公开(公告)号：CN1639848A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN03805168.0

申请日：2003-08-26

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 城邦恭 ,  小林勉 ,  桥阪和彦

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B37/205

Abstract: 本发明的目的是，在用于在玻璃、半导体、电介质/金属复合体及集成电路等上形成平坦面的带窗研磨垫或平台孔盖及具有本带窗研磨垫或本平台孔盖的研磨装置及采用本研磨装置的半导体器件的制造方法及研磨方法中，提供一种基板表面擦伤少、研磨中能够良好地光学测定研磨状态的带窗研磨垫或平台孔盖及具有本带窗研磨垫或本平台孔盖的研磨装置及半导体器件的制造方法及研磨方法。是具有研磨层和在形成在该研磨层一部分上的开口部上的用于光学测定研磨状态的透光窗部件的研磨垫，其特征在于，在对该透光窗部件部分的上面的大致整面施加一定荷重时的挤压变形量，大于在对该研磨层部分上面的同一面积施加相同的一定重量时的挤压变形量，通过设定如此的研磨垫，能够达到上述目的。

公开(公告)号：CN102026775A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200980116939.1

申请日：2009-05-13

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 城邦恭 ,  花本深雪 ,  桥阪和彦 ,  小林勉 ,  山田淳生

IPC: B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/24 ,  B24B37/22 ,  B24B37/26

Abstract: 本发明涉及一种研磨垫，所述研磨垫由研磨层与缓冲层的层合体形成，上述研磨层的微橡胶A硬度在75度以上，其厚度为0.8mm至3.0mm，上述缓冲层由无发泡弹性体形成，其厚度为0.05mm至1.5mm，上述研磨层的表面上形成至少2种沟组，该2种沟组中的一种为第1沟组，另一种为第2沟组，上述第1沟组的各沟的沟宽为0.5mm至1.2mm，各沟的沟间距为7.5mm至50mm，并且，上述第2沟组的各沟的沟宽为1.5mm至3mm，各沟的沟间距为20mm至50mm，并且，上述第1沟组的各沟及上述第2沟组的各沟在上述研磨层的侧面开口。

公开(公告)号：CN101501112B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200680055460.8

申请日：2006-07-28

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 田畑宪一 ,  桥阪和彦 ,  杉村正宏 ,  坂本卓夫 ,  上真树 ,  中山裕之 ,  福田诚司

IPC: C08J5/14 ,  C08J9/36 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/24 ,  B24D18/0027 ,  C08F2/38 ,  C08F2/40 ,  C08F265/04 ,  C08F283/00 ,  C08J3/246 ,  C08L33/10 ,  C08L75/00 ,  C08L2205/04 ,  C08L75/04

Abstract: 本发明涉及一种互穿聚合物网络结构体的制造方法，所述互穿聚合物网络结构体的制造方法包含以下工序：使高分子成型体含浸含有烯键式不饱和化合物及自由基聚合引发剂的自由基聚合性组合物的工序、及在含浸该自由基聚合性组合物的高分子成型体的膨润状态下使该烯键式不饱和化合物聚合的工序，其中，在使高分子成型体含浸自由基聚合性组合物的工序之前，将链转移剂及/或自由基聚合抑制剂添加到该自由基聚合性组合物及/或该高分子成型体中。根据本发明可以得到均匀性高的互穿聚合物网络结构体。另外，本发明提供一种研磨时的研磨速度的面内均匀性高、平坦化特性优异、改良了研磨时的垫寿命的研磨垫及其制造方法。

公开(公告)号：CN1315898A

公开(公告)日：2001-10-03

申请号：CN99810343.8

申请日：1999-08-25

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 城邦恭 ,  桥阪和彦 ,  冈哲雄

IPC: B24B37/00

CPC classification number: B24B37/24 ,  B24D3/28

Abstract: 本发明涉及抛光垫,其特征在于,微橡胶A硬度为80度以上,具有平均气泡直径为1000μm以下的气泡,而且密度为0.4－1.1的范围,含有聚氨酯和乙烯基化合物聚合得到的聚合物。本发明涉及的抛光垫,在使半导体基板的局部性的凹凸平整时,抛光速度快,全台阶状变形小,难于产生金属布线上的洼变,难于产生堵塞及表面部分的应变,抛光速度稳定。

公开(公告)号：CN101501112A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200680055460.8

申请日：2006-07-28

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 田畑宪一 ,  桥阪和彦 ,  杉村正宏 ,  坂本卓夫 ,  上真树 ,  中山裕之 ,  福田诚司

IPC: C08J5/14 ,  C08J9/36 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/24 ,  B24D18/0027 ,  C08F2/38 ,  C08F2/40 ,  C08F265/04 ,  C08F283/00 ,  C08J3/246 ,  C08L33/10 ,  C08L75/00 ,  C08L2205/04 ,  C08L75/04

Abstract: 本发明涉及一种互穿聚合物网络结构体的制造方法，所述互穿聚合物网络结构体的制造方法包含以下工序：使高分子成型体含浸含有烯键式不饱和化合物及自由基聚合引发剂的自由基聚合性组合物的工序、及在含浸该自由基聚合性组合物的高分子成型体的膨润状态下使该烯键式不饱和化合物聚合的工序，其中，在使高分子成型体含浸自由基聚合性组合物的工序之前，将链转移剂及/或自由基聚合抑制剂添加到该自由基聚合性组合物及/或该高分子成型体中。根据本发明可以得到均匀性高的互穿聚合物网络结构体。另外，本发明提供一种研磨时的研磨速度的面内均匀性高、平坦化特性优异、改良了研磨时的垫寿命的研磨垫及其制造方法。

公开(公告)号：CN1158165C

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN99810343.8

申请日：1999-08-25

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 城邦恭 ,  桥阪和彦 ,  冈哲雄

IPC: B24B37/00

CPC classification number: B24B37/24 ,  B24D3/28

Abstract: 本发明涉及抛光垫，其特征在于，微橡胶A硬度为80度以上，具有平均气泡直径为1000μm以下的气泡，而且密度为0.4-1.1的范围，含有聚氨酯和乙烯基化合物聚合得到的聚合物。本发明涉及的抛光垫，在使半导体基板的局部性的凹凸平整时，抛光速度快，全台阶状变形小，难于产生金属布线上的洼变，难于产生堵塞及表面部分的应变，抛光速度稳定。