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公开(公告)号：CN119479914B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202510059358.X
申请日：2025-01-15
Applicant: 东北大学
IPC: G16C20/70 , G16C60/00 , G01N23/203
Abstract: 本发明提供一种准原位EBSD数据分析方法，涉及EBSD数据处理技术领域。对目标材料进行两次EBSD检测实验，采集目标材料的前散射探测器图和原始EBSD数据，并对前散射探测器图的分辨率进行修改并输出为EBSD数据，将EBSD数据导出对应的全欧拉图作为标准图与待矫正图；对标准图、待矫正图和对应的EBSD数据进行截取并进行几何矫正；将第一次实验得到的原始数据进行截取后得到的EBSD数据和第二次实验得到的原始数据进行截取并几何矫正后的EBSD数据进行对比，选取相同的晶粒并计算两次EBSD检测实验中该晶粒的欧拉角的旋转差异矩阵，对第二次实验得到的原始数据进行截取并几何矫正后的EBSD数据进行取向矫正，得到最终的EBSD数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119090717B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411572748.9
申请日：2024-11-06
Applicant: 东北大学
IPC: G06T3/4038 , G06T11/60 , G06T5/80
Abstract: 本发明提供一种EBSD数据的矫正拼接方法，涉及EBSD数据处理技术领域。该方法首先将EBSD数据转换为取向成像图，并对取向成像图进行拼接矫正获得标准图和待矫正图，匹配对齐并筛选出标准图和待矫正图的有效特征数据点，通过有效特征数据点计算待矫正图中出畸变的像素点矫正回标准位置的目标变换矩阵，并对取向成像图数据集中的每一张取向成像图中可识别的数据点进行相同的矩阵变换得到矫正的数据点，并对矫正后的数据点的格式进行标准化进而得到矫正标准化后的EBSD数据，对所有EBSD数据进行拼图，确定拼接处是否完全拼接，若有拼接痕，重新匹配特征数据点，重复这一过程直至拼接数据无拼接痕。
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公开(公告)号：CN108823372B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201810888694.5
申请日：2018-08-07
Applicant: 东北大学
IPC: C21D1/26 , C21D1/74 , C21D8/12 , C21D9/52 , C22C38/00 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/12 , C22C38/16 , C22C38/34 , C22C38/42 , C22C38/44 , C22C38/46 , C22C38/48 , C22C38/54 , C22C38/60 , C23C8/26
Abstract: 一种取向高硅钢薄带及其高效退火模式的制备方法，属于冶金技术领域；成分：Si：4.5～7.0％，C：≤0.1％，Als：0.005～0.05％，N：0.003～0.01％，Mn：0.03～0.3％，Cu：≤0.5％，S：0.003～0.035％，Nb：0.02～0.4％，V：0.005～0.1％，余量为Fe和杂质；方法：按照成分设计浇铸成板坯，进行热轧，酸洗后对其进行冷轧，然后将薄板进行脱碳退火，并对其进行渗氮处理，最后进行二次再结晶退火；本发明通过对抑制剂体系、轧制工艺及退火工艺的控制，实现短流程退火模式制备取向高硅钢，提高了生产效率、降低了生产成本，产品综合性能优异、厚度更薄。
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公开(公告)号：CN108823372A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810888694.5
申请日：2018-08-07
Applicant: 东北大学
IPC: C21D1/26 , C21D1/74 , C21D8/12 , C21D9/52 , C22C38/00 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/12 , C22C38/16 , C22C38/34 , C22C38/42 , C22C38/44 , C22C38/46 , C22C38/48 , C22C38/54 , C22C38/60 , C23C8/26
Abstract: 一种取向高硅钢薄带及其高效退火模式的制备方法，属于冶金技术领域；成分：Si：4.5～7.0％，C：≤0.1％，Als：0.005～0.05％，N：0.003～0.01％，Mn：0.03～0.3％，Cu：≤0.5％，S：0.003～0.035％，Nb：0.02～0.4％，V：0.005～0.1％，余量为Fe和杂质；方法：按照成分设计浇铸成板坯，进行热轧，酸洗后对其进行冷轧，然后将薄板进行脱碳退火，并对其进行渗氮处理，最后进行二次再结晶退火；本发明通过对抑制剂体系、轧制工艺及退火工艺的控制，实现短流程退火模式制备取向高硅钢，提高了生产效率、降低了生产成本，产品综合性能优异、厚度更薄。
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公开(公告)号：CN119479914A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202510059358.X
申请日：2025-01-15
Applicant: 东北大学
IPC: G16C20/70 , G16C60/00 , G01N23/203
Abstract: 本发明提供一种准原位EBSD数据分析方法，涉及EBSD数据处理技术领域。对目标材料进行两次EBSD检测实验，采集目标材料的前散射探测器图和原始EBSD数据，并对前散射探测器图的分辨率进行修改并输出为EBSD数据，将EBSD数据导出对应的全欧拉图作为标准图与待矫正图；对标准图、待矫正图和对应的EBSD数据进行截取并进行几何矫正；将第一次实验得到的原始数据进行截取后得到的EBSD数据和第二次实验得到的原始数据进行截取并几何矫正后的EBSD数据进行对比，选取相同的晶粒并计算两次EBSD检测实验中该晶粒的欧拉角的旋转差异矩阵，对第二次实验得到的原始数据进行截取并几何矫正后的EBSD数据进行取向矫正，得到最终的EBSD数据。
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公开(公告)号：CN119090717A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411572748.9
申请日：2024-11-06
Applicant: 东北大学
IPC: G06T3/4038 , G06T11/60 , G06T5/80
Abstract: 本发明提供一种EBSD数据的矫正拼接方法，涉及EBSD数据处理技术领域。该方法首先将EBSD数据转换为取向成像图，并对取向成像图进行拼接矫正获得标准图和待矫正图，匹配对齐并筛选出标准图和待矫正图的有效特征数据点，通过有效特征数据点计算待矫正图中出畸变的像素点矫正回标准位置的目标变换矩阵，并对取向成像图数据集中的每一张取向成像图中可识别的数据点进行相同的矩阵变换得到矫正的数据点，并对矫正后的数据点的格式进行标准化进而得到矫正标准化后的EBSD数据，对所有EBSD数据进行拼图，确定拼接处是否完全拼接，若有拼接痕，重新匹配特征数据点，重复这一过程直至拼接数据无拼接痕。
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