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公开(公告)号：CN1639848A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03805168.0
申请日：2003-08-26
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24B37/205
Abstract: 本发明的目的是，在用于在玻璃、半导体、电介质/金属复合体及集成电路等上形成平坦面的带窗研磨垫或平台孔盖及具有本带窗研磨垫或本平台孔盖的研磨装置及采用本研磨装置的半导体器件的制造方法及研磨方法中，提供一种基板表面擦伤少、研磨中能够良好地光学测定研磨状态的带窗研磨垫或平台孔盖及具有本带窗研磨垫或本平台孔盖的研磨装置及半导体器件的制造方法及研磨方法。是具有研磨层和在形成在该研磨层一部分上的开口部上的用于光学测定研磨状态的透光窗部件的研磨垫，其特征在于，在对该透光窗部件部分的上面的大致整面施加一定荷重时的挤压变形量，大于在对该研磨层部分上面的同一面积施加相同的一定重量时的挤压变形量，通过设定如此的研磨垫，能够达到上述目的。
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公开(公告)号：CN103402706B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280009419.2
申请日：2012-01-30
IPC: B24B37/24 , D06N3/14 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/24 , D06N3/0004 , D06N3/14 , D06N2205/24
Abstract: 本发明提供一种适于精加工用的研磨垫，所述研磨垫用于在硅裸晶片、玻璃、化合物半导体基板及硬盘基板等中形成良好的镜面，所述研磨垫在研磨时被镜面研磨面的划痕·颗粒等缺陷少，而且被镜面研磨面的处理片数多。本发明的研磨垫是在研磨垫用基材上形成利用湿式凝固法得到的以聚氨酯作为主要成分的多孔质聚氨酯层而得到的，所述研磨垫用基材是在由平均单纤维直径为3.0μm以上、且8.0μm以下的极细纤维束形成的无纺布中含浸聚氨酯类弹性体得到的，所述聚氨酯类弹性体相对于研磨垫用基材为20质量％以上、且50质量％以下，所述多孔质聚氨酯层为研磨表面层，具有平均开口直径为10μm以上、且90μm以下的开口，所述研磨垫的压缩弹性模量为0.17MPa以上、且0.32MPa以下。
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公开(公告)号：CN102026775A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200980116939.1
申请日：2009-05-13
Applicant: 东丽株式会社
IPC: B24B37/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种研磨垫，所述研磨垫由研磨层与缓冲层的层合体形成，上述研磨层的微橡胶A硬度在75度以上，其厚度为0.8mm至3.0mm，上述缓冲层由无发泡弹性体形成，其厚度为0.05mm至1.5mm，上述研磨层的表面上形成至少2种沟组，该2种沟组中的一种为第1沟组，另一种为第2沟组，上述第1沟组的各沟的沟宽为0.5mm至1.2mm，各沟的沟间距为7.5mm至50mm，并且，上述第2沟组的各沟的沟宽为1.5mm至3mm，各沟的沟间距为20mm至50mm，并且，上述第1沟组的各沟及上述第2沟组的各沟在上述研磨层的侧面开口。
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公开(公告)号：CN100580885C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200780003648.2
申请日：2007-01-29
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , B24B37/04
CPC classification number: B24B37/205
Abstract: 本发明提供一种研磨垫及研磨装置，所述研磨垫用于在玻璃、半导体、电介质/金属复合体及集成电路等上形成平坦面，在衬底表面不易产生划痕，研磨过程中能够光学性良好地测定研磨状态，同时能够测定是否能均匀地研磨被研磨材料的整个表面。为了解决上述课题，本发明采用以下方法。即，本发明的研磨垫的特征在于，研磨过程中在通过晶圆中心的位置设置连通研磨面和背面的贯通孔，该贯通孔的靠近研磨垫中心的一端距离研磨垫中心为半径的35%以上，该贯通孔在朝向研磨垫中心方向的长度等于或小于与朝向研磨垫中心方向垂直的方向的长度，该贯通孔在朝向研磨垫中心方向的长度为半径的10%以下，与朝向研磨垫中心方向垂直的方向的长度为半径的12.5%以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1099939C
