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公开(公告)号:CN105308846B
公开(公告)日:2018-01-09
申请号:CN201480034228.0
申请日:2014-03-14
Applicant: 三菱电机株式会社 , 东芝三菱电机产业系统株式会社
Abstract: 将连接电容器串联电路(CA)的正极和电力变换部(QA)的正极的2根正极侧母线(11、12)、连接电容器串联电路(CA)的负极和电力变换部(QA)的负极的负极侧母线(13)、串联连接电容器串联电路(CA)内的两个平滑电容器(CF1、CF2)的中间连接用母线(14)这4根母线(11~14)隔着绝缘层(15)紧密地层叠而构成4层母线(10)。并且,2根正极侧母线(11、12)不邻接地并联连接,其中的1根正极侧母线(11)和负极侧母线(13)被邻接配置,降低连接电容器串联电路(CA)和电力变换部(QA)的布线结构的直流布线电感。
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公开(公告)号:CN106797184A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201480081631.9
申请日:2014-08-29
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 , 三菱电机株式会社
CPC classification number: H02M5/458 , H02M1/08 , H02M7/04 , H02M7/217 , H02M7/487 , H02M2001/0054 , Y02B70/1483 , Y02B70/1491
Abstract: 整流器包括:第1晶体管(Q1),其连接于第1输出端子(T1)及输入端子(T0)之间;第2晶体管(Q2),其连接于输入端子(T0)及第2输出端子(T2)之间;第1二极管及第2二极管(D1、D2),其分别与第1晶体管及第2晶体管(Q1、Q2)反向并联连接;以及双向开关,其连接于输入端子(T0)及第3输出端子(T3)之间,包含第3晶体管和第4晶体管(Q3、Q4)以及第3二极管和第4二极管(D3、D4)。第1二极管、第2二极管(D1、D2)、第3晶体管以及第4晶体管(Q3、Q4)由宽带隙半导体形成,第3二极管、第4二极管(D3、D4)、第1晶体管以及第2晶体管(Q1、Q2)由宽带隙半导体以外的半导体形成。
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公开(公告)号:CN106605360A
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201480081556.6
申请日:2014-08-29
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 , 三菱电机株式会社
IPC: H02M7/483
CPC classification number: H02M7/537 , H02J9/062 , H02M1/08 , H02M7/483 , H02M2001/0054 , Y02B70/1483 , Y02B70/1491
Abstract: 逆变器包括:第1晶体管(Q1),该第1晶体管(Q1)连接于第1输入端子(T1)及输出端子(T4)之间;第2晶体管(Q2),该第2晶体管(Q2)连接于输出端子(T4)及第2输入端子(T2)之间;第1二极管及第2二极管(D1、D2),该第1二极管及第2二极管(D1、D2)分别与第1晶体管及第2晶体管(Q1、Q2)反向并联连接;以及双向开关,该双向开关连接于第3输入端子(T3)及输出端子(T4)之间,包含第3晶体管及第4晶体管(Q3、Q4)以及第3二极管及第4二极管(D3、D4)。第1晶体管、第2晶体管(Q1、Q2)、第3二极管以及第4二极管(D3、D4)均由宽带隙半导体形成,第3晶体管、第4晶体管(Q3、Q4)、第1二极管以及第2二极管(D1、D2)均由宽带隙半导体以外的半导体形成。
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公开(公告)号:CN106797184B
公开(公告)日:2019-06-14
申请号:CN201480081631.9
申请日:2014-08-29
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 , 三菱电机株式会社
CPC classification number: H02M5/458 , H02M1/08 , H02M7/04 , H02M7/217 , H02M7/487 , H02M2001/0054 , Y02B70/1483 , Y02B70/1491
Abstract: 整流器包括:第1晶体管(Q1),其连接于第1输出端子(T1)及输入端子(T0)之间;第2晶体管(Q2),其连接于输入端子(T0)及第2输出端子(T2)之间;第1二极管及第2二极管(D1、D2),其分别与第1晶体管及第2晶体管(Q1、Q2)反向并联连接;以及双向开关,其连接于输入端子(T0)及第3输出端子(T3)之间,包含第3晶体管和第4晶体管(Q3、Q4)以及第3二极管和第4二极管(D3、D4)。第1二极管、第2二极管(D1、D2)、第3晶体管以及第4晶体管(Q3、Q4)由宽带隙半导体形成,第3二极管、第4二极管(D3、D4)、第1晶体管以及第2晶体管(Q1、Q2)由宽带隙半导体以外的半导体形成。
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公开(公告)号:CN104380587B
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201280073645.7
申请日:2012-05-31
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 , 三菱电机株式会社
CPC classification number: H02M7/537 , H02J3/01 , H02M1/14 , H02M5/4585 , H02M7/003 , H02M7/493 , H05K7/1432 , Y02E40/40
