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公开(公告)号：CN111435636A
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN202010027068.4
申请日：2020-01-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种抑制外周构件的消耗并且去除外周构件之上的沉积物的处理方法和等离子体处理装置。所述处理方法使用等离子体处理装置来对被处理体进行处理，所述等离子体处理装置具有：载置台，其在腔室内载置被处理体；外周构件，其配置于所述载置台的周围；以及第一电源，其向所述外周构件施加电压，所述处理方法包括以下工序：一边从所述第一电源向所述外周构件施加电压，一边使被处理体暴露在具有沉积性的前体的等离子体中；以及在暴露于所述等离子体中的工序期间中，观测沉积在所述外周构件之上的包含碳的沉积膜的状态，基于观测到的所述沉积膜的状态来控制向所述外周构件施加的电压。
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公开(公告)号：CN111146081B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN201911071001.4
申请日：2019-11-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/67 , H01J37/02 , H01J37/248 , H01J37/305
Abstract: 本发明提供被处理体的处理方法和等离子体处理装置。所述被处理体的处理方法使用等离子体处理装置对被处理体进行处理，所述等离子体处理装置具备：处理容器；载置台，其在处理容器内载置被处理体；外周构件，其配置于载置台的周围；以及第一电压施加装置，其向外周构件施加电压，所述被处理体的处理方法包括以下工序：准备被处理体，被处理体具有被蚀刻膜和形成在被蚀刻膜上的图案化的掩模；以及对掩模进行处理，其中，对掩模进行处理的工序包括以下工序：将包含第一稀有气体的第一处理气体供给至处理容器的工序；以及第一等离子体处理工序，一边向外周构件施加直流电压，一边利用第一处理气体的等离子体对位于被处理体的外周部的掩模进行处理。
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公开(公告)号：CN111435636B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202010027068.4
申请日：2020-01-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种抑制外周构件的消耗并且去除外周构件之上的沉积物的处理方法和等离子体处理装置。所述处理方法使用等离子体处理装置来对被处理体进行处理，所述等离子体处理装置具有：载置台，其在腔室内载置被处理体；外周构件，其配置于所述载置台的周围；以及第一电源，其向所述外周构件施加电压，所述处理方法包括以下工序：一边从所述第一电源向所述外周构件施加电压，一边使被处理体暴露在具有沉积性的前体的等离子体中；以及在暴露于所述等离子体中的工序期间中，观测沉积在所述外周构件之上的包含碳的沉积膜的状态，基于观测到的所述沉积膜的状态来控制向所述外周构件施加的电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111146081A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911071001.4
申请日：2019-11-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/67 , H01J37/02 , H01J37/248 , H01J37/305
Abstract: 本发明提供被处理体的处理方法和等离子体处理装置。所述被处理体的处理方法使用等离子体处理装置对被处理体进行处理，所述等离子体处理装置具备：处理容器；载置台，其在处理容器内载置被处理体；外周构件，其配置于载置台的周围；以及第一电压施加装置，其向外周构件施加电压，所述被处理体的处理方法包括以下工序：准备被处理体，被处理体具有被蚀刻膜和形成在被蚀刻膜上的图案化的掩模；以及对掩模进行处理，其中，对掩模进行处理的工序包括以下工序：将包含第一稀有气体的第一处理气体供给至处理容器的工序；以及第一等离子体处理工序，一边向外周构件施加直流电压，一边利用第一处理气体的等离子体对位于被处理体的外周部的掩模进行处理。
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公开(公告)号：CN111435635B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202010025834.3
申请日：2020-01-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种防止在向外周构件施加了电压时针对被处理体的工艺特性下降的处理方法和等离子体处理装置。在所述处理方法中，使用等离子体处理装置对被处理体进行处理，所述等离子体处理装置具有：载置台，其在腔室内载置被处理体；外周构件，其配置于所述载置台的周围；以及第一电源，其向所述外周构件施加电压，所述处理方法包括以下工序：从所述第一电源向所述外周构件施加电压；参照存储有向外周构件施加的电压与工艺参数的校正值之间的相关信息的存储部，基于施加于所述外周构件的电压来校正工艺参数；以及按照包括校正后的所述工艺参数的工艺条件来执行等离子体处理。
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公开(公告)号：CN109390274B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201810877048.9
申请日：2018-08-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种对被处理体进行处理的方法。提供一种抑制绝缘膜的介电常数和尺寸偏差并使布线和通孔微细化的技术。在一个实施方式所涉及的对被处理体进行处理的方法中，被处理体具备具有布线的布线层、设置于布线层上的防扩散膜、设置于防扩散膜上的绝缘膜、设置于绝缘膜上并提供开口的金属掩模，绝缘膜具备通孔，该通孔设置于从开口露出的地方的一部分。该方法具备：第一工序，在被处理体的通孔的侧面形成牺牲膜；以及第二工序，对牺牲膜和绝缘膜进行蚀刻，来在通孔的底面进一步形成通孔，并从该通孔去除牺牲膜。
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公开(公告)号：CN111435635A
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN202010025834.3
申请日：2020-01-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种防止在向外周构件施加了电压时针对被处理体的工艺特性下降的处理方法和等离子体处理装置。在所述处理方法中，使用等离子体处理装置对被处理体进行处理，所述等离子体处理装置具有：载置台，其在腔室内载置被处理体；外周构件，其配置于所述载置台的周围；以及第一电源，其向所述外周构件施加电压，所述处理方法包括以下工序：从所述第一电源向所述外周构件施加电压；参照存储有向外周构件施加的电压与工艺参数的校正值之间的相关信息的存储部，基于施加于所述外周构件的电压来校正工艺参数；以及按照包括校正后的所述工艺参数的工艺条件来执行等离子体处理。
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公开(公告)号：CN109390274A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810877048.9
申请日：2018-08-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种对被处理体进行处理的方法。提供一种抑制绝缘膜的介电常数和尺寸偏差并使布线和通孔微细化的技术。在一个实施方式所涉及的对被处理体进行处理的方法中，被处理体具备具有布线的布线层、设置于布线层上的防扩散膜、设置于防扩散膜上的绝缘膜、设置于绝缘膜上并提供开口的金属掩模，绝缘膜具备通孔，该通孔设置于从开口露出的地方的一部分。该方法具备：第一工序，在被处理体的通孔的侧面形成牺牲膜；以及第二工序，对牺牲膜和绝缘膜进行蚀刻，来在通孔的底面进一步形成通孔，并从该通孔去除牺牲膜。
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