公开(公告)号：CN100495413C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200480008608.3

申请日：2004-03-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： G·埃舍尔 ,  M·A·艾伦 ,  工藤恭久

IPC: G06F19/00 ,  H01R24/00 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C16/4404 ,  H01J37/32477 ,  H01L21/68757

Abstract: 被施加于一个等离子体处理系统的处理元件上的两个或更多个覆层用保护阻挡层或者覆层处理。描述了一种用于邻接在所述处理元件上的两个或更多个覆层的方法。施加第一保护阻挡层之后，对所述第一保护阻挡层的一部分进行处理。然后将第二保护阻挡层施加于一个区域的至少一部分上，该区域即是施加了所述第一保护阻挡层的区域。

公开(公告)号：CN1768341A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200480008608.3

申请日：2004-03-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： G·埃舍尔 ,  M·A·艾伦 ,  工藤恭久

IPC: G06F19/00 ,  H01R24/00 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C16/4404 ,  H01J37/32477 ,  H01L21/68757

Abstract: 被施加于一个等离子体处理系统的处理元件上的两个或更多个覆层用保护阻挡层或者覆层处理。描述了一种用于邻接在所述处理元件上的两个或更多个覆层的方法。施加第一保护阻挡层之后，对所述第一保护阻挡层的一部分进行处理。然后将第二保护阻挡层施加于一个区域的至少一部分上，该区域即是施加了所述第一保护阻挡层的区域。