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公开(公告)号：CN119585856A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380055367.0
申请日：2023-07-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 公开的基片支承器包括：第一层；和电介质制的第二层，其配置在第一层上，包含基片支承面和至少1个吸附电极，且具有比第一层高的体积电阻值。第一层包含：第一区域，其与第二层接触，具有第一热传导率；第二区域，其具有比第一热传导率高的第二热传导率，第一区域配置在该第二区域与第二层之间；和变化区域，其配置在第一区域与第二区域之间，具有以随着从第一区域向第二区域去的方向上的自第一区域起的距离的增加而接近第二热传导率的方式在第一热传导率与第二热传导率之间的范围内变化的热传导率。
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公开(公告)号：CN1768341A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200480008608.3
申请日：2004-03-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , C23C16/4404 , H01J37/32477 , H01L21/68757
Abstract: 被施加于一个等离子体处理系统的处理元件上的两个或更多个覆层用保护阻挡层或者覆层处理。描述了一种用于邻接在所述处理元件上的两个或更多个覆层的方法。施加第一保护阻挡层之后，对所述第一保护阻挡层的一部分进行处理。然后将第二保护阻挡层施加于一个区域的至少一部分上，该区域即是施加了所述第一保护阻挡层的区域。
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公开(公告)号：CN116072586A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211285567.9
申请日：2022-10-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供基片支承器、等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够适当地调节支承于基片支承器的基片的温度，即使在高温区域中也能够维持静电吸附。本发明的支承基片的基片支承器包括：基座；上述基座上的第一陶瓷层；和上述第一陶瓷层上的第二陶瓷层，上述第一陶瓷层包括：第一陶瓷制的第一基体部；和内置于上述第一基体部，用于调节上述基片的温度的多个加热电极，上述第二陶瓷层包括：与上述第一陶瓷不同的第二陶瓷制的第二基体部；和内置于上述第二基体部，用于保持上述基片的吸附电极。
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公开(公告)号：CN101410941A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780011322.4
申请日：2007-02-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/6875
Abstract: 本发明描述了用于去除光刻胶和在刻蚀工艺期间形成的刻蚀残余物的刻蚀后处理系统。例如，刻蚀残余物可以包括含卤素材料。刻蚀后处理系统包括真空室、耦合到真空室的自由基产生系统、耦合到自由基参数系统并被配置来将反应自由基分配在衬底上方的自由基气体分配系统、以及耦合到真空室并被配置来支撑衬底的高温支座。高温支座包括被配置来最小化衬底滑动的刻槽上表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101410941B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200780011322.4
申请日：2007-02-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/6875
Abstract: 本发明描述了用于去除光刻胶和在刻蚀工艺期间形成的刻蚀残余物的刻蚀后处理系统。例如，刻蚀残余物可以包括含卤素材料。刻蚀后处理系统包括真空室、耦合到真空室的自由基产生系统、耦合到自由基参数系统并被配置来将反应自由基分配在衬底上方的自由基气体分配系统、以及耦合到真空室并被配置来支撑衬底的高温支座。高温支座包括被配置来最小化衬底滑动的刻槽上表面。
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公开(公告)号：CN100495413C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200480008608.3
申请日：2004-03-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , C23C16/4404 , H01J37/32477 , H01L21/68757
Abstract: 被施加于一个等离子体处理系统的处理元件上的两个或更多个覆层用保护阻挡层或者覆层处理。描述了一种用于邻接在所述处理元件上的两个或更多个覆层的方法。施加第一保护阻挡层之后，对所述第一保护阻挡层的一部分进行处理。然后将第二保护阻挡层施加于一个区域的至少一部分上，该区域即是施加了所述第一保护阻挡层的区域。
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公开(公告)号：CN115775716A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211052630.4
申请日：2022-08-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够在支承基片的基片支承体组件中提高高温区域中的温度控制性的基片支承体组件和等离子体处理装置。基片支承体组件包括：基座，在该基座中形成有温度调节介质用的流路；用于支承基片的基片支承体，其具有设置在基座上的电极板和设置在电极板上的静电卡盘；用于对基片进行加热的加热器；设置在基座与电极板之间的弹性部件，其能够使基片支承体与基座隔开间隔，并且与基座和电极板一起形成用于向基座与电极板之间供给传热气体的传热空间；紧固部件，其能够以在基座与电极板之间夹持有弹性部件的状态将基座和电极板紧固；和隔热部，其能够抑制基座与电极板之间的经由弹性部件的传热。
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公开(公告)号：CN107039326B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201610849464.9
申请日：2016-09-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置用的载置台。一实施方式的载置台包括冷却台、供电体、静电吸盘、第一弹性部件和紧固部件。供电体是铝或者铝合金制，为了传送来自高频电源的高频电力而与冷却台连接。静电吸盘的基座具有导电性。吸附部是陶瓷制，内置有吸附用电极和加热器。吸附部通过金属接合与基座结合。第一弹性部件设置在冷却台与基座之间，使静电吸盘与冷却台隔开间隔。第一弹性部件与冷却台和基座一起形成用于对冷却台与基座之间供给传热气体的传热空间。紧固部件是金属制，与冷却台和基座接触，将基座和第一弹性部件挟持在冷却台与紧固部件之间。
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公开(公告)号：CN107039326A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610849464.9
申请日：2016-09-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置用的载置台。一实施方式的载置台包括冷却台、供电体、静电吸盘、第一弹性部件和紧固部件。供电体是铝或者铝合金制，为了传送来自高频电源的高频电力而与冷却台连接。静电吸盘的基座具有导电性。吸附部是陶瓷制，内置有吸附用电极和加热器。吸附部通过金属接合与基座结合。第一弹性部件设置在冷却台与基座之间，使静电吸盘与冷却台隔开间隔。第一弹性部件与冷却台和基座一起形成用于对冷却台与基座之间供给传热气体的传热空间。紧固部件是金属制，与冷却台和基座接触，将基座和第一弹性部件挟持在冷却台与紧固部件之间。
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