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公开(公告)号:CN1125135C
公开(公告)日:2003-10-22
申请号:CN96193491.3
申请日:1996-12-27
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: H01L23/293 , C08K3/01 , C08K5/521 , H01L2924/0002 , C08L63/00 , H01L2924/00
Abstract: 适用于半导体密封的环氧树脂组合物,其中含有环氧树脂(A)、固化剂(B)、无机填充剂(C)、磷酸酯化合物(D),相对于组合物而言,无机填充剂(C)的含量在80%(重量)以上。借助于上述构成,不必使用卤代类阻燃剂、锑类阻燃剂也能得到阻燃性、成形性、可靠性和焊接耐热性优异的半导体密封用环氧树脂组合物。
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公开(公告)号:CN1182447A
公开(公告)日:1998-05-20
申请号:CN96193491.3
申请日:1996-12-27
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: H01L23/293 , C08K3/01 , C08K5/521 , H01L2924/0002 , C08L63/00 , H01L2924/00
Abstract: 适宜于半导体密封的环氧树脂组合物,其中含有环氧树脂(A)、固化剂(B)、无机填充剂(C)、磷酸酯化合物(D),相对于组合物而言,无机填充剂(C)的含量在80%(重量)以上。借助于上述构成,不必使用卤代类阻燃剂、锑类阻燃剂也能得到阻燃性、成型性、可靠性和焊接耐热性优异的半导体密封用环氧树脂组合物。
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公开(公告)号:CN1143377A
公开(公告)日:1997-02-19
申请号:CN95191977.6
申请日:1995-12-27
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: C08G59/245 , C08G59/621 , C08K3/36 , C08L63/00 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L2924/0002 , Y10S524/919 , Y10T428/31511 , Y10T428/31529 , C08L61/04 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及由环氧树脂(A)、固化剂(B)和无机填充剂构成的环氧树脂组合物,其中无机填充剂含有二氧化硅(C)作为必要成分,上述固化剂(B)是每分子中至少含有2个以上苯酚性羟基和/或萘酚性羟基的固化剂,上述二氧化硅(C)含有1~99wt%的合成二氧化硅和99~1wt%的天然熔融二氧化硅,以及用其封装半导体元件构成的半导体装置。其结果是,在成型时不存在树脂未充填、树脂剥落、金丝滑移、台面偏移和弯角堵塞等缺点,并且用于半导体装置封装时,可提供耐湿可靠性、高温可靠性和耐焊接性优良的半导体装置。
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公开(公告)号:CN1318571A
公开(公告)日:2001-10-24
申请号:CN01112045.2
申请日:1995-12-27
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: C08G59/245 , C08G59/621 , C08K3/36 , C08L63/00 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L2924/0002 , Y10S524/919 , Y10T428/31511 , Y10T428/31529 , C08L61/04 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置及其制法,其特征在于半导体元件用环氧树脂组合物封装,所述环氧树脂组合物由环氧树脂(A)、固化剂(B)和无机填充剂构成,其中无机填充剂含有作为必要成分的二氧化硅(C),所述固化剂(B)是每分子中至少含有2个以上苯酚性羟基和/或萘酚性羟基的固化剂,而所述二氧化硅(C)含有1~99重量%的合成二氧化硅、99~1重量%的天然熔融二氧化硅。
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公开(公告)号:CN1083851C
公开(公告)日:2002-05-01
申请号:CN95191977.6
申请日:1995-12-27
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: C08G59/245 , C08G59/621 , C08K3/36 , C08L63/00 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L2924/0002 , Y10S524/919 , Y10T428/31511 , Y10T428/31529 , C08L61/04 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及由环氧树脂(A)、固化剂(B)和无机填充剂构成的环氧树脂组合物,其中无机填充剂含有二氧化硅(C)作为必要成分,上述固化剂(B)是每分子中至少含有2个以上苯酚性羟基和/或萘酚性羟基的固化剂,上述二氧化硅(C)含有1~99wt%的合成二氧化硅和99~1wt%的天然熔融二氧化硅,以及用其封装半导体元件构成的半导体装置。其结果是,在成型时不存在树脂未充填、树脂剥落、金丝滑移、台面偏移和弯角堵塞等缺点,并且用于半导体装置封装时,可提供耐湿可靠性、高温可靠性和耐焊接性优良的半导体装置。
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公开(公告)号:CN1149668C
公开(公告)日:2004-05-12
申请号:CN98106409.4
申请日:1998-01-23
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: H01L23/293 , C08G59/621 , C08L63/00 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , Y10T428/12528 , C08L61/04 , C08L2666/22 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于密封由半导体元件、支承该半导体元件的基片及仅将该基片背面一侧覆盖的环氧树脂组合物构成的半导体器件的环氧树脂组合物,它包含(A)环氧树脂,(B)硬化剂,及(C)无机填料,所生成的固化产物的(a)弹性弯曲模量在23℃下为10~30GPa,(b)在23℃至玻璃化转变点温度范围内的线膨胀系数为4×10-6/K~10×10-6/K,(a)与(b)的乘积小于2×10-4GPa/K。
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公开(公告)号:CN1198010A
公开(公告)日:1998-11-04
申请号:CN98106409.4
申请日:1998-01-23
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: H01L23/293 , C08G59/621 , C08L63/00 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , Y10T428/12528 , C08L61/04 , C08L2666/22 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于密封由半导体元件、支承该半导体元件的基片及仅将该基片背面一侧覆盖的环氧树脂组合物构成的半导体器件的环氧树脂组合物,它包含(A)环氧树脂,(B)硬化剂,及(C)无机填料,所生成的固化产物的(a)弹性弯曲模量在23℃下为10~30GPa,(b)在23℃至玻璃化转变点温度范围内的线膨胀系数为4×10-6/K~10×10-6/K,(a)与(b)的乘积小于2×10-4GPa/K。
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