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公开(公告)号:CN116165742A
公开(公告)日:2023-05-26
申请号:CN202310161920.0
申请日:2023-02-24
Applicant: 东南大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种集成底部反射层的双层氮化硅光栅耦合器,涉及光通信以及微波光子学领域。其包括自上而下设置的氧化物上包层、第二氮化硅光栅层、氧化物夹层、第一氮化硅光栅层、氧化物下包层、底部反射层以及衬底层,两层光栅都完全包埋在氧化物上下包层中,且在水平和垂直方向都有固定的间距。第一氮化硅光栅层以一定周期和填充占空比均匀排列,第二氮化硅光栅层采用了切趾处理。双层光栅设计能实现很高的指向性,抑制旁瓣。底部反射层采用多层分布式布拉格反射设计,有效防止向下耦合的光场泄露到衬底。
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公开(公告)号:CN118443590A
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN202410550469.6
申请日:2024-05-06
Applicant: 东南大学
IPC: G01N21/21
Abstract: 本发明公开了一种多入射角快速切换的高速光谱型双光梳椭偏测量仪器,包括双光梳产生模块、第一光开关模块、第一准直模块组件、第二准直模块组件、样品支架、样品台、第二光开关等;该方案基于高速光谱型双光梳椭偏测量原理,利用光开关模块在亚微秒时间内快速切换信号光与本振光的入射角,既显著缩短了传统椭偏仪机械调节入射角与反射角的时间,又避免了传统椭偏仪机械调节角度过程中引入的系统误差,并且能够在不同入射角的情况下以微秒级到纳秒级时间内对样品进行椭偏测量,最终反演推算出薄膜的光学折射率、消光系数、厚度。整体结构简单、成本低、稳定可靠、测量速度快,适用于半导体薄膜制备过程的动态监测,能够实时掌握薄膜状态。
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