公开(公告)号：CN101375375A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200780003648.2

申请日：2007-01-29

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 城邦恭 ,  本田智之 ,  花本深雪

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B37/04

CPC classification number: B24B37/205

Abstract: 本发明提供一种研磨垫及研磨装置，所述研磨垫用于在玻璃、半导体、电介质/金属复合体及集成电路等上形成平坦面，在衬底表面不易产生划痕，研磨过程中能够光学性良好地测定研磨状态，同时能够测定是否能均匀地研磨被研磨材料的整个表面。为了解决上述课题，本发明采用以下方法：即，本发明的研磨垫的特征在于，研磨过程中在通过晶圆中心的位置设置连通研磨面和背面的贯通孔，该贯通孔的靠近研磨垫中心的一端距离研磨垫中心为半径的35％以上，该贯通孔在朝向研磨垫中心方向的长度等于或小于与朝向研磨垫中心方向垂直的方向的长度，该贯通孔在朝向研磨垫中心方向的长度为半径的10％以下，与朝向研磨垫中心方向垂直的方向的长度为半径的12.5％以下。

公开(公告)号：CN103782371A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201280044522.0

申请日：2012-09-14

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 本田智之 ,  福田诚司 ,  奥田良治

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/20 ,  B24B37/26

CPC classification number: B24B37/26 ,  B24B37/20 ,  B24B37/22 ,  H01L21/304

Abstract: 为了抑制因晶片中央部的研磨速率不足造成的研磨速率的下降和晶片面内均匀性的恶化，研磨垫是至少具有研磨层和垫层的研磨垫，在上述研磨层上设有在厚度方向上贯通的多个孔，并且在上述研磨层的研磨面上设有多个槽；贯通孔率为0.13%以上2.1%以下；上述研磨面与和该研磨面连续的槽侧面所成的角度在两侧面都为105度以上150度以下。

公开(公告)号：CN100580885C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200780003648.2

申请日：2007-01-29

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 城邦恭 ,  本田智之 ,  花本深雪

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B37/04

CPC classification number: B24B37/205

Abstract: 本发明提供一种研磨垫及研磨装置，所述研磨垫用于在玻璃、半导体、电介质/金属复合体及集成电路等上形成平坦面，在衬底表面不易产生划痕，研磨过程中能够光学性良好地测定研磨状态，同时能够测定是否能均匀地研磨被研磨材料的整个表面。为了解决上述课题，本发明采用以下方法。即，本发明的研磨垫的特征在于，研磨过程中在通过晶圆中心的位置设置连通研磨面和背面的贯通孔，该贯通孔的靠近研磨垫中心的一端距离研磨垫中心为半径的35%以上，该贯通孔在朝向研磨垫中心方向的长度等于或小于与朝向研磨垫中心方向垂直的方向的长度，该贯通孔在朝向研磨垫中心方向的长度为半径的10%以下，与朝向研磨垫中心方向垂直的方向的长度为半径的12.5%以下。