公开(公告)号：CN101375375A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200780003648.2

申请日：2007-01-29

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 城邦恭 ,  本田智之 ,  花本深雪

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B37/04

CPC classification number: B24B37/205

Abstract: 本发明提供一种研磨垫及研磨装置，所述研磨垫用于在玻璃、半导体、电介质/金属复合体及集成电路等上形成平坦面，在衬底表面不易产生划痕，研磨过程中能够光学性良好地测定研磨状态，同时能够测定是否能均匀地研磨被研磨材料的整个表面。为了解决上述课题，本发明采用以下方法：即，本发明的研磨垫的特征在于，研磨过程中在通过晶圆中心的位置设置连通研磨面和背面的贯通孔，该贯通孔的靠近研磨垫中心的一端距离研磨垫中心为半径的35％以上，该贯通孔在朝向研磨垫中心方向的长度等于或小于与朝向研磨垫中心方向垂直的方向的长度，该贯通孔在朝向研磨垫中心方向的长度为半径的10％以下，与朝向研磨垫中心方向垂直的方向的长度为半径的12.5％以下。

公开(公告)号：CN102026775A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200980116939.1

申请日：2009-05-13

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 城邦恭 ,  花本深雪 ,  桥阪和彦 ,  小林勉 ,  山田淳生

IPC: B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/24 ,  B24B37/22 ,  B24B37/26

Abstract: 本发明涉及一种研磨垫，所述研磨垫由研磨层与缓冲层的层合体形成，上述研磨层的微橡胶A硬度在75度以上，其厚度为0.8mm至3.0mm，上述缓冲层由无发泡弹性体形成，其厚度为0.05mm至1.5mm，上述研磨层的表面上形成至少2种沟组，该2种沟组中的一种为第1沟组，另一种为第2沟组，上述第1沟组的各沟的沟宽为0.5mm至1.2mm，各沟的沟间距为7.5mm至50mm，并且，上述第2沟组的各沟的沟宽为1.5mm至3mm，各沟的沟间距为20mm至50mm，并且，上述第1沟组的各沟及上述第2沟组的各沟在上述研磨层的侧面开口。

公开(公告)号：CN100580885C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200780003648.2

申请日：2007-01-29

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 城邦恭 ,  本田智之 ,  花本深雪

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B37/04

CPC classification number: B24B37/205

Abstract: 本发明提供一种研磨垫及研磨装置，所述研磨垫用于在玻璃、半导体、电介质/金属复合体及集成电路等上形成平坦面，在衬底表面不易产生划痕，研磨过程中能够光学性良好地测定研磨状态，同时能够测定是否能均匀地研磨被研磨材料的整个表面。为了解决上述课题，本发明采用以下方法。即，本发明的研磨垫的特征在于，研磨过程中在通过晶圆中心的位置设置连通研磨面和背面的贯通孔，该贯通孔的靠近研磨垫中心的一端距离研磨垫中心为半径的35%以上，该贯通孔在朝向研磨垫中心方向的长度等于或小于与朝向研磨垫中心方向垂直的方向的长度，该贯通孔在朝向研磨垫中心方向的长度为半径的10%以下，与朝向研磨垫中心方向垂直的方向的长度为半径的12.5%以下。