公开(公告)日：2003-01-29
申请号：CN99814332.4
申请日：1999-11-05
Applicant: 东丽株式会社
IPC: B24B37/00
CPC classification number: B24B37/24 , Y10S438/959
Abstract: 本发明涉及抛光装置，其特征在于，微橡胶A硬度为80度以上的抛光层和体积弹性模量为40MPa以上而且拉伸弹性模量为0.1MPa以上20MPa以下的缓冲层的抛光垫、以及将半导体基板固定于抛光头，在抛光平台上固定该抛光垫，使抛光层与半导体基板相对，使所述抛光头或抛光平台或其双方旋转，抛光所述半导体基板。根据本发明，在通过抛光使形成于半导体基板上的绝缘层或金属布线的表面平滑的机械性的平坦化工序中使用的抛光装置或抛光垫中，可以实现使半导体基板整面均匀平坦化甚至在接近晶片边缘处均匀地抛光，而且可以提供在压磨板高旋转速度的条件下、同时实现均匀性和平坦性的技术。
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公开(公告)号：CN103402706A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280009419.2
申请日：2012-01-30
IPC: B24B37/24 , D06N3/14 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/24 , D06N3/0004 , D06N3/14 , D06N2205/24
Abstract: 本发明提供一种适于精加工用的研磨垫，所述研磨垫用于在硅裸晶片、玻璃、化合物半导体基板及硬盘基板等中形成良好的镜面，所述研磨垫在研磨时被镜面研磨面的划痕·颗粒等缺陷少，而且被镜面研磨面的处理片数多。本发明的研磨垫是在研磨垫用基材上形成利用湿式凝固法得到的以聚氨酯作为主要成分的多孔质聚氨酯层而得到的，所述研磨垫用基材是在由平均单纤维直径为3.0μm以上、且8.0μm以下的极细纤维束形成的无纺布中含浸聚氨酯类弹性体得到的，所述聚氨酯类弹性体相对于研磨垫用基材为20质量％以上、且50质量％以下，所述多孔质聚氨酯层为研磨表面层，具有平均开口直径为10μm以上、且90μm以下的开口，所述研磨垫的压缩弹性模量为0.17MPa以上、且0.32MPa以下。
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公开(公告)号：CN101375375A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200780003648.2
申请日：2007-01-29
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , B24B37/04
CPC classification number: B24B37/205
Abstract: 本发明提供一种研磨垫及研磨装置，所述研磨垫用于在玻璃、半导体、电介质/金属复合体及集成电路等上形成平坦面，在衬底表面不易产生划痕，研磨过程中能够光学性良好地测定研磨状态，同时能够测定是否能均匀地研磨被研磨材料的整个表面。为了解决上述课题，本发明采用以下方法：即，本发明的研磨垫的特征在于，研磨过程中在通过晶圆中心的位置设置连通研磨面和背面的贯通孔，该贯通孔的靠近研磨垫中心的一端距离研磨垫中心为半径的35％以上，该贯通孔在朝向研磨垫中心方向的长度等于或小于与朝向研磨垫中心方向垂直的方向的长度，该贯通孔在朝向研磨垫中心方向的长度为半径的10％以下，与朝向研磨垫中心方向垂直的方向的长度为半径的12.5％以下。
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公开(公告)号：CN1330581A
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：CN99814332.4
申请日：1999-11-05
Applicant: 东丽株式会社
IPC: B24B37/00
CPC classification number: B24B37/24 , Y10S438/959
Abstract: 本发明涉及抛光装置,其特征在于,微橡胶A硬度为80度以上的抛光层和体积弹性模量为40Mpa以上而且拉伸弹性模量为0.1Mpa以上20Mpa以下的缓冲层的抛光垫、以及将半导体基板固定于抛光头,在抛光平台上固定该抛光垫,使抛光层与半导体基板相对,使所述抛光头或抛光平台或其双方旋转,抛光所述半导体基板。根据本发明,在通过抛光使形成于半导体基板上的绝缘层或金属布线的表面平滑的机械性的平坦化工序中使用的抛光装置或抛光垫中,可以实现使半导体基板整面均匀平坦化甚至在接近晶片边缘处均匀地抛光,而且可以提供在压磨板高旋转速度的条件下、同时实现均匀性和平坦性的技术。
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