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公开(公告)号：CN119968696A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202480003929.1
申请日：2024-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供能够提高选择比的蚀刻方法。本发明的蚀刻方法在包括腔室的等离子体处理装置中执行，包括：工序（a），在配置于腔室内的基片支承部上准备基片，其中，基片在俯视时包括多个第一区域和位于第一区域之间的至少一个第二区域，基片包括含硅和氮的第一膜，第一膜配置于多个第一区域，并且在至少一个第二区域包含凹部，在凹部配置有第二膜；工序（b），向腔室内供给包含第一气体和第二气体的处理气体，其中，第一气体含金属和氟，第二气体能够捕获含氟的活性种；和工序（c），在工序（b）的执行期间，使用具有第一频率的生成源RF信号从处理气体生成等离子体，至少在凹部相对于第一膜有选择地蚀刻第二膜。
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