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公开(公告)号：CN113237733B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110526895.2
申请日：2021-05-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种原位力热电多场耦合测试芯片及其制备方法，包括第一静电执行器、第二静电执行器、与第一静电执行器连接的第一加热梁、与第二静电执行器连接的第二加热梁；第一静电执行器上设置有第一样品台，第二静电执行器上设置有第二样品台；第一加热梁与中心轴线垂直，且与第一样品台连接，用于给第一样品台加热；本发明芯片集成了力、热、电三种物理场耦合加载功能，实现如下功能：待测样品电学参数、力学参数与温度场间的准静态单参数或多参数耦合测试；待测样品平面拉伸下的蠕变、疲劳特性分析与温度场间的耦合测试；待测样品在不同温度场下的疲劳特性与电学参数、力学参数之间的耦合关系规律分析，待测样品的可靠性失效分析等。
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公开(公告)号：CN114507942A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210208545.6
申请日：2022-03-04
Applicant: 东南大学
IPC: D04H1/728 , D04H1/4318 , D04H1/4382 , D01F1/10 , D01F6/48
Abstract: 本发明公开了一种混合相变二氧化钛调控聚偏氟乙烯纳米纤维膜的制备方法，其中锐钛矿相TiO2和金红石相TiO2形成半导体异质结结构，制备钛酸四丁酯前驱体溶液，电纺得到纳米纤维；煅烧后获得锐钛矿和金红石混合相变的TiO2纳米纤维；研磨，得到相变的TiO2纳米棒；将相变TiO2纳米棒加入到DMF和丙酮的混合溶剂中并超声，加入PVDF粉末并磁力搅拌，得到PVDF前驱体溶液；电纺，得到纳米纤维膜；干燥，获得相变TiO2调控PVDF纳米纤维膜。实现了非压电材料调控PVDF纤维，使其具有的β极性相大幅高于非压电材料调控的其他制备方法，调控效果可以达到压电材料对PVDF纤维的调控效果。
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公开(公告)号：CN113277463A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110526906.7
申请日：2021-05-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于载网结构的原位力学测试芯片及制备方法，该芯片功能层包括硅衬底、位于硅衬底上表面的扩散层、悬浮在扩散层上的悬浮块和承载膜、位于悬浮块四周的悬浮块锚点区、位于悬浮块锚点区表面的上电极引线压焊块、以及位于扩散层上的下电极引线压焊块；所述扩散层包括位于悬浮块和承载膜下方的扩散层下极板区、与下电极引线压焊块连接的扩散层电极引线区、连接扩散层下极板区与下电极引线区的导电通道；悬浮在扩散层上的悬浮块和承载膜作为上极板区，与扩散层下极板区共同构成平行板电容执行器，可以实现芯片在厚度方向的静‑动态驱动，样品可放置在承载膜上并实现不同功能的力学参数测试。
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公开(公告)号：CN113218982A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110526921.1
申请日：2021-05-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种原位力学测试芯片及制备方法，包括平行板静电执行器和热执行器，所述平行板静电执行器和热执行器均关于同一条对称轴对称，热执行器沿对称轴方向运动；热执行器上设置有第二样品台，第二样品台随热执行器沿对称轴方向运动；平行板静电执行器包括第一样品台；第一样品台随平行板静电执行器沿垂直于第一样品台所在平面的方向运动；所述第二样品台朝向第一样品台的端面上开设有第一凹槽，第一样品台位于第一凹槽中，且第一样品台与第二样品台之间有间隔，样品台设计为交叉结构；驱动结构分别是热执行器和静电执行器，静电执行器上下极板间可以产生静电斥力和静电引力，实现静电执行器上极板在样品厚度方向上下运动。
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公开(公告)号：CN114295662A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111576425.3
申请日：2021-12-22
Applicant: 东南大学
IPC: G01N23/2204 , G01N23/20025 , G01N23/04 , H01J37/20 , H01J37/26
Abstract: 本发明公开了一种原位MEMS变形载网芯片结构及其制备方法，结构包括衬底，衬底上设有电极引线，电极引线埋设在绝缘保护层中，绝缘保护层上设有阵列排布的功能区单元；功能区单元包括热执行器和叉指结构样品台，热执行器与下方的所述电极引线连接，热执行器的悬臂梁通过连杆连接叉指结构样品台，叉指结构样品台正下方设有电镜观测窗口。器件基于双层多晶硅结构、多参数热执行器阵列和叉指结构样品台组成的变形载网机制，使该测试芯片可以在原位TEM/SEM里实现适配于多种待测样品的原位多参数力学模式表征功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113237734A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110526935.3
