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公开(公告)号:CN116705648A
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN202310143848.9
申请日:2023-02-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供能够抑制在基片形成的图案的倒塌的基片处理系统和基片处理方法。基片处理系统包括:送入送出部,其能够送入送出收容有多个基片的盒;批次处理部,其将包含多个上述基片的基片组以使上述基片各自直立的状态一并进行处理;单片处理部,其将上述基片组的上述基片以水平的状态逐一地进行处理;和接口部,其从上述批次处理部向上述单片处理部交接上述基片,上述接口部具有:将上述基片以使其与纯水接触的状态保持为水平的待机部;和从上述批次处理部向上述待机部交接上述基片的输送机构。
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公开(公告)号:CN119581377A
公开(公告)日:2025-03-07
申请号:CN202411158513.5
申请日:2024-08-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明提供能够从沿着水平方向排列的铅垂姿态的多个基片有选择地接收基片的基片保持构件、基片处理系统和基片输送方法。本发明的一个方式的基片保持构件包括:主体,其具有前端部隔开间隔且根端部相连的第一臂部和第二臂部;第一保持引导件,其固定在第一臂部的前端部,用于保持基片的周缘部;和第二保持引导件,其固定在第二臂部的前端部,用于保持基片的周缘部,第一保持引导件与第二保持引导件之间的长度比基片的直径短,在与第一臂部和第二臂部相同的平面中,在基片位于比被第一保持引导件和第二保持引导件保持的位置靠近根端部的位置的状态下,第一臂部、第二臂部、第一保持引导件和第二保持引导件位于比基片靠径向外侧的位置。
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公开(公告)号:CN118116837A
公开(公告)日:2024-05-31
申请号:CN202311570361.5
申请日:2023-11-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供能够抑制颗粒向基片的附着的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括承载器载置台、基片载置台、单片处理部、第一输送部、基片组载置台、第二输送部、批量处理部和控制部。承载器载置台载置收纳有多个基片的承载器。基片载置台能够载置多个基片。单片处理部逐一地清洗基片。第一输送部在基片载置台与单片处理部之间逐一地输送基片。基片组载置台能够载置包含多个基片的基片组。第二输送部在承载器、基片载置台和基片组载置台之间输送多个基片。批量处理部对基片组一并进行处理。控制部在利用批量处理部处理基片组之前,利用单片处理部清洗基片,使第一输送部和第二输送部从单片处理部经由基片载置台向基片组载置台输送基片。
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公开(公告)号:CN102034727A
公开(公告)日:2011-04-27
申请号:CN201010501399.3
申请日:2010-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67184 , H01L21/67051 , H01L21/67173 , H01L21/67178 , H01L21/67742 , Y10T29/53313 , Y10T29/53365 , Y10T29/534
Abstract: 本发明提供一种能提高生产率且即使发生了不良情况也能抑制装置整体的运转率下降的基板处理装置。在具有与搬运器(C)交接晶圆的搬入搬出臂(B)的基板搬入区的后段侧依次配置有第1处理区(31)、第2处理区(32)和第3处理区(33)。在基板搬入区中设有用于自上述搬入搬出臂(B)将晶圆交接到第1处理区(31)中的交接台(21a、21b)、分别用于将晶圆交接到第2处理区和第3处理区中的交接台(22、23),利用第1直接输送机构(A1)将交接台(22)上的晶圆直接输送到第2处理区(32)中,利用第2直接输送机构(A2)将交接台(23)上的晶圆直接输送到第3处理区(33)中。
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公开(公告)号:CN116631925A
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202310071299.9
申请日:2023-02-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及基板处理系统和基板处理方法。提供一种能够使基板处理系统的生产率提高的技术。本公开的一技术方案的基板处理系统具有:送入送出部,相对于该送入送出部将收纳多张基板的盒送入送出;批量处理部,其成批地处理包括多张所述基板的批次;单张处理部,其逐张地处理所述批次的所述基板;以及接口部,其在所述批量处理部与所述单张处理部之间交接所述基板,所述批量处理部具有:处理槽,其浸渍并处理所述批次;以及第1输送装置,其向所述处理槽输送所述批次,所述接口部具有:浸渍槽,其配置于所述第1输送装置的移动范围外,该浸渍槽浸渍所述批次;以及第2输送装置,其在所述第1输送装置与所述浸渍槽之间交接所述批次。
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公开(公告)号:CN102034727B
公开(公告)日:2014-07-09
申请号:CN201010501399.3
申请日:2010-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67184 , H01L21/67051 , H01L21/67173 , H01L21/67178 , H01L21/67742 , Y10T29/53313 , Y10T29/53365 , Y10T29/534
Abstract: 本发明提供一种能提高生产率且即使发生了不良情况也能抑制装置整体的运转率下降的基板处理装置。在具有与搬运器(C)交接晶圆的搬入搬出臂(B)的基板搬入区的后段侧依次配置有第1处理区(31)、第2处理区(32)和第3处理区(33)。在基板搬入区中设有用于自上述搬入搬出臂(B)将晶圆交接到第1处理区(31)中的交接台(21a、21b)、分别用于将晶圆交接到第2处理区和第3处理区中的交接台(22、23),利用第1直接输送机构(A1)将交接台(22)上的晶圆直接输送到第2处理区(32)中,利用第2直接输送机构(A2)将交接台(23)上的晶圆直接输送到第3处理区(33)中。
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