Abstract: 一种功率转换装置,包括多个功率转换电路(1),该功率转换电路由开关元件(4)构成,还包括:直流导体(2P、2N),该直流导体(2P、2N)设置于各功率转换电路(1),向功率转换电路(1)提供直流电;以及直流连接总线(3P、3N),该直流连接总线(3P、3N)设置于各功率转换电路(1),并且其长度使其具有用于对从其它功率转换电路(1)流入的伴随着开关元件(4)进行开关而产生的纹波电流进行抑制的电感,该直流连接总线(3P、3N)以该长度将其它的功率转换电路(1)和直流导体(2P、2N)连接。
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公开(公告)号:CN105308846A
公开(公告)日:2016-02-03
申请号:CN201480034228.0
申请日:2014-03-14
Applicant: 三菱电机株式会社 , 东芝三菱电机产业系统株式会社
Abstract: 将连接电容器串联电路(CA)的正极和电力变换部(QA)的正极的2根正极侧母线(11、12)、连接电容器串联电路(CA)的负极和电力变换部(QA)的负极的负极侧母线(13)、串联连接电容器串联电路(CA)内的两个平滑电容器(CF1、CF2)的中间连接用母线(14)这4根母线(11~14)隔着绝缘层(15)紧密地层叠而构成4层母线(10)。并且,2根正极侧母线(11、12)不邻接地并联连接,其中的1根正极侧母线(11)和负极侧母线(13)被邻接配置,降低连接电容器串联电路(CA)和电力变换部(QA)的布线结构的直流布线电感。
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公开(公告)号:CN104380587A
公开(公告)日:2015-02-25
申请号:CN201280073645.7
申请日:2012-05-31
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 , 三菱电机株式会社
CPC classification number: H02M7/537 , H02J3/01 , H02M1/14 , H02M5/4585 , H02M7/003 , H02M7/493 , H05K7/1432 , Y02E40/40 , H02M1/12
Abstract: 一种功率转换装置,包括多个功率转换电路(1),该功率转换电路由开关元件(4)构成,还包括:直流导体(2P、2N),该直流导体(2P、2N)设置于各功率转换电路(1),向功率转换电路(1)提供直流电;以及直流连接总线(3P、3N),该直流连接总线(3P、3N)设置于各功率转换电路(1),并且其长度使其具有用于对从其它功率转换电路(1)流入的伴随着开关元件(4)进行开关而产生的纹波电流进行抑制的电感,该直流连接总线(3P、3N)以该长度将其它的功率转换电路(1)和直流导体(2P、2N)连接。
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公开(公告)号:CN106605360B
公开(公告)日:2018-12-21
申请号:CN201480081556.6
申请日:2014-08-29
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 , 三菱电机株式会社
IPC: H02M7/483
Abstract: 逆变器包括:第1晶体管(Q1),该第1晶体管(Q1)连接于第1输入端子(T1)及输出端子(T4)之间;第2晶体管(Q2),该第2晶体管(Q2)连接于输出端子(T4)及第2输入端子(T2)之间;第1二极管及第2二极管(D1、D2),该第1二极管及第2二极管(D1、D2)分别与第1晶体管及第2晶体管(Q1、Q2)反向并联连接;以及双向开关,该双向开关连接于第3输入端子(T3)及输出端子(T4)之间,包含第3晶体管及第4晶体管(Q3、Q4)以及第3二极管及第4二极管(D3、D4)。第1晶体管、第2晶体管(Q1、Q2)、第3二极管以及第4二极管(D3、D4)均由宽带隙半导体形成,第3晶体管、第4晶体管(Q3、Q4)、第1二极管以及第2二极管(D1、D2)均由宽带隙半导体以外的半导体形成。
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公开(公告)号:CN102640408B
公开(公告)日:2015-05-20
申请号:CN200980162470.5
申请日:2009-11-17
Applicant: 三菱电机株式会社 , 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: H02M7/48
CPC classification number: H02M7/003 , H02M7/483 , H02M7/487 , Y10T307/685
Abstract: 对构成三电平电力变换装置的半导体模块与直流电源电路之间的布线进行低电感化,从而容易地实现小型化以及低成本化。在对三电平逆变器的直流电源(电解电容器)(25、26)与IGBT模块(16~18)之间进行连接的情况下,将双向开关部的布线导体设为在同一面上3分割的导体(35、42、43)、或者2分割的导体(35、42),并设为以P导体(33)以及N导体(37)为外侧而分别隔着绝缘物夹入的密闭构造的3层布线构造。由此,即使层积数少也能够减小布线电感而实现装置整体的小型化以及低成本化。
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公开(公告)号:CN102640408A
公开(公告)日:2012-08-15
申请号:CN200980162470.5
申请日:2009-11-17
Applicant: 三菱电机株式会社 , 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: H02M7/48
CPC classification number: H02M7/003 , H02M7/483 , H02M7/487 , Y10T307/685
Abstract: 对构成三电平电力变换装置的半导体模块与直流电源电路之间的布线进行低电感化,从而容易地实现小型化以及低成本化。在对三电平逆变器的直流电源(电解电容器)(25、26)与IGBT模块(16~18)之间进行连接的情况下,将双向开关部的布线导体设为在同一面上3分割的导体(35、42、43)、或者2分割的导体(35、42),并设为以P导体(33)以及N导体(37)为外侧而分别隔着绝缘物夹入的密闭构造的3层布线构造。由此,即使层积数少也能够减小布线电感而实现装置整体的小型化以及低成本化。
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