公开(公告)号：CN105931931A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610312913.6

申请日：2016-05-12

Applicant: 东南大学

Inventor： 狄云松 ,  杜小飞 ,  王琦龙 ,  张晓兵 ,  雷威

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J9/025

Abstract: 本发明公开了一种尖锥阵列场致发射三极结构及其制作方法，所述结构包括阴极基底、氧化层、金属尖锥和石墨烯栅极，在氧化层的每个空腔内设置有一个金属尖锥，所有金属尖锥共同形成金属尖锥阵列，氧化层设置在阴极基底上，石墨烯栅极设置在氧化层上。本发明采用石墨烯栅极代替传统的金属栅极，且与传统Spindt型场致发射阵列制备流程有所不同。本发明是在尖锥形成及清洗杂质后，在氧化层上覆盖单层或少层石墨烯作为栅极，这一方面可在石墨烯栅极制备前对尖锥和空腔内的金属杂质进行有效的清洗，降低阴栅短路风险，另一方面石墨烯层可在其下方形成更均匀的电场，有效降低了尖锥发射电子所需要的电压。

公开(公告)号：CN105390934B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201510978943.6

申请日：2015-12-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 王琦龙 ,  翟雨生 ,  杜小飞 ,  齐志央 ,  李晓华

IPC: H01S5/10 ,  H01J19/02

Abstract: 本发明公开了一种基于等离激元增强的光增强/调制电子发射的装置及方法，其中装置包括：一封装结构，具有阴极和阳极，其中，所述阳极开有通孔，所述阴极设置在一导电衬底上，所述阴极为由阴极基底和在阴极基底表面吸附有金属纳米结构构成的场发射阴极；一电源，在所述阴极与阳极之间形成电场；一光源，发出经所述阳极的通孔入射到所述阴极的金属纳米结构上的激光。本发明光增强/调制电子发射装置，光源发出的入射光引起阴极基底的场发射材料与金属纳米结构复合形成的场发射阴极的电子发射增强，提高电子发射效率。同时通过改变入射激光的强度、波长、偏振态调节场发射材料表面的局域场，实现光调制电子发射。

公开(公告)号：CN105390934A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510978943.6

申请日：2015-12-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 王琦龙 ,  翟雨生 ,  杜小飞 ,  齐志央 ,  李晓华

IPC: H01S5/10 ,  H01J19/02

CPC classification number: H01S5/10 ,  H01J19/02

Abstract: 本发明公开了一种基于等离激元增强的光增强/调制电子发射的装置及方法，其中装置包括：一封装结构，具有阴极和阳极，其中，所述阳极开有通孔，所述阴极设置在一导电衬底上，所述阴极为由阴极基底和在阴极基底表面吸附有金属纳米结构构成的场发射阴极；一电源，在所述阴极与阳极之间形成电场；一光源，发出经所述阳极的通孔入射到所述阴极的金属纳米结构上的激光。本发明光增强/调制电子发射装置，光源发出的入射光引起阴极基底的场发射材料与金属纳米结构复合形成的场发射阴极的电子发射增强，提高电子发射效率。同时通过改变入射激光的强度、波长、偏振态调节场发射材料表面的局域场，实现光调制电子发射。