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公开(公告)号：CN108043417A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201810016796.8
申请日：2018-01-06
Applicant: 中南大学
IPC: B01J23/847 , B01J35/10 , B01J37/10 , C01B3/04
CPC classification number: Y02E60/364 , B01J23/8472 , B01J23/002 , B01J35/0013 , B01J35/004 , B01J35/006 , B01J35/0093 , B01J35/1014 , B01J37/10 , B01J2523/00 , C01B3/042 , B01J2523/27 , B01J2523/33 , B01J2523/55 , B01J2523/842
Abstract: 本发明涉及光催化剂材料领域，具体涉及一种钒酸铟‑铁酸锌复合材料，包括钒酸铟颗粒以及复合在钒酸铟颗粒上的铁酸锌纳米颗粒。本发明还公开了一种所述的钒酸铟‑铁酸锌复合材料的制备方法，通过二段水热法均匀修饰在所述钒酸铟颗粒表面，为钒酸铟提供了更大的表面积和更多的光催化反应活性中心。钒酸铟与铁酸锌的能带位置能够良好匹配，有助于异质结构的形成，促进光生载流子分离效率，提高光催化析氢性能。本发明涉及的制备方法通过控制表面活性剂的种类可以有效控制合成不同形貌的钒酸铟颗粒，具有步骤简单，反应温和等特点，因此在光催化领域具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105692696A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610065059.8
申请日：2016-01-29
Applicant: 中南大学
IPC: C01G29/00 , C02F1/30 , C02F101/30
CPC classification number: C01G29/00 , C02F1/30 , C02F2101/308 , C02F2305/10
Abstract: 本发明公开了一种硫化铋半导体薄膜的制备方法，该制备方法是将基底依次置于铋盐乙二醇甲醚溶液中浸泡和含硫化合物有机溶液中浸泡后，在保护气氛中进行热处理，即在基体表面生成硫化铋半导体薄膜，该方法操作简单、成本低、重现性好、易于大规模连续生产，该方法可以控制硫化铋薄膜厚度以及硫化铋薄膜大面积连续致密生长，制备的硫化铋半导体薄膜厚度均匀、结晶性好、连续致密，且具有良好的光电性能。
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公开(公告)号：CN106904943B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201710157144.1
申请日：2017-03-16
IPC: C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种原位制备氧化锑薄膜的方法，是将基片浸没于三氯化锑、三乙醇胺和氢氧化钠配成的前驱体溶液中，使基片表面原位生成氧化锑前驱体薄膜，而后将氧化锑前驱体薄膜干燥，焙烧，即得。本发明在低温常压、不添加任何表面活性剂或催化剂的条件下，可在衬底上原位制备氧化锑。且本发明方法具有设备简单，生长速率快，在平整表面和不规则表面均能大面积成膜的优点，因而能耗低，成膜均一性好，易于实现工业化，具有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108479806A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810255662.1
申请日：2018-03-26
Applicant: 中南大学
IPC: B01J27/04 , B01J27/057 , B01J35/06 , H01L31/0224 , H01M4/36 , H01M4/48 , H01M4/58 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种由同种金属与氧族元素构成的异质结薄膜的制备方法，金属盐、酸和水混合，得金属前驱体溶液；金属前驱体溶液在pH2～11、30～90℃下，在基底表面沉积、形成金属氧化物；金属氧化物与硫源、硒源中的至少一种在100～600℃的温度和-0.05～1MPa的气压下进行热处理2～120min，得到所述的异质结薄膜；所述的异质结薄膜为金属的氧化物-硫化物异质结薄膜、金属的氧化物-硒化物异质结薄膜或金属的氧化物-硫化物-硒化物异质结薄膜。本发明还公开了所述的方法制得的异质结薄膜以及其应用。该法具有设备简单，价格便宜，易于大面积连续化生产等优点，所制备的薄膜厚度成分可控、形貌致密均匀、结晶性能和光电性能良好。
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公开(公告)号：CN108479806B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201810255662.1
申请日：2018-03-26
Applicant: 中南大学
IPC: B01J27/04 , B01J27/057 , B01J35/06 , H01L31/0224 , H01M4/36 , H01M4/48 , H01M4/58 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种由同种金属与氧族元素构成的异质结薄膜的制备方法，金属盐、酸和水混合，得金属前驱体溶液；金属前驱体溶液在pH2～11、30～90℃下，在基底表面沉积、形成金属氧化物；金属氧化物与硫源、硒源中的至少一种在100～600℃的温度和‑0.05～1MPa的气压下进行热处理2～120min，得到所述的异质结薄膜；所述的异质结薄膜为金属的氧化物‑硫化物异质结薄膜、金属的氧化物‑硒化物异质结薄膜或金属的氧化物‑硫化物‑硒化物异质结薄膜。本发明还公开了所述的方法制得的异质结薄膜以及其应用。该法具有设备简单，价格便宜，易于大面积连续化生产等优点，所制备的薄膜厚度成分可控、形貌致密均匀、结晶性能和光电性能良好。
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公开(公告)号：CN105692696B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201610065059.8
申请日：2016-01-29
Applicant: 中南大学
IPC: C01G29/00 , C02F1/30 , C02F101/30
Abstract: 本发明公开了一种硫化铋半导体薄膜的制备方法，该制备方法是将基底依次置于铋盐乙二醇甲醚溶液中浸泡和含硫化合物有机溶液中浸泡后，在保护气氛中进行热处理，即在基体表面生成硫化铋半导体薄膜，该方法操作简单、成本低、重现性好、易于大规模连续生产，该方法可以控制硫化铋薄膜厚度以及硫化铋薄膜大面积连续致密生长，制备的硫化铋半导体薄膜厚度均匀、结晶性好、连续致密，且具有良好的光电性能。
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公开(公告)号：CN107937969A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711123142.7
申请日：2017-11-14
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种GN-Sb2Se3复合薄膜的制备方法，属于新能源材料制备技术领域。本发明采用电沉积与热处理相结合制备出了性能优越的成品。其具体操作为：首先将导电基底作为电极体系的工作电极置于电解液中，用电沉积的方法制备所需要的GN-Sb2Se3或GN-Sb薄膜，随后对基底进行热处理，上述GN-Sb2Se3薄膜在保护气体中热处理，GN-Sb薄膜则进行硒化热处理，最后得到GN-Sb2Se3复合薄膜。本发明可以控制成品薄膜的厚度和成分，所制备复合薄膜比表面积大、GN和Sb2Se3两者结合紧密、结晶性能和物理化学性能优良。本发明具有所需设备简单、制备成本低、易于大规模生产、所得产品光电性能优良等优点。
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公开(公告)号：CN106904943A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710157144.1
申请日：2017-03-16
IPC: C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种原位制备氧化锑薄膜的方法，是将基片浸没于三氯化锑、三乙醇胺和氢氧化钠配成的前驱体溶液中，使基片表面原位生成氧化锑前驱体薄膜，而后将氧化锑前驱体薄膜干燥，焙烧，即得。本发明在低温常压、不添加任何表面活性剂或催化剂的条件下，可在衬底上原位制备氧化锑。且本发明方法具有设备简单，生长速率快，在平整表面和不规则表面均能大面积成膜的优点，因而能耗低，成膜均一性好，易于实现工业化，具有良好的应用前景。
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