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公开(公告)号：CN104319215A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410615905.X
申请日：2014-11-05
Applicant: 东南大学
IPC: H01J29/48
CPC classification number: H01J29/481 , H01J3/021
Abstract: 本发明公开了一种圆形平面阴极与圆台、柱形组合栅孔对应的冷阴极电子枪，包括阴极、栅极、第一阳极和第二阳极，所述阴极包括阴极基板和制作在阴极基板上表面的场发射阴极，所述场发射阴极覆盖住所述圆台状突起结构的上表面圆面部位，形成圆形平面阴极。本发明与传统场发射阴极电子枪技术相比，不仅具有发射面电场均匀分布且容易控制、发射均匀性好，能够有效的避免传统场发射阴极因边缘场过于集中带来的打火、阴极损伤；在栅极和第一阳极的组合控制下，还能够使得发射电子束的运动轨迹的汇聚的趋势更加明显。
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公开(公告)号：CN1866450A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610039204.1
申请日：2006-03-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 减少碳纳米管场发射显示器件在封接中碳纳米管丢失的方法涉及采用丝网印刷阴极的碳纳米管场发射显示器件封接过程中，减少碳纳米管的丢失并降低其对碳纳米管场发射显示器件发射均匀性的影响的生产工艺技术。在碳纳米管场发射显示器件封接过程中，用丝网印刷方法于相邻两阴极之间制作绝缘介质，将真空封接腔体均匀的分割成几个较小的腔体，腔体之间通过绝缘介质条两头和中间各留出间隙相通，作为各个腔体的排气通道，形成一种新型的碳纳米管场发射显示器件的封接结构，并对其进行封接，从而降低封接腔体中气体在封接升温过程的对流程度，减少对流气体对碳纳米管的吹拂作用，因而在阴极上保留大部分的碳纳米管。
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公开(公告)号：CN105931931A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610312913.6
申请日：2016-05-12
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J9/025
Abstract: 本发明公开了一种尖锥阵列场致发射三极结构及其制作方法，所述结构包括阴极基底、氧化层、金属尖锥和石墨烯栅极，在氧化层的每个空腔内设置有一个金属尖锥，所有金属尖锥共同形成金属尖锥阵列，氧化层设置在阴极基底上，石墨烯栅极设置在氧化层上。本发明采用石墨烯栅极代替传统的金属栅极，且与传统Spindt型场致发射阵列制备流程有所不同。本发明是在尖锥形成及清洗杂质后，在氧化层上覆盖单层或少层石墨烯作为栅极，这一方面可在石墨烯栅极制备前对尖锥和空腔内的金属杂质进行有效的清洗，降低阴栅短路风险，另一方面石墨烯层可在其下方形成更均匀的电场，有效降低了尖锥发射电子所需要的电压。
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公开(公告)号：CN103996586A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410212192.2
申请日：2014-05-19
Applicant: 东南大学
IPC: H01J1/304
Abstract: 本发明公开了一种尖锥阴极与锥形栅孔对应的冷阴极三极管，包括阴极、阳极和栅极，所述阴极包括阴极基板和制作在阴极基板上表面的场发射阴极，所述栅极设置在阴极和阳极之间，在栅极上设置有与场发射阴极对应的栅孔；所述阴极基板上表面对应栅孔的位置设置有椎体突起结构，所述场发射阴极至少覆盖住所述椎体突起结构的尖端部位，形成尖锥阴极。本发明提供的一种尖锥阴极与锥形栅孔对应的冷阴极三极管，与传统场发射阴极三极管技术相比，不仅具有发射均匀性好、阴极与栅极间电容小，发射电子束的运动轨迹的汇聚的趋势更明显等优点，还可以避免传统场发射阴极因边缘场过于集中带来的打火、阴极损伤等。
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公开(公告)号：CN102832085A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210339831.2
申请日：2012-09-13
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种大电流发射的复合阴极结构，热阴极材料和场发射材料采用有序交错分布的方式制备在阴极基底表面，充分利用了材料的互补特性，即利用复合结构中场发射材料发射所产生的局部高温加热热阴极材料促其产生热电子发射，并在一定程度上弥补了高温下场发射阴极损伤带来的发射电流跌落，使电子发射的电流密度显著提升，阴极可靠性得到保证，在大功率电子器件中有极强的应用潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102832085B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201210339831.2
