单元、软磁块、玻璃板和基座，所述磁测量单元为四个且呈十字型状对称布置在玻璃板上，所述玻璃板安装在基座的上方，所述基座的表面设有一个凹槽，所述软磁块放置于凹槽内且软磁块位于四个磁测量单元的中心处。本发明具有结构简单紧凑、体积小、成本低廉、制作方便、分辨率高等优点。
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公开(公告)号：CN103323796A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310247035.0
申请日：2013-06-21
Applicant: 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明公开了一种以石墨烯作为势垒层的MTJ磁场传感器，包括两个磁力线聚集器、用来构成惠斯通测量电桥的四个MTJ磁敏感元件、四个电极及基底，两个磁力线聚集器呈对称状布置，两个所述MTJ磁敏感元件位于两个磁力线聚集器之间的间隙处，另外两个所述MTJ磁敏感元件分别位于两个磁力线聚集器的底部，每个所述MTJ磁敏感元件均包括由下至上依次堆叠排列的基底、底电极层、第一缓冲层、自由铁磁层、石墨烯势垒层、被钉扎铁磁层、钉扎层、第二缓冲层及顶电极层。本发明具有结构简单紧凑、体积小、成本低廉、制作方便、具有高分辨力等优点。
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公开(公告)号：CN103323794A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310246989.X
申请日：2013-06-21
Applicant: 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC: G01R33/09
Abstract: 一种采用平面微线圈的GMR-MEMS集成弱磁传感器，其中微压电桥的基座包括第一基座和第二基座，基座定在垫片上，垫片固定在绝缘基底上，桥身连接于第一基座和第二基座之间；压电片设置于桥身上并位于第一基座和第二基座之间；GMR敏感元件设置在桥身的下方并呈对称状布置，GMR敏感元件中磁力线聚集器包括第一磁力线聚集器和第二磁力线聚集器且之间留有间隙，GMR电阻包括构成惠斯通电桥的第一GMR电阻、第二GMR电阻、第三GMR电阻和第四GMR电阻，第一GMR电阻位于第一磁力线聚集器内，第二GMR电阻位于第二磁力线聚集器内，第三GMR电阻和第四GMR电阻位于间隙内；调制膜连接于桥身上处于与调制膜正对的位置处。本发明具有结构简单、噪声小、成本低廉、磁滞低等优点。
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公开(公告)号：CN103116143A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310023615.1
申请日：2013-01-22
Applicant: 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC: G01R33/09
Abstract: 一种一体式高精度三轴磁传感器，包括四个磁测量单元、信号输出和偏置电极、平面内聚集器、四个磁变轨聚集器、四个凹坑以及基底，所述平面聚集器采用自身对称式结构并位于基底的中间位置处，所述四个磁变轨聚集器在平面聚集器的四面呈对称状分布，每个所述磁变轨聚集器均位于一个凹坑中；每个磁测量单元均包括用两个GMR敏感元件和两个GMR参考元件构成的惠斯通电桥。本发明具有结构简单紧凑、体积小、制造方便、制作成本低廉、灵敏度高等优点。
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公开(公告)号：CN105572610B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201510977114.6
申请日：2015-12-23
Applicant: 中国人民解放军国防科学技术大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS多层线圈及其制备方法，该MEMS多层线圈包括底层线圈和顶层线圈，所述底层线圈的上侧、所述顶层线圈的下侧均设有磁性调控层。制备方法包括以下步骤：S1：在玻璃基底上溅射沉积底层线圈金属层，刻蚀出底层线圈后去胶；S2：溅射沉积底绝缘层；S3：溅射沉积磁性层，刻蚀出磁性调控层，并形成用于形成导电通道的过孔后去胶；S4：溅射沉积顶绝缘层；S5：刻蚀出导电通道的导电通孔后去胶；S6：溅射沉积顶层线圈金属层，用刻蚀出顶层线圈后去胶。本发明的MEMS多层线圈能够实现平面内的高精度磁场调控且具有结构简单紧凑、体积小等优点；制备方法工艺简单、成本低廉。
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