强制换向逆变器装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101569083B

    公开(公告)日:2012-09-12

    申请号:CN200780048157.X

    申请日:2007-01-30

    CPC classification number: H02M7/487

    Abstract: 在具有最大额定输出电流IROUT的强制换向大功率逆变器装置中,包括DC连接电容器、阳极漏电感、开关臂、钳位电路以及饱和铁芯单元,该DC连接电容器具有特征在于上升率dVDC/dt的绝对值的最大值dVm的电压脉动,以及阳极漏电感与DC连接电容器串联连接。该开关臂包括栅极截止器件和续流二极管的串联连接电路,以及钳位电路包括钳位电容器、钳位二极管、以及包括电阻器的钳位电压复位电路。饱和铁芯单元具有线性和逐渐饱和特性之一,每个具有饱和电流Isat,其被设置为使得IROUT>Isat>C31×dVm,C31是钳位电容器的电容。

    强制换向逆变器装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101569083A

    公开(公告)日:2009-10-28

    申请号:CN200780048157.X

    申请日:2007-01-30

    CPC classification number: H02M7/487

    Abstract: 在具有最大额定输出电流IROUT的强制换向大功率逆变器装置中,包括DC连接电容器、阳极漏电感、开关臂、钳位电路以及饱和铁芯单元,该DC连接电容器具有特征在于上升率dVDC/dt的绝对值的最大值dVm的电压脉动,以及阳极漏电感与DC连接电容器串联连接。该开关臂包括栅极截止器件和续流二极管的串联连接电路,以及钳位电路包括钳位电容器、钳位二极管、以及包括电阻器的钳位电压复位电路。饱和铁芯单元具有线性和逐渐饱和特性之一,每个具有饱和电流Isat,其被设置为使得IROUT>Isat>C31×dVm,C31是钳位电容器的电容。

    压接型半导体器件堆叠
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107851642B

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN201580079287.4

    申请日:2015-04-27

    Abstract: 提供了一种压接型半导体器件堆叠,利用所述压接型半导体器件堆叠,不管压接型半导体器件中存在还是不存在切口部,压接型半导体器件都能够被均匀地加压,并且利用所述压接型半导体器件堆叠,能够防止压接型半导体器件的热破坏。用于加压以堆叠形式布置的压接型半导体器件和散热器的加压装置设置有:设置在上表面和下表面的加压件;绝缘座固定件,用于将由加压件施加的压力分配到外周面;以及绝缘座,其通过施加到绝缘座固定件的按压表面的压力给散热器加压,其中当在收集器端面或发射器端面的柱端面的周边部分的一部分设置有切口部时,压接型半导体器件设置有用于使从最上绝缘座固定件的按压表面到芯片的顶面的距离与从由下表面加压件加压的绝缘座固定件的按压表面到另一芯片的后表面的距离相等的装置。

    压接型半导体器件堆叠
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107851642A

    公开(公告)日:2018-03-27

    申请号:CN201580079287.4

    申请日:2015-04-27

    Abstract: 提供了一种压接型半导体器件堆叠,利用所述压接型半导体器件堆叠,不管压接型半导体器件中存在还是不存在切口部,压接型半导体器件都能够被均匀地加压,并且利用所述压接型半导体器件堆叠,能够防止压接型半导体器件的热破坏。用于加压以堆叠形式布置的压接型半导体器件和散热器的加压装置设置有:设置在上表面和下表面的加压件;绝缘座固定件,用于将由加压件施加的压力分配到外周面;以及绝缘座,其通过施加到绝缘座固定件的按压表面的压力给散热器加压,其中当在收集器端面或发射器端面的柱端面的周边部分的一部分设置有切口部时,压接型半导体器件设置有用于使从最上绝缘座固定件的按压表面到芯片的顶面的距离与从由下表面加压件加压的绝缘座固定件的按压表面到另一芯片的后表面的距离相等的装置。

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