申请日：2012-09-13
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种大电流发射的复合阴极结构，热阴极材料和场发射材料采用有序交错分布的方式制备在阴极基底表面，充分利用了材料的互补特性，即利用复合结构中场发射材料发射所产生的局部高温加热热阴极材料促其产生热电子发射，并在一定程度上弥补了高温下场发射阴极损伤带来的发射电流跌落，使电子发射的电流密度显著提升，阴极可靠性得到保证，在大功率电子器件中有极强的应用潜力。
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公开(公告)号：CN100495631C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200610039205.6
申请日：2006-03-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 碳纳米管场致发射显示器件的栅极结构及其制作方法涉及场发射显示器栅极结构的设计、材料的选择和制作工艺流程的设计、发射材料表面处理技术，该栅极结构以玻璃衬底(1)为阴极玻璃基板，在玻璃衬底上覆盖阴极电极(2)，在阴极电极上设有致密材料薄层(4)，在阴极电极和致密材料薄层(4)上覆盖绝缘介质层(5)，在绝缘介质层(5)的中间设有绝缘介质孔(8)，碳纳米管浆料层(3)表面暴露在绝缘介质孔(8)中，下部熔入致密材料薄层(4)中，在绝缘介质层(5)的上部上覆盖栅极电极(6)，栅极电极(6)中设有栅极小孔(7)，栅极小孔与其下部的绝缘介质孔(8)对齐，绝缘介质孔(8)的横截面形状为上宽下窄的碗状结构。
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公开(公告)号：CN104319215B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201410615905.X
申请日：2014-11-05
Applicant: 东南大学
IPC: H01J29/48
Abstract: 本发明公开了一种圆台和柱形组合栅孔结构的圆形平面冷阴极的电子枪，包括阴极、栅极、第一阳极和第二阳极，所述阴极包括阴极基板和制作在阴极基板上表面的场发射阴极，所述场发射阴极覆盖住所述圆台状突起结构的上表面圆面部位，形成圆形平面阴极。本发明与传统场发射阴极电子枪技术相比，不仅具有发射面电场均匀分布且容易控制、发射均匀性好，能够有效的避免传统场发射阴极因边缘场过于集中带来的打火、阴极损伤；在栅极和第一阳极的组合控制下，还能够使得发射电子束的运动轨迹的汇聚的趋势更加明显。
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公开(公告)号：CN100580848C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200610039204.1
申请日：2006-03-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 减少碳纳米管场发射显示器件在封接中碳纳米管丢失的方法涉及采用丝网印刷阴极的碳纳米管场发射显示器件封接过程中，减少碳纳米管的丢失并降低其对碳纳米管场发射显示器件发射均匀性的影响的生产工艺技术。在碳纳米管场发射显示器件封接过程中，用丝网印刷方法于相邻两阴极之间制作绝缘介质，将真空封接腔体均匀的分割成几个较小的腔体，腔体之间通过绝缘介质条两头和中间各留出间隙相通，作为各个腔体的排气通道，形成一种新型的碳纳米管场发射显示器件的封接结构，并对其进行封接，从而降低封接腔体中气体在封接升温过程的对流程度，减少对流气体对碳纳米管的吹拂作用，因而在阴极上保留大部分的碳纳米管。
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公开(公告)号：CN1832092A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610039205.6
申请日：2006-03-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 碳纳米管场致发射显示器件的栅极结构及其制作方法，涉及场发射显示器栅极结构的设计、材料的选择和制作工艺流程的设计、发射材料表面处理技术，该栅极结构以玻璃衬底(1)为阴极玻璃基板，在玻璃衬底上覆盖阴极电极(2)，在阴极电极上设有致密材料薄层(4)，在阴极电极和致密材料薄层(4)上覆盖绝缘介质层(5)，在绝缘介质层(5)的中间设有绝缘介质孔(8)，碳纳米管浆料层(3)表面暴露在绝缘介质孔(8)中，下部熔入致密材料薄层(4)中，在绝缘介质层(5)的上部上覆盖栅极电极(6)，栅极电极(6)中设有栅极小孔(7)，栅极小孔与其下部的绝缘介质孔(8)对齐，绝缘介质孔(8)的横截面形状为上宽下窄的碗状结构。
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