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公开(公告)号：CN118311712A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410569499.1
申请日：2024-05-09
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种完全垂直双层变迹光栅耦合器，包括：自上而下依次叠放在一起的氧化物上包层、氮化硅光栅层、底部硅光栅反射层、氧化物下包层以及硅衬底层，所述氧化物上包层与氧化物下包层的材质一致，均为二氧化硅，且折射率应小于光栅耦合器中的材质硅和氮化硅，本发明中光纤以垂直角度入射，不需要研磨光纤端面，无需复杂的对准或测试，可以有效降低芯片封装成本，同时保证了较高的耦合效率，更有利于晶圆级测试与后道工艺里的封装。
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