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公开(公告)号:CN114507942A
公开(公告)日:2022-05-17
申请号:CN202210208545.6
申请日:2022-03-04
Applicant: 东南大学
IPC: D04H1/728 , D04H1/4318 , D04H1/4382 , D01F1/10 , D01F6/48
Abstract: 本发明公开了一种混合相变二氧化钛调控聚偏氟乙烯纳米纤维膜的制备方法,其中锐钛矿相TiO2和金红石相TiO2形成半导体异质结结构,制备钛酸四丁酯前驱体溶液,电纺得到纳米纤维;煅烧后获得锐钛矿和金红石混合相变的TiO2纳米纤维;研磨,得到相变的TiO2纳米棒;将相变TiO2纳米棒加入到DMF和丙酮的混合溶剂中并超声,加入PVDF粉末并磁力搅拌,得到PVDF前驱体溶液;电纺,得到纳米纤维膜;干燥,获得相变TiO2调控PVDF纳米纤维膜。实现了非压电材料调控PVDF纤维,使其具有的β极性相大幅高于非压电材料调控的其他制备方法,调控效果可以达到压电材料对PVDF纤维的调控效果。
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公开(公告)号:CN114295662B
公开(公告)日:2023-12-29
申请号:CN202111576425.3
申请日:2021-12-22
Applicant: 东南大学
IPC: G01N23/2204 , G01N23/20025 , G01N23/04 , H01J37/20 , H01J37/26
Abstract: 本发明公开了一种原位MEMS变形载网芯片结构及其制备方法,结构包括衬底,衬底上设有电极引线,电极引线埋设在绝缘保护层中,绝缘保护层上设有阵列排布的功能区单元;功能区单元包括热执行器和叉指结构样品台,热执行器与下方的所述电极引线连接,热执行器的悬臂梁通过连杆连接叉指结构样品台,叉指结构样品台正下方设有电镜观测窗口。器件基于双层多晶硅结构、多参数热执行器阵列和叉指结构样品台组成的变形载网机制,使该测试芯片可以在原位TEM/SEM里实现适配于多种待测样品的原位多参数力学模式表征功能。
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公开(公告)号:CN114507942B
公开(公告)日:2022-11-25
申请号:CN202210208545.6
申请日:2022-03-04
Applicant: 东南大学
IPC: D04H1/728 , D04H1/4318 , D04H1/4382 , D01F1/10 , D01F6/48
Abstract: 本发明公开了一种混合相变二氧化钛调控聚偏氟乙烯纳米纤维膜的制备方法,其中锐钛矿相TiO2和金红石相TiO2形成半导体异质结结构,制备钛酸四丁酯前驱体溶液,电纺得到纳米纤维;煅烧后获得锐钛矿和金红石混合相变的TiO2纳米纤维;研磨,得到相变的TiO2纳米棒;将相变TiO2纳米棒加入到DMF和丙酮的混合溶剂中并超声,加入PVDF粉末并磁力搅拌,得到PVDF前驱体溶液;电纺,得到纳米纤维膜;干燥,获得相变TiO2调控PVDF纳米纤维膜。实现了非压电材料调控PVDF纤维,使其具有的β极性相大幅高于非压电材料调控的其他制备方法,调控效果可以达到压电材料对PVDF纤维的调控效果。
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公开(公告)号:CN114295662A
公开(公告)日:2022-04-08
申请号:CN202111576425.3
申请日:2021-12-22
Applicant: 东南大学
IPC: G01N23/2204 , G01N23/20025 , G01N23/04 , H01J37/20 , H01J37/26
Abstract: 本发明公开了一种原位MEMS变形载网芯片结构及其制备方法,结构包括衬底,衬底上设有电极引线,电极引线埋设在绝缘保护层中,绝缘保护层上设有阵列排布的功能区单元;功能区单元包括热执行器和叉指结构样品台,热执行器与下方的所述电极引线连接,热执行器的悬臂梁通过连杆连接叉指结构样品台,叉指结构样品台正下方设有电镜观测窗口。器件基于双层多晶硅结构、多参数热执行器阵列和叉指结构样品台组成的变形载网机制,使该测试芯片可以在原位TEM/SEM里实现适配于多种待测样品的原位多参数力学模式表征功能。
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