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公开(公告)号：CN104617186A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510062290.7
申请日：2015-02-06
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1876 , H01L31/186 , H01L31/1864
Abstract: 本发明公开了一种锌黄锡矿结构薄膜太阳能电池光吸收层的表面处理方法，该方法是将光吸收层(Cu1-aAga)2(Zn1-bCdb)(Sn1-cGec)(S1-dSed)4(其中，a、b、c、d各自独立地选自0～1)置于含金属离子的溶液中浸泡后，进行退火处理；该方法处理后的锌黄锡矿结构薄膜太阳能电池光吸收层能很好地改善吸光层的表面缺陷，能有效提高太阳能电池的开路电压、填充因子和光电转换效率，且该方法原料利用率高、环境友好、成本低廉，生产中可大规模推广应用。
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公开(公告)号：CN105118877A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510420561.1
申请日：2015-07-16
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/032 , C23C14/06 , C23C14/34
CPC classification number: H01L31/0322 , C23C14/0036 , C23C14/0623 , C23C14/34
Abstract: 本发明公开了本发明涉及一种铜铟镓硫硒薄膜材料的制备方法，属于新能源材料技术领域。本发明在太阳能电池基底上通过反应溅射的方法制备预制层铜铟镓硫，在一定条件下进行硒化退火，得到铜铟镓硫硒薄膜材料。该方法通过反应溅射制备铜铟镓硫预制层，可以有效控制薄膜成分和生长情况，再通过硒化退火实现硒的并入，制得铜铟镓硫硒薄膜。这种反应溅射预制层后硒化的方法制备出的铜铟镓硫硒薄膜材料能够精确控制薄膜中各元素的化学计量比、膜的厚度和成分的分布，薄膜的致密度高，体积膨胀小，可有效地解决现有方法制备铜铟镓硫硒半导体薄膜材料过程中存在的成分不易控制、均匀性欠佳、表面缺陷较多及易产生不利杂相等问题，且该方法对设备的要求不高，易于实现产业化，在生产中可以大规模推广。
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公开(公告)号：CN104591265A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410830894.7
申请日：2014-12-26
Applicant: 中南大学
CPC classification number: C01G19/00 , B82Y30/00 , C01P2004/64
Abstract: 本发明公开了一种制备铜锌锡硫纳米粒子的方法，该方法是将铜盐、锌盐和锡盐在络合剂的存在下溶于水，得到混合金属盐溶液；将所得混合金属盐溶液和碱溶液同时加入到含分散剂的底液中搅拌反应，直到底液中沉淀完全，过滤分离，得到铜锌锡复合氢氧化物纳米颗粒；所得铜锌锡复合氢氧化物纳米颗粒经过煅烧后，进行硫化热处理，高产率得到纯度高，形貌好，结构疏松、无团聚现象的铜锌锡硫纳米粒子；该制备方法反应条件温和、成本低、流程和操作简单，满足工业化生产。
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公开(公告)号：CN104362222A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410709406.7
申请日：2014-11-28
Applicant: 中南大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , C23C14/06
Abstract: 本发明公开了一种基于光化学沉积制备铜铟镓硒薄膜的方法，该方法是先在导电基体上镀一层Se或S薄膜，再将镀有Se或S薄膜的导电基体置于含有铟离子、镓离子、硒离子、铜离子中的至少两种和光电子释放剂的溶液体系中，进行光化学沉积，得到铜铟镓硒薄膜；该方法成功地将光化学沉积方法运用到铜铟镓硒薄膜制备过程中，可以有效控制光化学沉积铜铟镓硒薄膜的生长情况及形貌，制备的铜铟镓硒薄膜表面形貌好、致密度高、成分可控，有效解决传统光化学沉积中存在的沉积过程可控性差、成膜不均匀的问题，且该方法原料利用率高，成本低，可大规模推广生产。
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公开(公告)号：CN102694068A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210162587.7
申请日：2012-05-23
