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公开(公告)号:CN1906748A
公开(公告)日:2007-01-31
申请号:CN200580001445.0
申请日:2005-10-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67769 , H01L21/67109 , Y10S414/14
Abstract: 一种立式热处理装置,包括:将收纳有多片被处理体(W)的搬运容器(2)搬入以及搬出该立式热处理装置用的至少一个搬入搬出部(3、4);保管通过该搬入搬出部而搬入该立式热处理装置内的多个搬运容器的第一保管部(5);收纳多段保持有多片被处理体的保持件(6),并对被处理体实施规定热处理的热处理炉(7);和为了在上述保持件与搬运容器之间移载被处理体而承载搬运容器的移载部(8);其中,作为所述搬入搬出部,设置有上段的搬入搬出部(3)和下段的搬入搬出部(4),同时,在上段和下段的搬入搬出部之间设置有保管搬运容器的第二保管部(20)。上述搬入搬出部(3,4)中的至少一个作为保管搬运容器(2)的第三保管部(30)。可实现在不增大占用面积的条件下增加搬运容器的保管数量,并实现生产率的提高。
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公开(公告)号:CN100403509C
公开(公告)日:2008-07-16
申请号:CN200580001445.0
申请日:2005-10-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67769 , H01L21/67109 , Y10S414/14
Abstract: 一种立式热处理装置,包括:将收纳有多片被处理体(W)的搬运容器(2)搬入以及搬出该立式热处理装置用的至少一个搬入搬出部(3、4);保管通过该搬入搬出部而搬入该立式热处理装置内的多个搬运容器的第一保管部(5);收纳多段保持有多片被处理体的保持件(6),并对被处理体实施规定热处理的热处理炉(7);和为了在上述保持件与搬运容器之间移载被处理体而承载搬运容器的移载部(8);其中,作为所述搬入搬出部,设置有上段的搬入搬出部(3)和下段的搬入搬出部(4),同时,在上段和下段的搬入搬出部之间设置有保管搬运容器的第二保管部(20)。上述搬入搬出部(3,4)中的至少一个作为保管搬运容器(2)的第三保管部(30)。可实现在不增大占用面积的条件下增加搬运容器的保管数量,并实现生产率的提高。
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公开(公告)号:CN100399517C
公开(公告)日:2008-07-02
申请号:CN02808797.6
申请日:2002-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/205 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/45578 , C23C16/4583 , C30B35/00
Abstract: 本发明的气相生长装置具有在内部配置有基板的反应容器和第1气体导入部及第2气体导入部,其中第1气体导入部具有在上述反应容器内开口的、形成有气体喷出口的第1气体导入管,该第1气体导入部用于将由含有机金属的气体构成的第1气体供给上述反应容器内,第2气体导入部具有在上述反应容器内开口的、形成有气体喷出口的第2气体导入管,该第2气体导入部用于将与上述含有机金属的气体发生反应、并且比上述含有机金属的气体的密度小的第2气体,供给上述反应容器内。第1气体导入管的气体喷出口和第2气体导入管的气体喷出口沿着配置在上述反应容器内的基板的外周进行配置。
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公开(公告)号:CN100505167C
公开(公告)日:2009-06-24
申请号:CN02822002.1
申请日:2002-09-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/67098
Abstract: 本发明提供一种热处理装置,包括:上端部形成有开口部的加热炉主体;该开口部处设置的加热炉主体用罩盖部件;设置在加热炉主体内壁处的加热组件;收装在加热炉主体内部处、单管构成的反应容器;形成在反应容器上部、贯通所述罩盖部件的排气配管连接部;和设置在排气配管连接部周围、控制排气配管连接部温度的第一温度控制组件,排气配管连接部处连接有排出反应容器内的气体的排气配管,排气配管连接部的端部处和排气配管的端部处都形成有凸缘部,排气配管连接部端部处与排气配管端部处的凸缘部被连接,在排气配管连接部的端部处的凸缘部和排气配管端部处的凸缘部中的至少一个上设置有对凸缘部彼此连接部分处的温度实施控制用的第三温度控制组件。
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公开(公告)号:CN1608312A
公开(公告)日:2005-04-20
申请号:CN02822002.1
申请日:2002-09-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/67098
Abstract: 本发明提供了一种热处理装置,它包括:在上端部形成有开口部的加热炉主体:设置在所述加热炉主体内壁处的加热组件;收装在所述加热炉主体内部处的、由单管构成的反应容器:形成在所述反应容器上部处的排气配管连接部;以及设置在所述排气配管连接部周围位置处的第一温度控制组件。
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公开(公告)号:CN1526160A
公开(公告)日:2004-09-01
申请号:CN02808797.6
申请日:2002-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/205 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/45578 , C23C16/4583 , C30B35/00
Abstract: 本发明的气相生长装置具有在内部配置有基板的反应容器和第1气体导入部及第2气体导入部,其中第1气体导入部具有在上述反应容器内开口的、形成有气体喷出口的第1气体导入管,该第1气体导入部用于将由含有机金属的气体构成的第1气体供给上述反应容器内,第2气体导入部具有在上述反应容器内开口的、形成有气体喷出口的第2气体导入管,该第2气体导入部用于将与上述含有机金属的气体发生反应、并且比上述含有机金属的气体的密度小的第2气体,供给上述反应容器内。第1气体导入管的气体喷出口和第2气体导入管的气体喷出口沿着配置在上述反应容器内的基板的外周进行配置。
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公开(公告)号:CN2573509Y
公开(公告)日:2003-09-17
申请号:CN02282982.2
申请日:2002-09-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/67098
Abstract: 本实用新型提供了一种热处理装置,它包括:在上端部形成有开口部的加热炉主体;设置在所述加热炉主体内壁处的加热组件;收装在所述加热炉主体内部处的、由单管构成的反应容器;形成在所述反应容器上部处的排气配管连接部;以及设置在所述排气配管连接部周围位置处的第一温度控制组件。所述排气配管连接部呈弯曲形式。
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