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公开(公告)号：CN102642874B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210128381.2
申请日：2012-04-27
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法，涉及用于太阳电池等的化合物半导体薄膜制备领域。本发明采用水溶液沉积方法，以硫酸亚铁或氯化亚铁水溶液为阳离子前驱体溶液，以多硫化钠水溶液为阴离子前驱体溶液。通过控制基底在前驱体溶液中浸泡的时间以及循环的次数在基底上沉积二硫化亚铁薄膜预制层。预制层在高温下进行硫化热处理以得到二硫化亚铁薄膜。本发明工艺流程短、成本低、重现性好、易于大规模连续生产、薄膜成分可控并适于大面积生长。沉积基底可以选择普通钠钙玻璃、导电玻璃和柔性不锈钢片、钛片、钼片或塑料片。所制备的薄膜厚度和成分可控、形貌致密均匀、结晶性能和光电性质良好，适用于薄膜太阳电池。
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公开(公告)号：CN102251235B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201110189391.2
申请日：2011-07-07
Applicant: 中南大学
IPC: C23C20/08 , H01L31/0336 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种铜锌锡硫薄膜的制备方法，是采用连续离子层吸附反应方法将同一衬底上先后或者交替浸泡在阳离子前驱体溶液与阴离子前驱体溶液中制备出Cu2SnSx薄膜和ZnS薄膜叠层预制层结构或者Cu2S薄膜和ZnSnSx薄膜叠层预制层结构，然后进行热处理得到铜锌锡硫薄膜；所述阳离子前驱体溶液中含有铜、锡、锌离子中的至少一种，所述阴离子前驱体溶液选自硫化钠溶液、硫化钾溶液、硫化氨溶液中的至少一种；所述衬底选自玻璃、PI、不锈钢片、钼片、钛片中的一种。本发明既解决了金属成分难控制的问题，又能阻止铜离子向薄膜表面迁移导致形成硫铜相。工艺方法方法简单适用，成本低廉，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN102496656A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110435509.5
申请日：2011-12-22
Applicant: 中南大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种铜锌锡硫光伏薄膜的制备方法，包括铜箔基材表面除油、水洗、酸洗处理，铜箔基材表面采用化学镀、电镀、溅射、蒸镀、分子束外延、热浸镀方法中的一种沉积金属锌，镀锌层于保护气氛中的硫锡化热处理。本发明直接在预处理后铜箔基材上沉积金属锌，再进行硫锡化处理以获得铜锌锡硫薄膜。该法具有成本低、工艺流程短、重现性好、易于大规模卷绕式生产以及适合薄膜的成分控制和大面积生长等优点。在铜基底上直接沉积金属锌，铜箔作为太阳电池器件的柔性机械载体，同时也起到了提供铜锌锡硫薄膜中铜源以及作为太阳电池背电极的三重作用。所制备的薄膜具有良好的成分可控性、均匀性，以及优越的结晶质量及性质。
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公开(公告)号：CN102642874A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210128381.2
申请日：2012-04-27
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法，涉及用于太阳电池等的化合物半导体薄膜制备领域。本发明采用水溶液沉积方法，以硫酸亚铁或氯化亚铁水溶液为阳离子前驱体溶液，以多硫化钠水溶液为阴离子前驱体溶液。通过控制基底在前驱体溶液中浸泡的时间以及循环的次数在基底上沉积二硫化亚铁薄膜预制层。预制层在高温下进行硫化热处理以得到二硫化亚铁薄膜。本发明工艺流程短、成本低、重现性好、易于大规模连续生产、薄膜成分可控并适于大面积生长。沉积基底可以选择普通钠钙玻璃、导电玻璃和柔性不锈钢片、钛片、钼片或塑料片。所制备的薄膜厚度和成分可控、形貌致密均匀、结晶性能和光电性质良好，适用于薄膜太阳电池。
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公开(公告)号：CN102496659A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110453334.0
申请日：2011-12-30
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种铜锌锡硫薄膜材料的制备方法，包含以下步骤：铜箔基材表面除油、电化学抛光、活化预处理，铜箔基材表面采用磁控溅射法、蒸发法、激光脉冲沉积法、电沉积法中的一种沉积金属锌和锡形成金属预制层，金属预制层于保护气氛中在含硫气氛下进行高温退火处理后置于碱性KCN溶液中进行刻蚀处理。本发明采用铜带作为柔性基底和背接触导电材料，大大节约了昂贵金属钼的使用，降低了生产成本；其中过量铜形成的Cu-S相有利于铜锌锡硫晶粒的长大，减少了载流子复合中心、增大了光电转化效率；利用本发明方法制备铜锌锡硫薄膜材料，易于大规模生产，有利于该材料在薄膜太阳能电池工业中的推广与应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102251235A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110189391.2
