-
公开(公告)号：CN113540759B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202110685069.2
申请日：2021-06-21
Applicant: 中兴通讯股份有限公司
IPC: H01Q1/36 , H01Q1/12 , H01Q1/50 , H01Q15/00 , H01Q21/00 , H01Q23/00 , H04B1/00 , H04B1/40 , H04Q1/02 , H04W88/08
Abstract: 本发明提供了一种天线模组、射频装置以及基站，其中天线模组包括介质基板、天线子阵和滤波器，通过将至少一个天线子阵设置在介质基板上的其中一表面，将滤波器设置在介质基板的另一表面，其中天线子阵包括功分器和至少一个辐射单元，将功分器的输入端与滤波器的输出端连接，功分器的输出端与辐射单元连接，并在滤波器的输入端设置有模组接口，使天线子阵、功分器、滤波器与介质基板结合组成一体化结构，相对于传统的采用互相独立的滤波器和天线结构，不仅减少了零部件的数量，使天线总体架构集成化、简单化、轻量化，结构得到简化，从而降低装配成本，而且可以减少进入天线等前端的干扰信号，进而提高通信质量，具有较强的实用价值。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113540759A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110685069.2
申请日：2021-06-21
Applicant: 中兴通讯股份有限公司
IPC: H01Q1/36 , H01Q1/12 , H01Q1/50 , H01Q15/00 , H01Q21/00 , H01Q23/00 , H04B1/00 , H04B1/40 , H04Q1/02 , H04W88/08
Abstract: 本发明提供了一种天线模组、射频装置以及基站，其中天线模组包括介质基板、天线子阵和滤波器，通过将至少一个天线子阵设置在介质基板上的其中一表面，将滤波器设置在介质基板的另一表面，其中天线子阵包括功分器和至少一个辐射单元，将功分器的输入端与滤波器的输出端连接，功分器的输出端与辐射单元连接，并在滤波器的输入端设置有模组接口，使天线子阵、功分器、滤波器与介质基板结合组成一体化结构，相对于传统的采用互相独立的滤波器和天线结构，不仅减少了零部件的数量，使天线总体架构集成化、简单化、轻量化，结构得到简化，从而降低装配成本，而且可以减少进入天线等前端的干扰信号，进而提高通信质量，具有较强的实用价值。
-
公开(公告)号：CN113258229B
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202010567027.4
申请日：2020-06-19
Applicant: 中兴通讯股份有限公司
IPC: H01P1/20
Abstract: 本申请公开了一种介质双工器及基站，其中，所述介质双工器包括：两个介质谐振主体，介质谐振主体包括公共谐振部和耦合谐振部，耦合谐振部设置有耦合窗口，公共谐振部设置有馈电端口、端口盲孔和时延调节通孔，馈电端口和时延调节通孔使公共谐振部形成两个馈电谐振部，使得馈电端口、馈电谐振部、耦合谐振部和耦合窗口形成传输通道。根据本申请实施例提供的方案，两个介质谐振主体可以通过层叠的方式设置，减小了横向空间的占据，另外，通过设置时延调节通孔和端口盲孔，可以调整馈电端口处的信号时延，有效优化了双工功能的时延指标，并且，时延调节通孔还能够将介质谐振主体的公共谐振部分为两个馈电谐振部，从而实现了双工器的双工合路。
-
公开(公告)号：CN113258229A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202010567027.4
申请日：2020-06-19
Applicant: 中兴通讯股份有限公司
IPC: H01P1/20
Abstract: 本申请公开了一种介质双工器及基站，其中，所述介质双工器包括：两个介质谐振主体，介质谐振主体包括公共谐振部和耦合谐振部，耦合谐振部设置有耦合窗口，公共谐振部设置有馈电端口、端口盲孔和时延调节通孔，馈电端口和时延调节通孔使公共谐振部形成两个馈电谐振部，使得馈电端口、馈电谐振部、耦合谐振部和耦合窗口形成传输通道。根据本申请实施例提供的方案，两个介质谐振主体可以通过层叠的方式设置，减小了横向空间的占据，另外，通过设置时延调节通孔和端口盲孔，可以调整馈电端口处的信号时延，有效优化了双工功能的时延指标，并且，时延调节通孔还能够将介质谐振主体的公共谐振部分为两个馈电谐振部，从而实现了双工器的双工合路。
-
公开(公告)号：CN112899683A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201911222485.8
申请日：2019-12-03
Applicant: 中兴通讯股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷介质滤波器表面金属化方法及其产品与应用，所述方法包括如下步骤：在经粗化处理的陶瓷基体的表面化学镀镍，得到具有镀镍层的陶瓷基体；在具有镀镍层的陶瓷基体表面依次进行化学镀铜与电镀铜，得到具有镀铜层的陶瓷基体；在具有镀铜层的陶瓷基体表面镀银，得到表面金属化的陶瓷介质滤波器。本发明通过在陶瓷基体表面使用化学镀或电镀的方法依次镀镍、镀铜并镀银，提高了镀层之间的结合力、完整性和致密性，提高了陶瓷介质滤波器表面金属化效果、降低了表面金属化成本；焊接拉力能够满足电子器件的使用需求。
-
公开(公告)号：CN210723301U
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201922367883.0
申请日：2019-12-25
Applicant: 中兴通讯股份有限公司
Abstract: 本申请提出一种交叉耦合介质滤波器及设备，交叉耦合介质滤波器包括介质谐振主体，所述介质谐振主体上开设有通槽和/或通孔，以形成U型排列的至少六个介质谐振腔；每个所述介质谐振腔设置有对应的频率调谐盲孔；在预设的相邻所述频率调谐盲孔之间的耦合窗口位置设置容性耦合调谐盲孔和感性耦合调谐盲孔；其中，所述频率调谐孔、所述容性耦合调谐盲孔和所述感性耦合调谐盲孔均设置于所述介质谐振主体的同一表面上。通过设置容性耦合调谐盲孔和感性耦合调谐盲孔，改变滤波器主耦合与交叉耦合的耦合极性，提高滤波器带外抑制，提高拓扑结构的灵活性。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.033 seconds)
