周缘曝光装置、涂敷显影装置及周缘曝光方法

    公开(公告)号:CN1862387A

    公开(公告)日:2006-11-15

    申请号:CN200610080318.0

    申请日:2006-05-09

    CPC classification number: G03F7/2022 G03F7/2026 G03F7/2028 H01L21/67005

    Abstract: 本发明中包括:第1光路形成部件和第2光路形成部件,各自的入口侧配置在来自光源的光电子束的通路内;第1放置台,放置基板,绕垂直轴自由旋转,并且基板的周缘部位于来自第1光路形成部件的出口侧的光电子束照射区域;第2放置台,基板的周缘部位于来自第2光路形成部件的出口侧的光电子束照射区域;遮光机构,用于遮挡来自第1和第2光路形成部件的光的照射。由于可例如可采用共通的光源对第1放置台和第2放置台上的基板进行周缘曝光,所以具有较强的处理能力,并且能够抑制装置的大型化。

    基片处理装置和基片处理方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113725117A

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN202110527440.2

    申请日:2021-05-14

    Abstract: 本发明提供能够利用臭氧水高效地处理基片的基片处理装置和基片处理方法。本发明的一个方式的基片处理装置包括基片旋转部、臭氧水释放部、加压部和控制部。基片旋转部保持基片并使之旋转。臭氧水释放部具有基片的半径以上的长度,能够对基片释放臭氧水。加压部在比臭氧水释放部靠上游侧处将臭氧水加压到比大气压高的压力。控制部控制各部。此外,控制部对由基片旋转部保持的基片旋转释放臭氧水,在释放了臭氧水之后使向基片的臭氧水的释放流量减少。在使臭氧水的释放流量减少之后使对基片释放的臭氧水的释放流量增加。此外,控制部至少在使对基片释放的臭氧水的释放流量减少时,使基片旋转。

    周缘曝光装置、涂敷显影装置及周缘曝光方法

    公开(公告)号:CN100465795C

    公开(公告)日:2009-03-04

    申请号:CN200610080318.0

    申请日:2006-05-09

    CPC classification number: G03F7/2022 G03F7/2026 G03F7/2028 H01L21/67005

    Abstract: 本发明中包括:第1光路形成部件和第2光路形成部件,各自的入口侧配置在来自光源的光电子束的通路内;第1放置台,放置基板,绕垂直轴自由旋转,并且基板的周缘部位于来自第1光路形成部件的出口侧的光电子束照射区域;第2放置台,基板的周缘部位于来自第2光路形成部件的出口侧的光电子束照射区域;遮光机构,用于遮挡来自第1和第2光路形成部件的光的照射。由于可例如可采用共通的光源对第1放置台和第2放置台上的基板进行周缘曝光,所以具有较强的处理能力,并且能够抑制装置的大型化。

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