申请日：2021-05-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种高精度原位力学测试芯片及制备方法，高精度原位力学测试芯片包括位于同一平面内的热执行器、样品台、以及悬梁杠杆；样品台、悬梁杠杆均设置在热执行器上；样品台由为环岛结构与第二样品台构成，且环岛结构上设置有测距梳齿；悬梁杠杆与质量块相连。悬梁杠杆自由端与测距梳齿临近，器件基于压阻效应的压阻传感器位移检测机制和基于杠杆原理的悬梁杠杆、测距梳齿组成的位移放大检测机制，使该测试芯片可以满足待测样品在不同力学载荷加载模式下的高精度应变测试要求。
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公开(公告)号：CN113237733A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110526895.2
申请日：2021-05-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种原位力热电多场耦合测试芯片及其制备方法，包括第一静电执行器、第二静电执行器、与第一静电执行器连接的第一加热梁、与第二静电执行器连接的第二加热梁；第一静电执行器上设置有第一样品台，第二静电执行器上设置有第二样品台；第一加热梁与中心轴线垂直，且与第一样品台连接，用于给第一样品台加热；本发明芯片集成了力、热、电三种物理场耦合加载功能，实现如下功能：待测样品电学参数、力学参数与温度场间的准静态单参数或多参数耦合测试；待测样品平面拉伸下的蠕变、疲劳特性分析与温度场间的耦合测试；待测样品在不同温度场下的疲劳特性与电学参数、力学参数之间的耦合关系规律分析，待测样品的可靠性失效分析等。
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公开(公告)号：CN113203758A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110526897.1
申请日：2021-05-14
Applicant: 东南大学
IPC: G01N23/04 , G01N23/2251 , G01N3/02 , G01R27/08
Abstract: 本发明公开了一种用于TEM/SEM电镜的原位多参数测试芯片结构及制备方法，该芯片功能区包括质量块、热沉梁、热执行器、静电执行器、支撑梁和引线梁、样品台、绝缘层、电极引线压焊块和衬底；器件整体呈对称结构，其中热执行器、静电执行器、热沉梁、质量块、支撑梁、引线梁、样品台都是沿质量块为中心轴线对称分布。器件为双驱动结构，驱动结构分别是热执行器和静电执行器，可以进行静‑动态测试结合，由此测试芯片现实如下功能：待测样品电学参数、力学参数的准静态单参数或多参数测试；待测样品平面拉伸下的蠕变、疲劳特性分析；待测样品的疲劳特性与电学参数力学参数之间的耦合关系规律分析，待测样品的可靠性失效分析。
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公开(公告)号：CN113277463B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202110526906.7
申请日：2021-05-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于载网结构的原位力学测试芯片及制备方法，该芯片功能层包括硅衬底、位于硅衬底上表面的扩散层、悬浮在扩散层上的悬浮块和承载膜、位于悬浮块四周的悬浮块锚点区、位于悬浮块锚点区表面的上电极引线压焊块、以及位于扩散层上的下电极引线压焊块；所述扩散层包括位于悬浮块和承载膜下方的扩散层下极板区、与下电极引线压焊块连接的扩散层电极引线区、连接扩散层下极板区与下电极引线区的导电通道；悬浮在扩散层上的悬浮块和承载膜作为上极板区，与扩散层下极板区共同构成平行板电容执行器，可以实现芯片在厚度方向的静‑动态驱动，样品可放置在承载膜上并实现不同功能的力学参数测试。
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公开(公告)号：CN114295662B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202111576425.3
申请日：2021-12-22
Applicant: 东南大学
IPC: G01N23/2204 , G01N23/20025 , G01N23/04 , H01J37/20 , H01J37/26
Abstract: 本发明公开了一种原位MEMS变形载网芯片结构及其制备方法，结构包括衬底，衬底上设有电极引线，电极引线埋设在绝缘保护层中，绝缘保护层上设有阵列排布的功能区单元；功能区单元包括热执行器和叉指结构样品台，热执行器与下方的所述电极引线连接，热执行器的悬臂梁通过连杆连接叉指结构样品台，叉指结构样品台正下方设有电镜观测窗口。器件基于双层多晶硅结构、多参数热执行器阵列和叉指结构样品台组成的变形载网机制，使该测试芯片可以在原位TEM/SEM里实现适配于多种待测样品的原位多参数力学模式表征功能。
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