电力变换装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105308846B

    公开(公告)日:2018-01-09

    申请号:CN201480034228.0

    申请日:2014-03-14

    CPC classification number: H02M7/537 H02M7/003

    Abstract: 将连接电容器串联电路(CA)的正极和电力变换部(QA)的正极的2根正极侧母线(11、12)、连接电容器串联电路(CA)的负极和电力变换部(QA)的负极的负极侧母线(13)、串联连接电容器串联电路(CA)内的两个平滑电容器(CF1、CF2)的中间连接用母线(14)这4根母线(11~14)隔着绝缘层(15)紧密地层叠而构成4层母线(10)。并且,2根正极侧母线(11、12)不邻接地并联连接,其中的1根正极侧母线(11)和负极侧母线(13)被邻接配置,降低连接电容器串联电路(CA)和电力变换部(QA)的布线结构的直流布线电感。

    逆变器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106605360A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201480081556.6

    申请日:2014-08-29

    Abstract: 逆变器包括:第1晶体管(Q1),该第1晶体管(Q1)连接于第1输入端子(T1)及输出端子(T4)之间;第2晶体管(Q2),该第2晶体管(Q2)连接于输出端子(T4)及第2输入端子(T2)之间;第1二极管及第2二极管(D1、D2),该第1二极管及第2二极管(D1、D2)分别与第1晶体管及第2晶体管(Q1、Q2)反向并联连接;以及双向开关,该双向开关连接于第3输入端子(T3)及输出端子(T4)之间,包含第3晶体管及第4晶体管(Q3、Q4)以及第3二极管及第4二极管(D3、D4)。第1晶体管、第2晶体管(Q1、Q2)、第3二极管以及第4二极管(D3、D4)均由宽带隙半导体形成,第3晶体管、第4晶体管(Q3、Q4)、第1二极管以及第2二极管(D1、D2)均由宽带隙半导体以外的半导体形成。

    转换器以及使用该转换器的电力转换装置

    公开(公告)号:CN107534396A

    公开(公告)日:2018-01-02

    申请号:CN201580079002.7

    申请日:2015-04-20

    Abstract: 转换器具备阳极和阴极分别与输入端子(T0)以及第1输出端子(T1)连接的第1二极管(D1);阳极和阴极分别与第2输出端子(T2)以及输入端子(T0)连接的第2二极管(D2);以及被连接在输入端子(T0)和第3输出端子(T3)之间的双向开关。双向开关包括第3二极管~第6二极管(D3~D6)以及晶体管(Q1)。第1二极管(D1)、第2二极管(D2)以及晶体管(Q)的各个由宽带隙半导体形成,第3二极管~第6二极管(D3~D6)的各个由宽带隙半导体以外的半导体形成。

    强制换向逆变器装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101569083A

    公开(公告)日:2009-10-28

    申请号:CN200780048157.X

    申请日:2007-01-30

    CPC classification number: H02M7/487

    Abstract: 在具有最大额定输出电流IROUT的强制换向大功率逆变器装置中,包括DC连接电容器、阳极漏电感、开关臂、钳位电路以及饱和铁芯单元,该DC连接电容器具有特征在于上升率dVDC/dt的绝对值的最大值dVm的电压脉动,以及阳极漏电感与DC连接电容器串联连接。该开关臂包括栅极截止器件和续流二极管的串联连接电路,以及钳位电路包括钳位电容器、钳位二极管、以及包括电阻器的钳位电压复位电路。饱和铁芯单元具有线性和逐渐饱和特性之一,每个具有饱和电流Isat,其被设置为使得IROUT>Isat>C31×dVm,C31是钳位电容器的电容。

    转换器以及使用该转换器的电力转换装置

    公开(公告)号:CN107534396B

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201580079002.7

    申请日:2015-04-20

    Abstract: 转换器具备阳极和阴极分别与输入端子(T0)以及第1输出端子(T1)连接的第1二极管(D1);阳极和阴极分别与第2输出端子(T2)以及输入端子(T0)连接的第2二极管(D2);以及被连接在输入端子(T0)和第3输出端子(T3)之间的双向开关。双向开关包括第3二极管~第6二极管(D3~D6)以及晶体管(Q1)。第1二极管(D1)、第2二极管(D2)以及晶体管(Q)的各个由宽带隙半导体形成,第3二极管~第6二极管(D3~D6)的各个由宽带隙半导体以外的半导体形成。

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