公开(公告)号：CN103155115A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180012663.X

申请日：2011-03-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小野胜之 ,  平山祐介 ,  羽藤秀幸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/485 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，其能够使孔形状为垂直来实现微细化，并且与现有技术相比能够减少工序，能够实现生产率的提高。该半导体装置的制造方法具备：在基板形成孔的孔形成工序；在上述孔内形成聚酰亚胺膜的聚酰亚胺膜形成工序；等离子体蚀刻工序，不使用覆盖上述孔内的侧壁部的上述聚酰亚胺膜的掩膜，对基板进行各向异性蚀刻，在残留有上述孔内的侧壁部的上述聚酰亚胺膜的状态下，除去上述孔内的底部的上述聚酰亚胺膜的至少一部分，使上述孔贯穿；和对上述孔内填充导电金属的导电金属填充工序。

公开(公告)号：CN103155115B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201180012663.X

申请日：2011-03-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小野胜之 ,  平山祐介 ,  羽藤秀幸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/485 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，其能够使孔形状为垂直来实现微细化，并且与现有技术相比能够减少工序，能够实现生产率的提高。该半导体装置的制造方法具备：在基板形成孔的孔形成工序；在上述孔内形成聚酰亚胺膜的聚酰亚胺膜形成工序；等离子体蚀刻工序，不使用覆盖上述孔内的侧壁部的上述聚酰亚胺膜的掩膜，对基板进行各向异性蚀刻，在残留有上述孔内的侧壁部的上述聚酰亚胺膜的状态下，除去上述孔内的底部的上述聚酰亚胺膜的至少一部分，使上述孔贯穿；和对上述孔内填充导电金属的导电金属填充工序。