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公开(公告)号：CN108796470A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810384157.7
申请日：2018-04-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/02 , C23C16/455 , H01L21/285 , H01L21/02
Abstract: 提供一种形成钨膜的方法，该钨膜具有低的电阻。在一个方式中，提供一种形成钨膜的方法。该方法包括以下工序：在基板上形成包含金属的不连续膜；以及在上面形成了不连续膜的基板上形成钨膜。在形成不连续膜的工序中，例如将第一原料气体和氮化气体交替地同载气一起供给。在形成钨膜的工序中，例如将第二原料气体和还原气体交替地同载气一起供给。
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公开(公告)号：CN110359027B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201910220826.1
申请日：2019-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/14 , C23C16/455 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及钨膜的成膜方法及控制装置。本发明的课题是提供能够在沟槽或孔的内部不产生空隙地成膜为钨膜的技术。基于本公开的一个方式的钨膜的成膜方法是在贯穿部成膜为钨膜的成膜方法，所述贯穿部设置在形成于基底表面的膜上以使基底的表面露出，所述钨膜的成膜方法具备如下工序：在前述贯穿部形成由过渡金属的氮化物形成的阻挡金属膜，以使其在前述基底的露出面上比在前述贯穿部的侧壁上还厚地成膜的工序；和，供给氯化钨气体及对氯化钨气体进行还原的还原气体，在前述基底的露出面选择性地形成钨膜的工序。
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公开(公告)号：CN114375347A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202080064090.4
申请日：2020-09-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/14 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/02
Abstract: 在向保存基板的处理容器供给处理气体来进行处理的气体供给装置中，具备：原料容器，其收容液体或固体的原料；载气供给部，其用于向所述原料容器内供给载气；气体供给路，其从所述原料容器向所述处理容器供给包含气化后的所述原料和所述载气的处理气体；流量计，其设置于所述气体供给路，以测定所述处理气体的流量；以及被缩窄的流路，其在所述气体供给路中设置于所述流量计的下游侧，以使该气体供给路中的、所述被缩窄的流路与所述流量计之间的压力的平均值上升。
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公开(公告)号：CN111554577B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202010078882.9
申请日：2020-02-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/205 , C23C16/02 , C23C16/14
Abstract: 本发明提供一种使低电阻的钨膜成膜的基板处理方法和成膜系统。一种基板处理方法，其具备如下工序：准备在表面形成有自然氧化膜的基板的工序；实施作为去除所述自然氧化膜的处理的前处理的工序；以及将载置所述基板的载物台的温度加热到预定的温度，向实施了所述前处理之后的所述基板供给氯化钨气体和还原气体而在所述基板直接使钨膜成膜的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111554577A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010078882.9
申请日：2020-02-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/205 , C23C16/02 , C23C16/14
Abstract: 本发明提供一种使低电阻的钨膜成膜的基板处理方法和成膜系统。一种基板处理方法，其具备如下工序：准备在表面形成有自然氧化膜的基板的工序；实施作为去除所述自然氧化膜的处理的前处理的工序；以及将载置所述基板的载物台的温度加热到预定的温度，向实施了所述前处理之后的所述基板供给氯化钨气体和还原气体而在所述基板直接使钨膜成膜的工序。
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公开(公告)号：CN108796470B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201810384157.7
申请日：2018-04-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/02 , C23C16/455 , H01L21/285 , H01L21/02
Abstract: 提供一种形成钨膜的方法，该钨膜具有低的电阻。在一个方式中，提供一种形成钨膜的方法。该方法包括以下工序：在基板上形成包含金属的不连续膜；以及在上面形成了不连续膜的基板上形成钨膜。在形成不连续膜的工序中，例如将第一原料气体和氮化气体交替地同载气一起供给。在形成钨膜的工序中，例如将第二原料气体和还原气体交替地同载气一起供给。
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公开(公告)号：CN108807166A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810384783.6
申请日：2018-04-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C16/14 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/0281 , C23C16/045 , C23C16/08 , C23C16/14 , C23C16/45527 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L21/28506 , C23C16/45553
Abstract: 提供一种形成钨膜的方法，该钨膜具有低的电阻。形成钨膜的方法包括以下工序：在基板上形成第一钨膜的工序；以及在第一钨膜上形成第二钨膜的工序。在形成第一钨膜的工序中，将含有钨的原料气体和乙硼烷气体交替地同第一载气一起供给到基板。在形成第二钨膜的工序中，将含有钨的原料气体和氢气交替地同第二载气一起供给到具有第一钨膜的基板。第一载气为氮气。第二载气由至少一种非活性气体构成，以第二载气的全部流量的70％以上的流量的比例含有稀有气体。
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公开(公告)号：CN108807166B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201810384783.6
申请日：2018-04-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C16/14 , C23C16/455
Abstract: 提供一种形成钨膜的方法，该钨膜具有低的电阻。形成钨膜的方法包括以下工序：在基板上形成第一钨膜的工序；以及在第一钨膜上形成第二钨膜的工序。在形成第一钨膜的工序中，将含有钨的原料气体和乙硼烷气体交替地同第一载气一起供给到基板。在形成第二钨膜的工序中，将含有钨的原料气体和氢气交替地同第二载气一起供给到具有第一钨膜的基板。第一载气为氮气。第二载气由至少一种非活性气体构成，以第二载气的全部流量的70％以上的流量的比例含有稀有气体。
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公开(公告)号：CN110359027A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910220826.1
申请日：2019-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/14 , C23C16/455 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及钨膜的成膜方法及控制装置。本发明的课题是提供能够在沟槽或孔的内部不产生空隙地成膜为钨膜的技术。基于本公开的一个方式的钨膜的成膜方法是在贯穿部成膜为钨膜的成膜方法，所述贯穿部设置在形成于基底表面的膜上以使基底的表面露出，所述钨膜的成膜方法具备如下工序：在前述贯穿部形成由过渡金属的氮化物形成的阻挡金属膜，以使其在前述基底的露出面上比在前述贯穿部的侧壁上还厚地成膜的工序；和，供给氯化钨气体及对氯化钨气体进行还原的还原气体，在前述基底的露出面选择性地形成钨膜的工序。
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