申请日：2011-07-07
Applicant: 中南大学
IPC: C23C20/08 , H01L31/0336 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种铜锌锡硫薄膜的制备方法，是采用连续离子层吸附反应方法将同一衬底上先后或者交替浸泡在阳离子前驱体溶液与阴离子前驱体溶液中制备出Cu2SnSx薄膜和ZnS薄膜叠层预制层结构或者Cu2S薄膜和ZnSnSx薄膜叠层预制层结构，然后进行热处理得到铜锌锡硫薄膜；所述阳离子前驱体溶液中含有铜、锡、锌离子中的至少一种，所述阴离子前驱体溶液选自硫化钠溶液、硫化钾溶液、硫化氨溶液中的至少一种；所述衬底选自玻璃、PI、不锈钢片、钼片、钛片中的一种。本发明既解决了金属成分难控制的问题，又能阻止铜离子向薄膜表面迁移导致形成硫铜相。工艺方法方法简单适用，成本低廉，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN103115869B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201310019404.0
申请日：2013-01-18
Applicant: 中南大学
IPC: G01N21/01 , G01N27/416
Abstract: 本发明公开了一种多功能光谱原位界面研究检测池，检测池由光窗、腔体、定距封盖和辅助工作台组成。腔体上设有进液口、出液口、进气口、出气口、观察窗和热电偶。检测池内温度由热电偶监控，联合检测池外围加热装置，可实现不同温度条件下界面研究。腔体间及辅助工作台与定距封盖间均采用密封圈和紧固螺栓连接，定距封盖与腔体间采用螺纹连接密封。在光窗表面采用气相沉积、电沉积、或涂覆方式制备工作电极，辅助工作台与工作电极间距由定距封盖控制。检测池可实现固/气表面、固/液界面研究，可以实现多相催化反应界面光谱原位研究、腐蚀界面光谱原位研究和电化学-光谱原位界面研究。
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公开(公告)号：CN103469274A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310424108.9
申请日：2013-09-17
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及一种金属硫属化合物薄膜的制备方法；属于光电薄膜材料制备技术领域。本发明采用一种电沉积与化学反应结合的制备方法，首先将导电衬底作为工作电极置于电解质溶液中，用电沉积的方法制备所需要的单组元金属或合金薄层薄膜，随后将衬底浸入含硫属阴离子的前驱体溶液，上述薄膜在溶液中发生反应生成一层目标化合物薄膜，然后将得到的薄膜进行预退火处理。重复以上步骤，控制循环次数得到所需厚度的化合物薄膜预制层，最后将得到的预制层进行热处理得到金属硫属化合物薄膜。本发明解决了现有技术中薄膜成分、厚度不易控制，薄膜干燥退火时容易开裂的难题。本发明所需设备简单，制备成本低廉，所得产品性能优良等优点，便于实现产业化生产。
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公开(公告)号：CN103115869A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310019404.0
申请日：2013-01-18
Applicant: 中南大学
IPC: G01N21/01 , G01N27/416
Abstract: 本发明公开了一种多功能光谱原位界面研究检测池，检测池由光窗、腔体、定距封盖和辅助工作台组成。腔体上设有进液口、出液口、进气口、出气口、观察窗和热电偶。检测池内温度由热电偶监控，联合检测池外围加热装置，可实现不同温度条件下界面研究。腔体间及辅助工作台与定距封盖间均采用密封圈和紧固螺栓连接，定距封盖与腔体间采用螺纹连接密封。在光窗表面采用气相沉积、电沉积、或涂覆方式制备工作电极，辅助工作台与工作电极间距由定距封盖控制。检测池可实现固/气表面、固/液界面研究，可以实现多相催化反应界面光谱原位研究、腐蚀界面光谱原位研究和电化学-光谱原位界面研究。
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公开(公告)号：CN103471716A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310428643.1
申请日：2013-09-18
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种界面全光谱成像分析仪器系统，包括激光光源控制模块、定位平台模块、界面全光谱信号分光模块、界面全光谱信号采集与检测模块及上位机；本系统集成度高、适用性强且功能多统，能够同时获得准界面的红外、拉曼和和频光信号，通过本系统同时将准界面的红外、拉曼和和频光信号转化为电信号，经过上位机的处理得到三者的光谱信息及其三维图像，细致揭示分子结构、取向、吸附和热动力学等物理化学信息。
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