公开(公告)号：CN1779906A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510117318.9

申请日：2005-11-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 贝濑精一 ,  岩渕纪之 ,  加藤茂昭 ,  中村博 ,  横内健 ,  柴田真理子 ,  小尾章

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  G05B19/418

CPC classification number: Y02P90/02 ,  Y02P90/30

Abstract: 提供一种可以使处理效率飞跃地提高的基板处理方法。作为晶片处理的基板处理方法，在具有基板处理装置(2)、大气输送装置(3)以及负载锁定室(4)的基板处理系统(1)中执行，具有输送半导体晶片W的基板输送工序(工序S43和S49)、和对半导体晶片W进行蚀刻处理的基板处理工序(工序S44～S48)，基板输送工序和基板处理工序由多个动作构成，该基板处理方法，使构成各工序的多个动作中的至少2个动作并行地执行。