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公开(公告)号：CN107015263A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710226565.5
申请日：2017-04-09
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明提供一种同基质的“闪烁体‑半导体‑闪烁体”复合X射线探测器，包括前闪烁体、半导体光电导探测器、后闪烁体。三者组成类似三明治结构，通过原子间吸引力结合，不需要耦合剂；前闪烁体、后闪烁体化学成分相同，厚度不同，通过对基质掺杂获得；半导体光电导探测器包括半导体基质、电极和引线；复合X射线探测器可以通过通用薄膜生长技术获得，生长过程中只需要调节掺杂浓度即可，将闪烁体、耦合剂、光电二极管或光电倍增管简三种材料化为一种材料，具有制作方法简单、制作原理单一、制作周期短、制作成本低等优势，同时，取消了耦合剂，闪烁体与光电导探测器通过原子间引力紧密结合，光损耗小，探测效率高。
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公开(公告)号：CN107015263B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201710226565.5
申请日：2017-04-09
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明提供一种同基质的“闪烁体‑半导体‑闪烁体”复合X射线探测器，包括前闪烁体、半导体光电导探测器、后闪烁体。三者组成类似三明治结构，通过原子间吸引力结合，不需要耦合剂；前闪烁体、后闪烁体化学成分相同，厚度不同，通过对基质掺杂获得；半导体光电导探测器包括半导体基质、电极和引线；复合X射线探测器可以通过通用薄膜生长技术获得，生长过程中只需要调节掺杂浓度即可，将闪烁体、耦合剂、光电二极管或光电倍增管简三种材料化为一种材料，具有制作方法简单、制作原理单一、制作周期短、制作成本低等优势，同时，取消了耦合剂，闪烁体与光电导探测器通过原子间引力紧密结合，光损耗小，探测效率高。
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