一种多通道硅基波分复用90度光混频芯片

    公开(公告)号:CN118837997A

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN202411219291.3

    申请日:2024-09-02

    Abstract: 本发明公开了一种多通道硅基波分复用90度光混频芯片,该硅基波分复用90度光混频芯片包括:信号光输入波导、本振光输入波导、一个90度光混频器、四个阵列波导光栅(AWG)和输出波导,其中90度光混频器和四个AWG均设有加热电极。信号光和本振光在90度光混频器中进行相干混频,形成一组同相信号和一组正交信号,其中90度光混频器的同相信号输出端分别与AWG1和AWG4的输入端相连,正交信号输出端分别与AWG2和AWG3的输入端相连,四个AWG的输出波导与光纤阵列进行耦合。本发明基于90度光混频器、阵列波导光栅和热移相器,实现了对90度混频信号的波分复用,具有相位不均衡度低、插损小、工作波长可调等优点,可以对使用QPSK,QAM等方式调制的数据进行相干解调。

    一种多入射角快速切换的高速光谱型双光梳椭偏测量仪器

    公开(公告)号:CN118443590A

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202410550469.6

    申请日:2024-05-06

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种多入射角快速切换的高速光谱型双光梳椭偏测量仪器,包括双光梳产生模块、第一光开关模块、第一准直模块组件、第二准直模块组件、样品支架、样品台、第二光开关等;该方案基于高速光谱型双光梳椭偏测量原理,利用光开关模块在亚微秒时间内快速切换信号光与本振光的入射角,既显著缩短了传统椭偏仪机械调节入射角与反射角的时间,又避免了传统椭偏仪机械调节角度过程中引入的系统误差,并且能够在不同入射角的情况下以微秒级到纳秒级时间内对样品进行椭偏测量,最终反演推算出薄膜的光学折射率、消光系数、厚度。整体结构简单、成本低、稳定可靠、测量速度快,适用于半导体薄膜制备过程的动态监测,能够实时掌握薄膜状态。

    一种相位补偿型硅基星形90度光混频器

    公开(公告)号:CN118259514A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202410363765.5

    申请日:2024-03-28

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明提供一种相位补偿型硅基星形90度光混频器,硅波导层配置包括信号光输入波导、本振光输入波导、Y分支和3个2×2多模干涉耦合器(MMI)组成的星形结以及四个输出波导;本振光输入波导与Y分支输入端口耦合,信号光输入波导与底部2×2多模干涉耦合器其中一个输入端口耦合,通过四路90度弯曲波导,将信号光和本振光输入至两侧2×2MMI多模干涉区,使得信号光和本振光在两侧的2×2MMI中混频,并分别引出至两侧的四个输出波导。本发明基于硅基波导及多模干涉耦合器,可通过热移相器补偿由四路90度弯曲波导产生的相位偏差,具有尺寸小、低相位偏差、可调谐等优点。

    一种完全垂直双层变迹光栅耦合器

    公开(公告)号:CN118311712A

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202410569499.1

    申请日:2024-05-09

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明涉及一种完全垂直双层变迹光栅耦合器,包括:自上而下依次叠放在一起的氧化物上包层、氮化硅光栅层、底部硅光栅反射层、氧化物下包层以及硅衬底层,所述氧化物上包层与氧化物下包层的材质一致,均为二氧化硅,且折射率应小于光栅耦合器中的材质硅和氮化硅,本发明中光纤以垂直角度入射,不需要研磨光纤端面,无需复杂的对准或测试,可以有效降低芯片封装成本,同时保证了较高的耦合效率,更有利于晶圆级测试与后道工艺里的封装。

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