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公开(公告)号：CN100576446C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200810003524.0
申请日：2008-01-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L21/00 , G03F7/40
Abstract: 本发明涉及回流处理方法以及TFT的制造方法。以源电极用抗蚀剂掩膜(210)(漏电极用抗蚀剂掩膜(211))的单位长度L平均的体积V1相对布线用抗蚀剂掩膜(231)的单位长度L平均的体积V2为1.5～3倍的方式设定线宽W1以及W2，由此，可确保源电极用抗蚀剂掩膜(210)(漏电极用抗蚀剂掩膜(211))进行变形而得到的变形抗蚀剂(212)的线宽W3为充分覆盖凹部(220)的宽度，并且，将布线用抗蚀剂掩膜(231)变形而得到的变形抗蚀剂(232)的线宽W4抑制得很小。
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公开(公告)号：CN100542685C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200410078406.8
申请日：2004-09-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种涂布方法，在长条形涂布喷嘴上经常稳定地得到良好的浸润线，从而在被处理基板上形成一定厚度且没有涂布斑的涂布膜。浸润线打底处理部(125)，由多功能单元(172)内的抗蚀液供给部将抗蚀液或稀释抗蚀液供给至从前面渗出抗蚀液那样构成的涂布垫(162)中，并且由多功能单元(172)内的按压部以规定的压力将涂布垫(162)压在喷嘴部背面(160)的下半部，同时，通过直进驱动部(176)的一直前进地驱动，使涂布垫(162)沿着喷嘴纵向(Y方向)从抗蚀液喷嘴(120)的一端按照直线一直地滑动到另一端。
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公开(公告)号：CN112997276A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201980072859.4
申请日：2019-11-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
Abstract: 本公开提供一种能够对基片供给具有稳定的臭氧浓度的臭氧水的基片处理装置、基片处理方法和计算机可读存储介质。基片处理装置包括：构成为能够供给臭氧气体的臭氧气体供给部；构成为能够供给呈现出规定的氢离子浓度的调整液的调整液供给部；构成为能够使臭氧气体溶解于调整液而生成臭氧水的溶解部；构成为能够用臭氧水来对基片进行清洗处理的至少一个处理腔室；和构成为能够通过送液线路将臭氧水从溶解部输送到至少一个处理腔室的送液部。
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公开(公告)号：CN101221900B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200810002678.8
申请日：2008-01-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/00 , H01L21/3105 , G03F7/40
Abstract: 在软溶处理单元(REFLW)(50)中，使辊(51)旋转，在X方向上输送基板(G)，基板(G)通过中空筒状的软溶处理器(53)的内部时，将包含溶剂的气体从溶剂供给部(55)的溶剂供给口(69)朝向基板(G)的表面供给，而且，从溶剂吸入部(57)的溶剂吸入口(75)吸入所供给的气体。向软溶处理空间(S)排出的包含溶剂的气体形成朝向溶剂吸入口(75)的单方向的流动，软溶处理空间的气氛中的溶剂被基板(G)表面的抗蚀剂吸收，由此，抗蚀剂软化而流动化，形成变形抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：CN112997276B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN201980072859.4
申请日：2019-11-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
Abstract: 本公开提供一种能够对基片供给具有稳定的臭氧浓度的臭氧水的基片处理装置、基片处理方法和计算机可读存储介质。基片处理装置包括：构成为能够供给臭氧气体的臭氧气体供给部；构成为能够供给呈现出规定的氢离子浓度的调整液的调整液供给部；构成为能够使臭氧气体溶解于调整液而生成臭氧水的溶解部；构成为能够用臭氧水来对基片进行清洗处理的至少一个处理腔室；和构成为能够通过送液线路将臭氧水从溶解部输送到至少一个处理腔室的送液部。
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公开(公告)号：CN118763025A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410947692.4
申请日：2019-11-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开提供一种能够对基片供给具有稳定的臭氧浓度的臭氧水的基片处理装置、基片处理方法和计算机可读存储介质。基片处理装置包括：构成为能够供给臭氧气体的臭氧气体供给部；构成为能够供给呈现出规定的氢离子浓度的调整液的调整液供给部；构成为能够使臭氧气体溶解于调整液而生成臭氧水的溶解部；构成为能够用臭氧水来对基片进行清洗处理的至少一个处理腔室；和构成为能够通过送液线路将臭氧水从溶解部输送到至少一个处理腔室的送液部。
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公开(公告)号：CN1593787A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410078406.8
申请日：2004-09-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种涂布方法，在长条形涂布喷嘴上经常稳定地得到良好的浸润线，从而在被处理基板上形成一定厚度且没有涂布斑的涂布膜。浸润线打底处理部(125)，由多功能单元(172)内的抗蚀液供给部将抗蚀液或稀释抗蚀液供给至从前面渗出抗蚀液那样构成的涂布垫(162)中，并且由多功能单元(172)内的按压部以规定的压力将涂布垫(162)压在喷嘴部背面(160)的下半部，同时，通过直进驱动部(176)的一直前进地驱动，使涂布垫(162)沿着喷嘴纵向(Y方向)从抗蚀液喷嘴(120)的一端按照直线一直地滑动到另一端。
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公开(公告)号：CN1577739A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410068461.9
申请日：2004-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , B05C5/00 , B05C13/00 , G03F7/16
Abstract: 喷嘴障碍监视器(168)具有：射出激光束LB以便在规定高度位置沿Y方向大致水平地横穿台(132)上载置的衬底(G)上面附近的激光射出部(222)；隔着台(132)上的衬底(G)并配置在沿Y方向与激光射出部(222)对置的位置的受光部(224)。在涂布处理部(136)中施行抗蚀剂涂布处理时，喷嘴障碍监视器(168)的激光束LB也随着扫描部(212)的扫描驱动而和抗蚀剂喷嘴(134)一起在其前方沿X方向扫描衬底(G)的上方，检查衬底(G)的上面附近是否有障碍物。所以，能够在被处理衬底上面或接近被处理面的高度位置安全地执行使喷嘴扫描的涂布动作。
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