逆变器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106605360B

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201480081556.6

    申请日:2014-08-29

    Abstract: 逆变器包括:第1晶体管(Q1),该第1晶体管(Q1)连接于第1输入端子(T1)及输出端子(T4)之间;第2晶体管(Q2),该第2晶体管(Q2)连接于输出端子(T4)及第2输入端子(T2)之间;第1二极管及第2二极管(D1、D2),该第1二极管及第2二极管(D1、D2)分别与第1晶体管及第2晶体管(Q1、Q2)反向并联连接;以及双向开关,该双向开关连接于第3输入端子(T3)及输出端子(T4)之间,包含第3晶体管及第4晶体管(Q3、Q4)以及第3二极管及第4二极管(D3、D4)。第1晶体管、第2晶体管(Q1、Q2)、第3二极管以及第4二极管(D3、D4)均由宽带隙半导体形成,第3晶体管、第4晶体管(Q3、Q4)、第1二极管以及第2二极管(D1、D2)均由宽带隙半导体以外的半导体形成。

    逆变器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106605360A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201480081556.6

    申请日:2014-08-29

    Abstract: 逆变器包括:第1晶体管(Q1),该第1晶体管(Q1)连接于第1输入端子(T1)及输出端子(T4)之间;第2晶体管(Q2),该第2晶体管(Q2)连接于输出端子(T4)及第2输入端子(T2)之间;第1二极管及第2二极管(D1、D2),该第1二极管及第2二极管(D1、D2)分别与第1晶体管及第2晶体管(Q1、Q2)反向并联连接;以及双向开关,该双向开关连接于第3输入端子(T3)及输出端子(T4)之间,包含第3晶体管及第4晶体管(Q3、Q4)以及第3二极管及第4二极管(D3、D4)。第1晶体管、第2晶体管(Q1、Q2)、第3二极管以及第4二极管(D3、D4)均由宽带隙半导体形成,第3晶体管、第4晶体管(Q3、Q4)、第1二极管以及第2二极管(D1、D2)均由宽带隙半导体以外的半导体形成。

    不间断电源装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108141140B

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201580083482.4

    申请日:2015-09-30

    Abstract: 在该不间断电源装置中,分别设有直流电压生成用的第1转换器(2)和电力再生用的第2转换器(5),利用母排(B1~B3)将直流母线(L1~L3)、第2转换器(5)以及双向斩波器(6)之间连接。由复合母排(24)构成母排(B1~B3),将第2转换器(5)所含的第1半导体模块(M1d、M2d)与双向斩波器(6)所含的第2半导体模块(M1a~M1c、M2a~M2c)分别搭载于复合母排(24)而连接于母排(B1~B3)。将母排(B1~B3)与第1以及第2半导体模块(M1a~M1d,M2a~M2d)构成为一体的转换器单元(7)。

    不间断电源装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107615615B

    公开(公告)日:2020-06-30

    申请号:CN201580080541.2

    申请日:2015-06-02

    Inventor: 大西启祐

    Abstract: 不间断电源装置是基本上使用第一半导体开关(3)来执行常时逆变器供电方式的装置(1),在作为选装件的第二半导体开关(20)与第一半导体开关(3)并联而选择了常时旁通供电方式的情况下,成为使用第二半导体开关(20)而执行常时旁通供电方式的装置(1A)。由此,与分别设计而制造常时逆变器供电方式的不间断电源装置与常时旁通供电方式的不间断电源装置的情况相比,能够实现装置的低成本化。

    不间断电源装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107615615A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201580080541.2

    申请日:2015-06-02

    Inventor: 大西启祐

    Abstract: 不间断电源装置是基本上使用第一半导体开关(3)来执行常时逆变器供电方式的装置(1),在作为选装件的第二半导体开关(20)与第一半导体开关(3)并联而选择了常时旁通供电方式的情况下,成为使用第二半导体开关(20)而执行常时旁通供电方式的装置(1A)。由此,与分别设计而制造常时逆变器供电方式的不间断电源装置与常时旁通供电方式的不间断电源装置的情况相比,能够实现装置的低成本化。

    转换器以及使用该转换器的电力转换装置

    公开(公告)号:CN109075719B

    公开(公告)日:2021-02-19

    申请号:CN201680084547.1

    申请日:2016-04-12

    Abstract: 转换器具备:第1二极管(D1),阳极及阴极分别与输入端子(T0)及第1输出端子(T1)连接;第2二极管(D2),阳极及阴极分别与第2输出端子(T2)及输入端子连接;第1晶体管(Q1),连接在第1输出端子与输入端子之间;第2晶体管(Q2),连接在输入端子与第2输出端子之间;以及双向开关,连接在输入端子与第3输出端子(T3)之间,包括第3二极管~第6二极管(D3~D6)以及第3晶体管(Q3)。第1二极管、第2二极管以及第3晶体管分别由宽带隙半导体形成,第1晶体管及第2晶体管和第3二极管~第6二极管分别由宽带隙半导体以外的半导体形成。

    转换器以及使用该转换器的电力转换装置

    公开(公告)号:CN107534396B

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201580079002.7

    申请日:2015-04-20

    Abstract: 转换器具备阳极和阴极分别与输入端子(T0)以及第1输出端子(T1)连接的第1二极管(D1);阳极和阴极分别与第2输出端子(T2)以及输入端子(T0)连接的第2二极管(D2);以及被连接在输入端子(T0)和第3输出端子(T3)之间的双向开关。双向开关包括第3二极管~第6二极管(D3~D6)以及晶体管(Q1)。第1二极管(D1)、第2二极管(D2)以及晶体管(Q)的各个由宽带隙半导体形成,第3二极管~第6二极管(D3~D6)的各个由宽带隙半导体以外的半导体形成。

    转换器以及使用该转换器的电力转换装置

    公开(公告)号:CN107534396A

    公开(公告)日:2018-01-02

    申请号:CN201580079002.7

    申请日:2015-04-20

    Abstract: 转换器具备阳极和阴极分别与输入端子(T0)以及第1输出端子(T1)连接的第1二极管(D1);阳极和阴极分别与第2输出端子(T2)以及输入端子(T0)连接的第2二极管(D2);以及被连接在输入端子(T0)和第3输出端子(T3)之间的双向开关。双向开关包括第3二极管~第6二极管(D3~D6)以及晶体管(Q1)。第1二极管(D1)、第2二极管(D2)以及晶体管(Q)的各个由宽带隙半导体形成,第3二极管~第6二极管(D3~D6)的各个由宽带隙半导体以外的半导体形成。

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