公开(公告)号：CN119667869A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202510123623.6

申请日：2025-01-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 林曈 ,  胡钟秀 ,  李柳 ,  倪振华 ,  吕俊鹏 ,  姚俊杰 ,  冀柏荣 ,  蔡易辉

IPC: G02B6/35 ,  G02B6/12 ,  G02B6/125 ,  G02F1/313 ,  G02F1/21 ,  G02F1/225 ,  G02F1/01

Abstract: 本发明提供一种基于氮化硅波导器件的偏振不敏感型2×2马赫‑曾德尔光开关。氮化硅波导层配置包括两个光输入波导、两个2×2弯曲波导型3dB定向耦合器、两个对称马赫‑曾德尔干涉(MZI)臂以及两个光输出波导；两个光输入波导分别与第一2×2 3dB定向耦合器的两个输入端口耦合，通过两路对称MZI臂，其中某一MZI臂直波导附有热电极可进行光信号相位调制，将两路MZI臂输出光输入至第二2×2 3dB定向耦合器，使得两路MZI臂输出光进行合并干涉，并分别引出两路输出波导。本发明基于氮化硅方形波导及2×2弯曲波导型3dB定向耦合器，具有偏振不敏感、大带宽、低插损、高消光比等优点。

公开(公告)号：CN120010054A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510427066.7

申请日：2025-04-07

Applicant: 东南大学

Inventor： 姚俊杰 ,  林曈 ,  冀柏荣 ,  蔡易辉

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/293 ,  G02B6/42

Abstract: 本发明涉及一种双波段融合的三维光子集成耦合器件，包括第一波导层，第二波导层，二氧化硅上包层，二氧化硅下包层以及硅衬底，其中第二波导层包括氮化硅耦合波导，氮化硅连接波导以及氮化硅弯曲双S型波导，其中第二波导层设置在第一波导层的上方，硅衬底上依次设置有二氧化硅下包层、二氧化硅上包层。该方案解决了现有集成光回路多波长耦合效率低、光路设计复杂、集成度低的问题。