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公开(公告)号：CN109461772B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201811123546.0
申请日：2018-09-26
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/16 , H01L29/06 , H01L27/082 , H01L21/8222 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯的隧穿晶体管、反相器及其制备方法，石墨烯隧穿晶体管包括源极、栅极、漏极、石墨烯薄膜、半导体或金属衬底、隧穿层、漏极绝缘层、栅极绝缘层、石墨烯钝化层以及直流偏置电压源；源电极和硅衬底相连，漏电极与石墨烯薄膜相连，石墨烯和衬底之间有一层隧穿层，栅极在电子隧穿部分的顶部。若半导体或金属衬底的功函数较小，漏极选择功函数较大的金属，器件为n型，反之漏极则采用功函数较大的金属，器件为p型。p型管漏极连接高电位，n型管源极连接低电位，两根管的共有栅极作为电路的输入端，p型管源极和n型管漏极相连，作为电路的输出端。新型石墨烯隧穿晶体管结构实现高响应速率、低静态功耗的数字逻辑反相器。
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公开(公告)号：CN109449237A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811207442.8
申请日：2018-10-17
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/07 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于等离激元热电子的多层图案化光电转换器件及其制备方法，光电转换器件，包括绝缘衬底、金属-半导体多层图案化周期性结构和两端引出的金属电极，其中，半导体层材料的禁带宽度大于入射光的光子能量，多层图案化周期性结构，能够高效地吸收光，将入射光局域在金属-半导体界面，降低热电子的输运损耗，且每层金属层两侧均存在肖特基界面，可从两个方向迅速收集热电子，因而可以提高热电子的收集效率，实现高效的光电转换。本发明所述图案化制备方法简单，制备工艺成熟，易于操控图案形状，实现对响应波段的调控，此种光电转换器件在硅基近红外的光电探测以及宽禁带半导体在可见光波段的光催化领域有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN106784056A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611197584.1
申请日：2016-12-22
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/113 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L31/1136 , B82Y40/00 , H01L31/02327
Abstract: 本发明提供了一种响应光谱可调节的新型光电探测器，其特征在于，器件结构自下而上依次为是绝缘衬底、栅极、第一绝缘隔离层、导电沟道层、金属源漏极、第二绝缘隔离层、等离激元金属纳米结构、电光晶体覆盖层及透明引出电极。器件利用外加电压调控电光晶体覆盖层的折射率，使得覆盖物的折射率随外电压的改变而改变，进而实现调控金属纳米结构的等离激元共振波长和探测器的响应波长。本探测器件结构可以通过电压调节响应光谱，易于小型化和微型化，将在光电子器件和光通讯领域有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103744198B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410037728.1
申请日：2014-01-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种电压调制的周期性亚波长金属光栅滤波器及其制备方法，所述滤波器，包括两层透明导电玻璃、周期性金属光栅、光电晶体和电场产生装置，所述周期性金属光栅上设置有周期性阵列排布的狭缝；所述光电晶体填充在金属光栅的狭缝内，所述两层透明导电玻璃贴合周期性金属光栅上下表面设置，将光电晶体密封固定在金属光栅的狭缝内，所述电场产生装置在两层透明导电玻璃上产生均匀可调的电场，用于改变光电晶体的折射率参数。本发明可以通过改变上下透明导电玻璃电极的外加电压，来改变填充材料的折射率特性和金属光栅的透过率特性，达到电压调制滤波特性的目的。
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公开(公告)号：CN103557947B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201310524878.0
申请日：2013-10-30
Applicant: 东南大学
IPC: G01J9/00
Abstract: 本发明公开了一种自动对准的双模式波前传感器及测量方法，包括扩束比小于1的大口径准直系统、半透明反射镜、微透镜阵列哈特曼波前传感器和微柱状透镜阵列哈特曼波前传感器；所述半透明反射镜设置在准直系统的输出光信号的光路上，穿过半透明反射镜的光作为微透镜阵列哈特曼波前传感器的入射光，被半透明反射镜反射的光作为微柱状透镜阵列哈特曼波前传感器的入射光。本发明提供的自动对准的双模式波前传感器，结构简单、性能稳定、且价格低廉，基于传统哈特曼波前传感器的技术并能够提升传统哈特曼波前传感器的动态测量范围和测量精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109449069A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811124318.5
