公开(公告)号：CN1540738A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN200410034165.7

申请日：2004-04-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 远藤升佐 ,  岩渕纪之 ,  加藤茂昭 ,  大久保智也 ,  广濑润 ,  长仓幸一 ,  輿水地盐 ,  传宝一树

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。

公开(公告)号：CN101303997A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810001388.1

申请日：2004-04-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 远藤升佐 ,  岩渕纪之 ,  加藤茂昭 ,  大久保智也 ,  广瀬润 ,  长仓幸一 ,  輿水地盐 ,  传宝一树

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  C30B25/12

Abstract: 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。

公开(公告)号：CN101303998B

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200810001389.6

申请日：2004-04-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 远藤升佐 ,  岩渕纪之 ,  加藤茂昭 ,  大久保智也 ,  广瀬润 ,  长仓幸一 ,  輿水地盐 ,  传宝一树

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  C30B25/12

Abstract: 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。

公开(公告)号：CN101303997B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810001388.1

申请日：2004-04-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 远藤升佐 ,  岩渕纪之 ,  加藤茂昭 ,  大久保智也 ,  广瀬润 ,  长仓幸一 ,  輿水地盐 ,  传宝一树

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  C30B25/12

Abstract: 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。

公开(公告)号：CN101303998A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810001389.6

申请日：2004-04-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 远藤升佐 ,  岩渕纪之 ,  加藤茂昭 ,  大久保智也 ,  广瀬润 ,  长仓幸一 ,  輿水地盐 ,  传宝一树

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  C30B25/12

Abstract: 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。

公开(公告)号：CN100375261C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200410034165.7

申请日：2004-04-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 远藤升佐 ,  岩渕纪之 ,  加藤茂昭 ,  大久保智也 ,  广濑润 ,  长仓幸一 ,  輿水地盐 ,  传宝一树

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。

公开(公告)号：CN1779906A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510117318.9

申请日：2005-11-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 贝濑精一 ,  岩渕纪之 ,  加藤茂昭 ,  中村博 ,  横内健 ,  柴田真理子 ,  小尾章

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  G05B19/418

CPC classification number: Y02P90/02 ,  Y02P90/30

Abstract: 提供一种可以使处理效率飞跃地提高的基板处理方法。作为晶片处理的基板处理方法，在具有基板处理装置(2)、大气输送装置(3)以及负载锁定室(4)的基板处理系统(1)中执行，具有输送半导体晶片W的基板输送工序(工序S43和S49)、和对半导体晶片W进行蚀刻处理的基板处理工序(工序S44～S48)，基板输送工序和基板处理工序由多个动作构成，该基板处理方法，使构成各工序的多个动作中的至少2个动作并行地执行。