公开(公告)号：CN106597011B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201611205923.6

申请日：2016-12-23

Applicant: 中北大学

Inventor： 石云波 ,  刘俊 ,  曹慧亮 ,  任建军 ,  唐军 ,  马宗敏 ,  黄堃 ,  康强 ,  冯恒振 ,  寇志伟 ,  连树仁 ,  孙亚楠 ,  韩兴宇

IPC: G01P15/02

Abstract: 本发明涉及MEMS谐振式加速度传感器，具体是一种双轴MEMS谐振式加速度传感器结构。本发明解决了现有MEMS谐振式加速度传感器敏感方向单一的问题。双轴MEMS谐振式加速度传感器结构，包括中心质量块、第一至第四环岛质量块、第一至第四大锚块、第一至第十六Ω形支撑梁、第一至第四连接梁、第一至第八梳状微谐振器、第一至第八小锚块；其中，第一环岛质量块位于中心质量块的前方；第二环岛质量块位于中心质量块的后方；第三环岛质量块位于中心质量块的左方；第四环岛质量块位于中心质量块的右方。本发明适用于武器制导、航空航天、生物医学、消费品电子等领域。

公开(公告)号：CN106597011A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611205923.6

申请日：2016-12-23

Applicant: 中北大学

Inventor： 石云波 ,  刘俊 ,  曹慧亮 ,  任建军 ,  唐军 ,  马宗敏 ,  黄堃 ,  康强 ,  冯恒振 ,  寇志伟 ,  连树仁 ,  孙亚楠 ,  韩兴宇

IPC: G01P15/02

CPC classification number: G01P15/02 ,  G01P2015/0862

Abstract: 本发明涉及MEMS谐振式加速度传感器，具体是一种双轴MEMS谐振式加速度传感器结构。本发明解决了现有MEMS谐振式加速度传感器敏感方向单一的问题。双轴MEMS谐振式加速度传感器结构，包括中心质量块、第一至第四环岛质量块、第一至第四大锚块、第一至第十六Ω形支撑梁、第一至第四连接梁、第一至第八梳状微谐振器、第一至第八小锚块；其中，第一环岛质量块位于中心质量块的前方；第二环岛质量块位于中心质量块的后方；第三环岛质量块位于中心质量块的左方；第四环岛质量块位于中心质量块的右方。本发明适用于武器制导、航空航天、生物医学、消费品电子等领域。

公开(公告)号：CN106199071A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610476837.2

申请日：2016-06-27

Applicant: 中北大学

Inventor： 石云波 ,  刘俊 ,  冯恒振 ,  秦丽 ,  唐军 ,  马宗敏 ,  曹慧亮 ,  连树仁 ,  孙亚楠 ,  韩兴宇

IPC: G01P15/125

CPC classification number: G01P15/125

Abstract: 本发明涉及MEMS电容式加速度传感器，具体是一种抗高过载低量程电容式加速度传感器及其制造方法。本发明解决了现有MEMS电容式加速度传感器在高过载条件下无法实现稳定输出、无法实现高精度与抗高过载的动态平衡的问题。一种抗高过载低量程电容式加速度传感器，包括四悬臂梁结构和玻璃电极结构；所述四悬臂梁结构包括硅边框、硅质量块、四个硅悬臂梁、八个二氧化硅防护台；所述玻璃电极结构包括两个玻璃基板、两个金属电极。本发明适用于卫星导航、导弹制导、炮弹定向、汽车防震保护、自动刹车、医疗服务等领域。

公开(公告)号：CN108328568B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201810135219.0

申请日：2018-02-09

Applicant: 中北大学

Inventor： 石云波 ,  刘俊 ,  孙亚楠 ,  唐军 ,  李杰 ,  赵锐 ,  曹慧亮 ,  黄堃 ,  高晋阳 ,  寇志伟 ,  任建军 ,  赵永祺 ,  赵思晗

IPC: B81C1/00 ,  G01P15/12

Abstract: 本发明涉及压阻式加速度传感器，具体是一种适应于高温环境的SiC压阻式加速度传感器制备方法。本发明解决了现有压阻式加速度传感器在高温环境下使用时稳定性和可靠性差的问题。一种适应于高温环境的SiC压阻式加速度传感器制备方法，该方法是采用如下步骤实现的：步骤a：准备正方形SiC基底；步骤b：对正方形SiC基底进行减薄；步骤c：在正方形SiC基底的背面刻蚀形成口字形凹腔和正方形质量块；步骤d：将正方形n型外延层刻蚀成为四个长方形压敏电阻条；步骤e：沉积氧化层；步骤f：溅射正方形金属层；步骤g：在氧化层的正面和口字形凹腔的底面之间刻蚀形成四个正方形通孔。本发明适用于军事国防、航空航天等领域。

公开(公告)号：CN108328568A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810135219.0

申请日：2018-02-09

Applicant: 中北大学

Inventor： 石云波 ,  刘俊 ,  孙亚楠 ,  唐军 ,  李杰 ,  赵锐 ,  曹慧亮 ,  黄堃 ,  高晋阳 ,  寇志伟 ,  任建军 ,  赵永祺 ,  赵思晗

IPC: B81C1/00 ,  G01P15/12

CPC classification number: B81C1/00349 ,  G01P15/12

Abstract: 本发明涉及压阻式加速度传感器，具体是一种适应于高温环境的SiC压阻式加速度传感器制备方法。本发明解决了现有压阻式加速度传感器在高温环境下使用时稳定性和可靠性差的问题。一种适应于高温环境的SiC压阻式加速度传感器制备方法，该方法是采用如下步骤实现的：步骤a：准备正方形SiC基底；步骤b：对正方形SiC基底进行减薄；步骤c：在正方形SiC基底的背面刻蚀形成口字形凹腔和正方形质量块；步骤d：将正方形n型外延层刻蚀成为四个长方形压敏电阻条；步骤e：沉积氧化层；步骤f：溅射正方形金属层；步骤g：在氧化层的正面和口字形凹腔的底面之间刻蚀形成四个正方形通孔。本发明适用于军事国防、航空航天等领域。

公开(公告)号：CN106199071B

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201610476837.2

申请日：2016-06-27

Applicant: 中北大学

Inventor： 石云波 ,  刘俊 ,  冯恒振 ,  秦丽 ,  唐军 ,  马宗敏 ,  曹慧亮 ,  连树仁 ,  孙亚楠 ,  韩兴宇

IPC: G01P15/125

Abstract: 本发明涉及MEMS电容式加速度传感器，具体是一种抗高过载低量程电容式加速度传感器及其制造方法。本发明解决了现有MEMS电容式加速度传感器在高过载条件下无法实现稳定输出、无法实现高精度与抗高过载的动态平衡的问题。一种抗高过载低量程电容式加速度传感器，包括四悬臂梁结构和玻璃电极结构；所述四悬臂梁结构包括硅边框、硅质量块、四个硅悬臂梁、八个二氧化硅防护台；所述玻璃电极结构包括两个玻璃基板、两个金属电极。本发明适用于卫星导航、导弹制导、炮弹定向、汽车防震保护、自动刹车、医疗服务等领域。