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公开(公告)号：CN112117905A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910538741.8
申请日：2019-06-20
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种有源钳位反激变换器的控制系统及方法，包括：驱动模块，用于对所述主开关管和钳位开关管进行开关控制；主开关管电压采样电路，用于对所述主开关管的输入端和输出端间的压降进行采样；第一比较器，连接所述主开关管电压采样电路，用于判断采样到的第一采样电压是正电压还是负电压；死区时间计算模块，用于根据所述第一比较器的输出和当前周期的主开关管控制信号，对所述驱动模块输出的下一周期的钳位开关管控制信号进行调整。本发明能够对死区时间进行自适应控制，方案简单、易行、成本低，能够减小开关损耗、电流振荡和开关噪声。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112117905B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201910538741.8
申请日：2019-06-20
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种有源钳位反激变换器的控制系统及方法，包括：驱动模块，用于对所述主开关管和钳位开关管进行开关控制；主开关管电压采样电路，用于对所述主开关管的输入端和输出端间的压降进行采样；第一比较器，连接所述主开关管电压采样电路，用于判断采样到的第一采样电压是正电压还是负电压；死区时间计算模块，用于根据所述第一比较器的输出和当前周期的主开关管控制信号，对所述驱动模块输出的下一周期的钳位开关管控制信号进行调整。本发明能够对死区时间进行自适应控制，方案简单、易行、成本低，能够减小开关损耗、电流振荡和开关噪声。
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公开(公告)号：CN114518186B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202011301093.3
申请日：2020-11-19
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种电容压力传感器及其制备方法，包括：将基体衬底形成有绝缘介质层的一面与键合衬底键合，基体衬底与键合衬底之间未设置绝缘介质层的位置形成空腔结构；在基体衬底上形成与基体衬底电连接的第一电极，在键合衬底上形成与键合衬底电连接的第二电极；其中，基体衬底作为电容压力传感器的第一极板，键合衬底作为电容压力传感器的第二极板。本申请将基体衬底作为电容压力传感器的第一极板，键合衬底作为电容压力传感器的第二极板，处于第一极板和第二极板之间的空腔结构可充当电容压力传感器两个电极之间的电介质材料，与现有技术相比，本申请制备电容压力传感器的工艺简单，且便于批量生产。
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公开(公告)号：CN114518186A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011301093.3
申请日：2020-11-19
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种电容压力传感器及其制备方法，包括：将基体衬底形成有绝缘介质层的一面与键合衬底键合，基体衬底与键合衬底之间未设置绝缘介质层的位置形成空腔结构；在基体衬底上形成与基体衬底电连接的第一电极，在键合衬底上形成与键合衬底电连接的第二电极；其中，基体衬底作为电容压力传感器的第一极板，键合衬底作为电容压力传感器的第二极板。本申请将基体衬底作为电容压力传感器的第一极板，键合衬底作为电容压力传感器的第二极板，处于第一极板和第二极板之间的空腔结构可充当电容压力传感器两个电极之间的电介质材料，与现有技术相比，本申请制备电容压力传感器的工艺简单，且便于批量生产。
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公开(公告)号：CN109979801B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201711460617.1
申请日：2017-12-28
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件，根据本发明的半导体器件的制造方法和半导体器件，在耗尽型器件的形成过程中，通过形成介质岛作为掩膜进行自对准离子注入来形成沟道，通过控制注入能量和剂量，可以精确控制沟道区的深度以及掺杂浓度，实现高稳定性的夹断电压，这样可以节省进行阈值电压调整离子注入中需要使用的光刻版和进行光刻工艺提供离子注入掩膜的步骤，减少了工艺流程，降低了工艺成本；在耗尽型器件形成沟道的过程中，由于介质岛的存在阻挡了沟道离子的注入，介质岛下方的离子浓度低，使得半导体器件在开态下的击穿可靠性大大提高。
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公开(公告)号：CN109979801A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711460617.1
申请日：2017-12-28
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件，根据本发明的半导体器件的制造方法和半导体器件，在耗尽型器件的形成过程中，通过形成介质岛作为掩膜进行自对准离子注入来形成沟道，通过控制注入能量和剂量，可以精确控制沟道区的深度以及掺杂浓度，实现高稳定性的夹断电压，这样可以节省进行阈值电压调整离子注入中需要使用的光刻版和进行光刻工艺提供离子注入掩膜的步骤，减少了工艺流程，降低了工艺成本；在耗尽型器件形成沟道的过程中，由于介质岛的存在阻挡了沟道离子的注入，介质岛下方的离子浓度低，使得半导体器件在开态下的击穿可靠性大大提高。
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