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种铜铟镓硒（Cu(In,Ga)Se2）薄膜表面修饰的方法，涉及光电功能材料和新能源技术领域。本发明的特点在于：在铜铟镓硒薄膜上沉积一定厚度的金属薄膜或合金薄膜，再将其置于反应性气氛下高温退火，沉积的金属或合金与铜铟镓薄膜表面的铜硒二次相(CuxSe)反应形成宽带隙的铜硒多元金属化合物，达到除去CuxSe的目的。该表面修饰方法避免了传统修饰方法采用KCN刻蚀CuxSe有剧毒不环保的缺点，具有成本低、重现性好和适合薄膜大面积生长等优点，可实现薄膜表面带隙宽度的提高和梯度带隙的形成，且明显降低pn结界面复合,有效提高器件的开路电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102496659A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110453334.0
申请日：2011-12-30
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种铜锌锡硫薄膜材料的制备方法，包含以下步骤：铜箔基材表面除油、电化学抛光、活化预处理，铜箔基材表面采用磁控溅射法、蒸发法、激光脉冲沉积法、电沉积法中的一种沉积金属锌和锡形成金属预制层，金属预制层于保护气氛中在含硫气氛下进行高温退火处理后置于碱性KCN溶液中进行刻蚀处理。本发明采用铜带作为柔性基底和背接触导电材料，大大节约了昂贵金属钼的使用，降低了生产成本；其中过量铜形成的Cu-S相有利于铜锌锡硫晶粒的长大，减少了载流子复合中心、增大了光电转化效率；利用本发明方法制备铜锌锡硫薄膜材料，易于大规模生产，有利于该材料在薄膜太阳能电池工业中的推广与应用。
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公开(公告)号：CN104617186B
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201510062290.7
申请日：2015-02-06
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种锌黄锡矿结构薄膜太阳能电池光吸收层的表面处理方法，该方法是将光吸收层(Cu1‑aAga)2(Zn1‑bCdb)(Sn1‑cGec)(S1‑dSed)4(其中，a、b、c、d各自独立地选自0～1)置于含金属离子的溶液中浸泡后，进行退火处理；该方法处理后的锌黄锡矿结构薄膜太阳能电池光吸收层能很好地改善吸光层的表面缺陷，能有效提高太阳能电池的开路电压、填充因子和光电转换效率，且该方法原料利用率高、环境友好、成本低廉，生产中可大规模推广应用。
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公开(公告)号：CN102230210B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201110151813.7
申请日：2011-06-08
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种不锈钢无铬电解抛光液及其表面抛光处理工艺，抛光液以醇(甲醇、乙醇中的至少一种)和酸(硫酸、醋酸中的至少一种)作为其主体成分。本发明所提供的不锈钢表面抛光处理工艺包括以下步骤：除油污处理、超声振动水洗、超声振动酸洗、超声振动碱洗、电解抛光、超声振动水洗、钝化、清洗及烘干。与传统不锈钢电解抛光液相比，本抛光液既不含铬酸酐，减少了环境污染，废液易于处理，属于环保型抛光液；又不含价格昂贵的磷酸，降低了抛光成本，有利于不锈钢电解抛光工艺的推广。经试验证明，该抛光液及其工艺能有效除去不锈钢表面的氧化膜及划痕，并可使工件达到镜面光亮的效果，有效地提高抛光品质。
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公开(公告)号：CN105118877B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201510420561.1
申请日：2015-07-16
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/032 , C23C14/06 , C23C14/34
Abstract: 本发明公开了本发明涉及一种铜铟镓硫硒薄膜材料的制备方法，属于新能源材料技术领域。本发明在太阳能电池基底上通过反应溅射的方法制备预制层铜铟镓硫，在一定条件下进行硒化退火，得到铜铟镓硫硒薄膜材料。该方法通过反应溅射制备铜铟镓硫预制层，可以有效控制薄膜成分和生长情况，再通过硒化退火实现硒的并入，制得铜铟镓硫硒薄膜。这种反应溅射预制层后硒化的方法制备出的铜铟镓硫硒薄膜材料能够精确控制薄膜中各元素的化学计量比、膜的厚度和成分的分布，薄膜的致密度高，体积膨胀小，可有效地解决现有方法制备铜铟镓硫硒半导体薄膜材料过程中存在的成分不易控制、均匀性欠佳、表面缺陷较多及易产生不利杂相等问题，且该方法对设备的要求不高，易于实现产业化，在生产中可以大规模推广。
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