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公开(公告)号：CN105572609A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510956688.5
申请日：2015-12-18
Applicant: 中国人民解放军国防科学技术大学
CPC classification number: G01R33/093 , G01R33/0023
Abstract: 本发明公开了一种可调量程的多铁异质磁场传感器及量程调节方法，磁场传感器包括从下至上依次排列的底层金属电极层、自由层、隔离层、钉扎层和顶层金属电极层；所述自由层为多铁异质多层结构，从下至上依次为铁电层和第一铁磁层；所述钉扎层为多层结构，从下至上依次为第二铁磁层和反铁磁层；所述自由层的铁电应力轴方向在水平投影上垂直于钉扎层的磁矩方向。量程调节方法包括向磁场传感器的铁电层施加量程切换电压V，使得铁电层产生电场应力，所述第一铁磁层受所述电场应力的作用，使得饱和磁场发生变化，从而改变磁场传感器的量程。本发明具有结构简单、体积小、可方便灵活的调整传感器量程，保证传感器在低磁场测量精度的优点。
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公开(公告)号：CN106842079B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201610994406.5
申请日：2016-11-11
Applicant: 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明公开了一种基于电场调控磁性的磁场传感器噪声斩波抑制测量方法，包括如下步骤：S1.向磁场传感器的输入端施加交变电压；S2.获取所述磁场传感器输出端所输出信号中基波信号的幅值和相位；S3.通过所述幅值和相位计算被测磁场大小。本发明通过向磁场传感器的输入端施加交变电压，使得磁场传感器的输出信号的同样产生周期性变化，从而把处于直流或低频区域的被测磁场调制到较高频率区域进行测量，实现对传感器低频1/f噪声的有效抑制，具有提高磁场传感器低频测量精度的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105572609B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201510956688.5
申请日：2015-12-18
Applicant: 中国人民解放军国防科学技术大学
Abstract: 本发明公开了一种可调量程的多铁异质磁场传感器及量程调节方法，磁场传感器包括从下至上依次排列的底层金属电极层、自由层、隔离层、钉扎层和顶层金属电极层；所述自由层为多铁异质多层结构，从下至上依次为铁电层和第一铁磁层；所述钉扎层为多层结构，从下至上依次为第二铁磁层和反铁磁层；所述自由层的铁电应力轴方向在水平投影上垂直于钉扎层的磁矩方向。量程调节方法包括向磁场传感器的铁电层施加量程切换电压V，使得铁电层产生电场应力，所述第一铁磁层受所述电场应力的作用，使得饱和磁场发生变化，从而改变磁场传感器的量程。本发明具有结构简单、体积小、可方便灵活的调整传感器量程，保证传感器在低磁场测量精度的优点。
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公开(公告)号：CN106646278A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611128681.5
申请日：2016-12-09
Applicant: 中国人民解放军国防科学技术大学
CPC classification number: G01R33/0011 , G01R33/0029 , G01R33/098
Abstract: 本发明公开了一种利用高分辨力磁场探测的低噪声MEMS前置放大器件，包括绝缘基底和磁力线聚集器，所述磁力线聚集器的底面上绕设有底层线圈，所述磁力线聚集器的顶面上绕设有顶层线圈，所述底层线圈和顶层线圈一起形成绕设于磁力线聚集器上的电流线圈，所述磁力线聚集器呈回形结构且由两个采用高导磁材料生长在绝缘基底上形成的高导磁部件呈轴对称布置构成，两个高导磁部件之间设有间隙，所述绝缘基底上位于所述间隙内设有磁场敏感元件，所述绝缘基底上位于磁场敏感元件的上方设有微压电桥调制组件。本发明能够实现亚纳伏级别的低噪声放大，具有磁场聚集放大效果好、抗外磁场干扰性能好、体积小、电‑磁信号转化效率高的优点。
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公开(公告)号：CN106940343A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201710191194.1
申请日：2017-03-28
Applicant: 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC: G01N27/90
CPC classification number: G01N27/904 , G01N27/9046
Abstract: 本发明公开了一种基于阵列电磁传感器的材料微损伤检测方法及系统，方法步骤包括预先针对阵列电磁传感器建立包含传感器转移阻抗、被测对象的材料物理属性和提离之间非线性关系的测量网格并存储在网格数据库中，获取阵列电磁传感器检测被测对象输出的各路转移阻抗信号并进行校准、信息融合后再分别作为自变量利用网格数据库搜索得到各个检测单元检测到的材料物理属性，再根据材料物理属性对被测对象进行微损伤评价；系统包括测量网格初始化程序模块、传感器校准程序模块、传感器信息融合程序模块、材料物理属性反演程序模块、微损伤评价程序模块。本发明具有微损伤检测准确性好、检测分辨力高、能够有效抑制提离干扰的优点。
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公开(公告)号：CN106646278B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201611128681.5
申请日：2016-12-09
Applicant: 中国人民解放军国防科学技术大学
Abstract: 本发明公开了一种利用高分辨力磁场探测的低噪声MEMS前置放大器件，包括绝缘基底和磁力线聚集器，所述磁力线聚集器的底面上绕设有底层线圈，所述磁力线聚集器的顶面上绕设有顶层线圈，所述底层线圈和顶层线圈一起形成绕设于磁力线聚集器上的电流线圈，所述磁力线聚集器呈回形结构且由两个采用高导磁材料生长在绝缘基底上形成的高导磁部件呈轴对称布置构成，两个高导磁部件之间设有间隙，所述绝缘基底上位于所述间隙内设有磁场敏感元件，所述绝缘基底上位于磁场敏感元件的上方设有微压电桥调制组件。本发明能够实现亚纳伏级别的低噪声放大，具有磁场聚集放大效果好、抗外磁场干扰性能好、体积小、电‑磁信号转化效率高的优点。
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公开(公告)号：CN106842079A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201610994406.5
申请日：2016-11-11
Applicant: 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/096 , G01R33/093
Abstract: 本发明公开了一种基于电场调控磁性的磁场传感器噪声斩波抑制测量方法，包括如下步骤：S1.向磁场传感器的输入端施加交变电压；S2.获取所述磁场传感器输出端所输出信号中基波信号的幅值和相位；S3.通过所述幅值和相位计算被测磁场大小。本发明通过向磁场传感器的输入端施加交变电压，使得磁场传感器的输出信号的同样产生周期性变化，从而把处于直流或低频区域的被测磁场调制到较高频率区域进行测量，实现对传感器低频1/f噪声的有效抑制，具有提高磁场传感器低频测量精度的优点。
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