公开(公告)号：CN106646278B

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201611128681.5

申请日：2016-12-09

Applicant: 中国人民解放军国防科学技术大学

Inventor： 潘孟春 ,  潘龙 ,  胡佳飞 ,  田武刚 ,  于洋 ,  陈棣湘 ,  李裴森 ,  胡靖华 ,  杜青法 ,  胡悦国

IPC: G01R33/00 ,  G01R33/09

Abstract: 本发明公开了一种利用高分辨力磁场探测的低噪声MEMS前置放大器件，包括绝缘基底和磁力线聚集器，所述磁力线聚集器的底面上绕设有底层线圈，所述磁力线聚集器的顶面上绕设有顶层线圈，所述底层线圈和顶层线圈一起形成绕设于磁力线聚集器上的电流线圈，所述磁力线聚集器呈回形结构且由两个采用高导磁材料生长在绝缘基底上形成的高导磁部件呈轴对称布置构成，两个高导磁部件之间设有间隙，所述绝缘基底上位于所述间隙内设有磁场敏感元件，所述绝缘基底上位于磁场敏感元件的上方设有微压电桥调制组件。本发明能够实现亚纳伏级别的低噪声放大，具有磁场聚集放大效果好、抗外磁场干扰性能好、体积小、电‑磁信号转化效率高的优点。

公开(公告)号：CN106646278A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201611128681.5

申请日：2016-12-09

Applicant: 中国人民解放军国防科学技术大学

Inventor： 潘孟春 ,  潘龙 ,  胡佳飞 ,  田武刚 ,  于洋 ,  陈棣湘 ,  李裴森 ,  胡靖华 ,  杜青法 ,  胡悦国

IPC: G01R33/00 ,  G01R33/09

CPC classification number: G01R33/0011 ,  G01R33/0029 ,  G01R33/098

Abstract: 本发明公开了一种利用高分辨力磁场探测的低噪声MEMS前置放大器件，包括绝缘基底和磁力线聚集器，所述磁力线聚集器的底面上绕设有底层线圈，所述磁力线聚集器的顶面上绕设有顶层线圈，所述底层线圈和顶层线圈一起形成绕设于磁力线聚集器上的电流线圈，所述磁力线聚集器呈回形结构且由两个采用高导磁材料生长在绝缘基底上形成的高导磁部件呈轴对称布置构成，两个高导磁部件之间设有间隙，所述绝缘基底上位于所述间隙内设有磁场敏感元件，所述绝缘基底上位于磁场敏感元件的上方设有微压电桥调制组件。本发明能够实现亚纳伏级别的低噪声放大，具有磁场聚集放大效果好、抗外磁场干扰性能好、体积小、电‑磁信号转化效率高的优点。