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公开(公告)号：CN101303997A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810001388.1
申请日：2004-04-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23F4/00 , C30B25/12
Abstract: 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。
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公开(公告)号：CN100520382C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200410034708.5
申请日：2004-04-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G01N21/68 , H01J37/32174 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01L21/31116
Abstract: 本发明提供一种即使在低电子密度条件或高压力条件下也可正确测定等离子体中的电子密度的等离子体监测方法。该等离子体电子密度测定装置在测定部54中具备矢量式的网络分析器68。由该网络分析器68测定复数表示的反射系数，取得其虚部的频率特性，并且测量控制部74读取复数反射系数的虚部零交叉点的谐振频率，根据谐振频率算出电子密度的测定值。
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公开(公告)号：CN1540323A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410034708.5
申请日：2004-04-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G01N21/68 , H01J37/32174 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01L21/31116
Abstract: 本发明提供一种即使在低电子密度条件或高压力条件下也可正确测定等离子体中的电子密度的等离子体监测方法。该等离子体电子密度测定装置在测定部54中具备矢量式的网络分析器68。由该网络分析器68测定复数表示的反射系数，取得其虚部的频率特性，并且测量控制部74读取复数反射系数的虚部零交叉点的谐振频率，根据谐振频率算出电子密度的测定值。
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公开(公告)号：CN102378462A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110225828.3
申请日：2011-08-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 輿水地盐
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/32623
Abstract: 本发明提供能够根据功率生成与RF天线一一对应的等离子体，并能够任意地控制处理室内的等离子体分布的等离子体处理装置。包括：对基板(G)实施等离子体处理的可排真空的腔室(11)；在腔室(11)内载置基板(G)的基座(12)；配置成隔着基座(12)与处理空间(S)相对的电介质窗(30)；在隔着电介质窗(30)与处理空间相邻的空间内设置的多个或多重RF天线(30a、30b)；将处理气体供给处理空间(S)的气体供给部(37、36)；和将高频(RFH)施加到多个或多重RF天线(30a、30b)通过感应耦合在处理空间(S)内产生等离子体的高频电源，作为感应磁场合成机构，在与多个或多重RF天线相互间对应的电介质窗的下表面设置由电介质形成的突出部(34)。
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公开(公告)号：CN102056396A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010525423.7
申请日：2010-10-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32174 , H01J37/3244 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/6831 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，在电感耦合型的等离子体处理装置中，提高方位角方向乃至径向的等离子体密度分布的均匀性或控制性。在该电感耦合型等离子体蚀刻装置中，设置在腔室(10)的顶部的电介质壁(52)上的RF天线(54)，在天线室(56)内离开电介质窗(52)配置在其上方，具有与来自高频供电部(58)的RF供电线(60)、(68)连接的一次线圈(62)，和在能够通过电磁感应与一次线圈(62)耦合、且比该一次线圈(62)更靠近电介质窗(52)的下表面(与处理空间相对的面)的位置上配置的二次线圈(64)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101303998A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810001389.6
申请日：2004-04-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23F4/00 , C30B25/12
Abstract: 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。
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公开(公告)号：CN100375261C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200410034165.7
申请日：2004-04-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32082 , H01J37/32642 , H01L21/6831
Abstract: 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。
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公开(公告)号：CN102376521B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201110235895.3
申请日：2011-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32596 , H01J37/32697
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体控制方法，能够任意地控制处理室内的等离子体分布，还能够使处理室内的等离子体密度均匀化，对基板实施均匀的等离子体处理。该等离子体处理装置包括：对晶片(W)实施规定的等离子体处理的能够进行真空排气的腔室(11)；在腔室(11)内载置晶片(W)的基座(12)；被设置成隔着处理空间(S)与基座(12)相对的上部电极板(30a)；对基座(12)和上部电极(30a)中的一个施加高频电力，以在处理空间(S)内产生等离子体的高频电源(20)；以及与处理空间(S)相对的内壁构成部件，在与处理空间(S)的周边部相对的上部电极(30a)设置有空心阴极(31a～31c)，设置有空心阴极(31a～31c)的上部电极(30a)与鞘电压调整用的直流电源(37)连接。
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公开(公告)号：CN102592936B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201210003658.9
申请日：2012-01-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32 , H01J37/02
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32724
Abstract: 本发明提供一种能够防止在温度差大的两个部件的缝隙中堆积物附着到低温的部件的聚焦环。聚焦环(25)包围配置于基板处理装置(10)的腔室(11)内的晶片(W)的边缘，内侧聚焦环(25a)和外侧聚焦环(25b)构成聚焦环(25)，内侧聚焦环(25a)与晶片(W)邻接地配置且被冷却，外侧聚焦环(25b)包围内侧聚焦环(25a)且不被冷却，块部件(25c)配置于内侧聚焦环(25a)和外侧聚焦环(25b)之间。
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公开(公告)号：CN102376521A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110235895.3
申请日：2011-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32596 , H01J37/32697
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体控制方法，能够任意地控制处理室内的等离子体分布，还能够使处理室内的等离子体密度均匀化，对基板实施均匀的等离子体处理。该等离子体处理装置包括：对晶片(W)实施规定的等离子体处理的能够进行真空排气的腔室(11)；在腔室(11)内载置晶片(W)的基座(12)；被设置成隔着处理空间(S)与基座(12)相对的上部电极板(30a)；对基座(12)和上部电极(30a)中的一个施加高频电力，以在处理空间(S)内产生等离子体的高频电源(20)；以及与处理空间(S)相对的内壁构成部件，在与处理空间(S)的周边部相对的上部电极(30a)设置有空心阴极(31a～31c)，设置有空心阴极(31a～31c)的上部电极(30a)与鞘电压调整用的直流电源(37)连接。
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