公开(公告)号：CN104034757B

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201410282701.9

申请日：2014-06-24

Applicant: 东北大学

Inventor： 沈岩柏 ,  魏德洲 ,  马嘉伟 ,  张琳博 ,  王玮 ,  张津 ,  刘峥

IPC: G01N27/04 ,  B82Y15/00

Abstract: 本发明属于一维半导体氧化物的气体传感器技术领域，具体涉及一种基于TeO2纳米线的醇类气体传感器及其制备方法。本发明的醇类气体传感器气敏涂层成分为TeO2纳米线，TeO2纳米线具有单一的四方相晶体结构，表面光滑，直径为70～200nm，长度为500μm～2mm，长径比最大达29000；气体传感器的制备方法是首先制备TeO2纳米线，将TeO2纳米线与黏合剂混合，调制成料浆涂于陶瓷基板表面，成为气敏涂层，再经热处理，最终获得基于TeO2纳米线的醇类气体传感器。本发明首先利用热蒸发法制备出具有结晶好、长径比高、产量大、高表面活性的TeO2纳米线，然后将TeO2纳米线制备成气体传感器，具有低工作温度、高灵敏度、低能耗等优点。

公开(公告)号：CN104034757A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410282701.9

申请日：2014-06-24

Applicant: 东北大学

Inventor： 沈岩柏 ,  魏德洲 ,  马嘉伟 ,  张琳博 ,  王玮 ,  张津 ,  刘峥

IPC: G01N27/04 ,  B82Y15/00

Abstract: 本发明属于一维半导体氧化物的气体传感器技术领域，具体涉及一种基于TeO2纳米线的醇类气体传感器及其制备方法。本发明的醇类气体传感器气敏涂层成分为TeO2纳米线，TeO2纳米线具有单一的四方相晶体结构，表面光滑，直径为70～200nm，长度为500μm～2mm，长径比最大达29000；气体传感器的制备方法是首先制备TeO2纳米线，将TeO2纳米线与黏合剂混合，调制成料浆涂于陶瓷基板表面，成为气敏涂层，再经热处理，最终获得基于TeO2纳米线的醇类气体传感器。本发明首先利用热蒸发法制备出具有结晶好、长径比高、产量大、高表面活性的TeO2纳米线，然后将TeO2纳米线制备成气体传感器，具有低工作温度、高灵敏度、低能耗等优点。