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公开(公告)号：CN107015263A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710226565.5
申请日：2017-04-09
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明提供一种同基质的“闪烁体‑半导体‑闪烁体”复合X射线探测器，包括前闪烁体、半导体光电导探测器、后闪烁体。三者组成类似三明治结构，通过原子间吸引力结合，不需要耦合剂；前闪烁体、后闪烁体化学成分相同，厚度不同，通过对基质掺杂获得；半导体光电导探测器包括半导体基质、电极和引线；复合X射线探测器可以通过通用薄膜生长技术获得，生长过程中只需要调节掺杂浓度即可，将闪烁体、耦合剂、光电二极管或光电倍增管简三种材料化为一种材料，具有制作方法简单、制作原理单一、制作周期短、制作成本低等优势，同时，取消了耦合剂，闪烁体与光电导探测器通过原子间引力紧密结合，光损耗小，探测效率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119479914A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202510059358.X
申请日：2025-01-15
Applicant: 东北大学
IPC: G16C20/70 , G16C60/00 , G01N23/203
Abstract: 本发明提供一种准原位EBSD数据分析方法，涉及EBSD数据处理技术领域。对目标材料进行两次EBSD检测实验，采集目标材料的前散射探测器图和原始EBSD数据，并对前散射探测器图的分辨率进行修改并输出为EBSD数据，将EBSD数据导出对应的全欧拉图作为标准图与待矫正图；对标准图、待矫正图和对应的EBSD数据进行截取并进行几何矫正；将第一次实验得到的原始数据进行截取后得到的EBSD数据和第二次实验得到的原始数据进行截取并几何矫正后的EBSD数据进行对比，选取相同的晶粒并计算两次EBSD检测实验中该晶粒的欧拉角的旋转差异矩阵，对第二次实验得到的原始数据进行截取并几何矫正后的EBSD数据进行取向矫正，得到最终的EBSD数据。
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公开(公告)号：CN119090717A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411572748.9
申请日：2024-11-06
Applicant: 东北大学
IPC: G06T3/4038 , G06T11/60 , G06T5/80
Abstract: 本发明提供一种EBSD数据的矫正拼接方法，涉及EBSD数据处理技术领域。该方法首先将EBSD数据转换为取向成像图，并对取向成像图进行拼接矫正获得标准图和待矫正图，匹配对齐并筛选出标准图和待矫正图的有效特征数据点，通过有效特征数据点计算待矫正图中出畸变的像素点矫正回标准位置的目标变换矩阵，并对取向成像图数据集中的每一张取向成像图中可识别的数据点进行相同的矩阵变换得到矫正的数据点，并对矫正后的数据点的格式进行标准化进而得到矫正标准化后的EBSD数据，对所有EBSD数据进行拼图，确定拼接处是否完全拼接，若有拼接痕，重新匹配特征数据点，重复这一过程直至拼接数据无拼接痕。
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公开(公告)号：CN119479914B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202510059358.X
申请日：2025-01-15
Applicant: 东北大学
IPC: G16C20/70 , G16C60/00 , G01N23/203
Abstract: 本发明提供一种准原位EBSD数据分析方法，涉及EBSD数据处理技术领域。对目标材料进行两次EBSD检测实验，采集目标材料的前散射探测器图和原始EBSD数据，并对前散射探测器图的分辨率进行修改并输出为EBSD数据，将EBSD数据导出对应的全欧拉图作为标准图与待矫正图；对标准图、待矫正图和对应的EBSD数据进行截取并进行几何矫正；将第一次实验得到的原始数据进行截取后得到的EBSD数据和第二次实验得到的原始数据进行截取并几何矫正后的EBSD数据进行对比，选取相同的晶粒并计算两次EBSD检测实验中该晶粒的欧拉角的旋转差异矩阵，对第二次实验得到的原始数据进行截取并几何矫正后的EBSD数据进行取向矫正，得到最终的EBSD数据。
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公开(公告)号：CN119090717B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411572748.9
申请日：2024-11-06
Applicant: 东北大学
IPC: G06T3/4038 , G06T11/60 , G06T5/80
Abstract: 本发明提供一种EBSD数据的矫正拼接方法，涉及EBSD数据处理技术领域。该方法首先将EBSD数据转换为取向成像图，并对取向成像图进行拼接矫正获得标准图和待矫正图，匹配对齐并筛选出标准图和待矫正图的有效特征数据点，通过有效特征数据点计算待矫正图中出畸变的像素点矫正回标准位置的目标变换矩阵，并对取向成像图数据集中的每一张取向成像图中可识别的数据点进行相同的矩阵变换得到矫正的数据点，并对矫正后的数据点的格式进行标准化进而得到矫正标准化后的EBSD数据，对所有EBSD数据进行拼图，确定拼接处是否完全拼接，若有拼接痕，重新匹配特征数据点，重复这一过程直至拼接数据无拼接痕。
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公开(公告)号：CN107015263B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201710226565.5
申请日：2017-04-09
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明提供一种同基质的“闪烁体‑半导体‑闪烁体”复合X射线探测器，包括前闪烁体、半导体光电导探测器、后闪烁体。三者组成类似三明治结构，通过原子间吸引力结合，不需要耦合剂；前闪烁体、后闪烁体化学成分相同，厚度不同，通过对基质掺杂获得；半导体光电导探测器包括半导体基质、电极和引线；复合X射线探测器可以通过通用薄膜生长技术获得，生长过程中只需要调节掺杂浓度即可，将闪烁体、耦合剂、光电二极管或光电倍增管简三种材料化为一种材料，具有制作方法简单、制作原理单一、制作周期短、制作成本低等优势，同时，取消了耦合剂，闪烁体与光电导探测器通过原子间引力紧密结合，光损耗小，探测效率高。
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