申请日：2018-09-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基极调制的真空沟道纳米三极管及其制备方法，该纳米三极管包括发射极、集电极、基极、绝缘衬底以及电场产生装置；集电极与发射极间的电子输运距离保持在纳米尺度，因其小于/接近电子与气体分子碰撞的平均自由程，使得器件工作驱动电压小于分子的第一离子化势；所述电场产生装置在集电极和发射极之间以及基极上产生均匀可调的电场，用于电子发射和电场调控。该结构拟结合真空电子器件和半导体固态器件各自的优点，制备真空纳米沟道将电子器件的尺寸压缩到纳米尺度的范围内，以期实现获得低工作电压，高电流密度，并可在非严格真空气氛下工作的真空三极管器件。在新型纳米材料制备技术、纳米加工技术和大规模集成电路工艺高集成化中有极强的应用潜力。
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公开(公告)号：CN112054069A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010879039.0
申请日：2020-08-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/102
Abstract: 本发明公开了一种基于圆盘超表面结构窄带滤光的集成化光电探测器件，该探测器件结构自下而上分别为：底部电极结构，半导体层，金属薄膜层，介质层以及顶部的金属圆盘结构。其中圆盘超表面结构支持的等离激元共振模式与超表面结构‑介质层‑金属薄膜层支持的腔体模式进行共振耦合，产生选择性透射窄带光谱，结合半导体层实现可见及近红外波段的窄带光电探测特性；金属薄膜的设立有效降低了电极结构对集成化的影响，有利于多个窄带滤光纳米阵列的高度集成，并且受益于圆盘超表面结构在空间分布上呈正六边形，而不受入射光偏振态的影响。该集成化探测器具有微型化、集成化、可调谐的特征，在光电子器件及光谱成像领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110673241A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910868613.X
申请日：2019-09-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种基于表面等离激元与腔体共振模式耦合的滤色片结构，包括半导体衬底、多层介质薄膜以及顶层的金属光栅结构；多层介质薄膜中上三层支持的腔体共振模式与金属光栅支持的表面等离激元传输模式之间发生耦合，在将光能量局域在金属/介质界面的同时，通过模式耦合将光能量传导进腔体中，并由腔体共振模式实现特定频率下的光透射增强以及透射光谱半高峰宽的减小；底层介质薄膜选用高折射率材料，起到减反以及保护半导体衬底的作用。与现有技术相比，本发明的有益效果在于：本发明滤色片制备方法简单，制备工艺成熟，并且可以通过固定金属光栅狭缝宽度以及其它结构参数，改变光栅周期实现透射光谱的连续调节。
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公开(公告)号：CN109755331A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811473227.2
申请日：2018-12-04
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0236 , H01L31/105 , B82Y20/00
Abstract: 本专利公开了一种基于等离激元-光子模式耦合的窄带光电探测器，该探测器的结构自下而上依次为是底部电极1、半导体层2和绝缘介质层3，在绝缘介质层3的上表面修饰有等离激元金属纳米结构4，在绝缘介质层3的外围设置有顶部电极5，且顶部电极5与半导体层2直接接触。其中等离激元金属纳米结构4支持的等离激元共振模式与绝缘介质层3-半导体层2支持的光学波导模式之间发生耦合共振，并形成窄带完美超吸收，实现窄带光电探测。该光电探测器可以调控窄带响应波段，将不同工作波段的探测器单元集成，构成宽波段工作的超光谱成像仪或者图像传感器；该光电探测器具有微型化和集成化的特性，在光电子器件和光通讯领域有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105390934B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201510978943.6
申请日：2015-12-24
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于等离激元增强的光增强/调制电子发射的装置及方法，其中装置包括：一封装结构，具有阴极和阳极，其中，所述阳极开有通孔，所述阴极设置在一导电衬底上，所述阴极为由阴极基底和在阴极基底表面吸附有金属纳米结构构成的场发射阴极；一电源，在所述阴极与阳极之间形成电场；一光源，发出经所述阳极的通孔入射到所述阴极的金属纳米结构上的激光。本发明光增强/调制电子发射装置，光源发出的入射光引起阴极基底的场发射材料与金属纳米结构复合形成的场发射阴极的电子发射增强，提高电子发射效率。同时通过改变入射激光的强度、波长、偏振态调节场发射材料表面的局域场，实现光调制电子发射。
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