基片处理装置和基片处理装置的维护方法

    公开(公告)号:CN115775717A

    公开(公告)日:2023-03-10

    申请号:CN202211063951.4

    申请日:2022-09-01

    Abstract: 本发明提供能够容易地维护基片处理装置的内壁部件的技术。本发明的基片处理装置包括腔室、基片支承器、支承部件、内壁部件、接触部件和致动器。基片支承器设置在腔室内。支承部件设置在基片支承器的上方。内壁部件包括能够配置在基片支承器的上方且支承部件的下方的顶部。接触部件安装在支承部件和内壁部件中的一者。接触部件构成为,通过对支承部件和内壁部件中的另一者施加水平方向的弹簧反作用力,将内壁部件可拆装地固定在支承部件。致动器构成为使内壁部件向下方移动而解除内壁部件相对于支承部件的固定。

    静电吸盘和等离子体处理装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118451541A

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202280076601.3

    申请日:2022-11-17

    Inventor: 伊藤功英

    Abstract: 本发明提供一种静电吸盘,其包括:载置基片和/或边缘环的载置部;设置在上述载置部的内部的、将上述基片和/或边缘环静电吸附的静电电极;和在上述载置部的内部配置在与上述静电电极的配置面不同的面的电极,在上述载置部形成有贯通上述载置部的上表面和下表面的贯通孔,上述电极的至少一部分配置在上述静电电极与上述贯通孔之间。

    等离子体处理装置和内腔室
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116031128A

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202211265473.5

    申请日:2022-10-17

    Inventor: 伊藤功英

    Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和内腔室,其能够降低基片处理空间内的径向上的气体的流速的不均。所公开的等离子体处理装置在外腔室内包括基片支承部、上部电极、内腔室和排气装置。基片支承部设置于外腔室内。上部电极设置在基片支承部的上方。内腔室在基片支承部上划分出基片处理空间。排气装置与设置于外腔室的底部的排气口连接。内腔室包括顶部和侧壁部。顶部在基片处理空间上延伸,提供多个气孔,与上部电极一起构成喷淋头。侧壁部以包围基片处理空间的方式在周向上延伸,提供多个贯通孔。侧壁部具有沿着从其下端去往上端的方向阶梯地或连续地增加的开口面积。

    等离子体处理装置、基片处理系统和固定件

    公开(公告)号:CN119856260A

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202480003950.1

    申请日:2024-06-13

    Abstract: 本发明提供一种使等离子体处理装置、基片处理系统的构成部件之间的拆装变得容易的技术。本发明提供一种包括腔室的等离子体处理装置。该装置包括:第一部件;第二部件;和固定件,其构成为能够将第一部件和第二部件以沿着轴向可拆装的方式固定在一起,该固定件包括固定于第一部件的凸型部件和固定于第二部件并且构成为能够接收凸型部件的凹型部件。凸型部件包括在轴向上延伸且在前端扩径的轴部件。凸型部件包括:固定于第二部件的收纳部件;配置于收纳部件内的保持部件;和被保持部件保持的球状部件。球状部件构成为当保持部件在轴向且为去往开口的方向的第一方向上移动时,能够被收纳部件的内壁的锥形部分引导而向径向的内侧移动。

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