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公开(公告)号：CN1083851C
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN95191977.6
申请日：1995-12-27
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: C08G59/245 , C08G59/621 , C08K3/36 , C08L63/00 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L2924/0002 , Y10S524/919 , Y10T428/31511 , Y10T428/31529 , C08L61/04 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及由环氧树脂(A)、固化剂(B)和无机填充剂构成的环氧树脂组合物，其中无机填充剂含有二氧化硅(C)作为必要成分，上述固化剂(B)是每分子中至少含有2个以上苯酚性羟基和/或萘酚性羟基的固化剂，上述二氧化硅(C)含有1～99wt%的合成二氧化硅和99～1wt%的天然熔融二氧化硅，以及用其封装半导体元件构成的半导体装置。其结果是，在成型时不存在树脂未充填、树脂剥落、金丝滑移、台面偏移和弯角堵塞等缺点，并且用于半导体装置封装时，可提供耐湿可靠性、高温可靠性和耐焊接性优良的半导体装置。
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公开(公告)号：CN1318571A
公开(公告)日：2001-10-24
申请号：CN01112045.2
申请日：1995-12-27
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: C08G59/245 , C08G59/621 , C08K3/36 , C08L63/00 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L2924/0002 , Y10S524/919 , Y10T428/31511 , Y10T428/31529 , C08L61/04 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置及其制法,其特征在于半导体元件用环氧树脂组合物封装,所述环氧树脂组合物由环氧树脂(A)、固化剂(B)和无机填充剂构成,其中无机填充剂含有作为必要成分的二氧化硅(C),所述固化剂(B)是每分子中至少含有2个以上苯酚性羟基和/或萘酚性羟基的固化剂,而所述二氧化硅(C)含有1～99重量%的合成二氧化硅、99～1重量%的天然熔融二氧化硅。
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公开(公告)号：CN1125135C
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN96193491.3
申请日：1996-12-27
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: H01L23/293 , C08K3/01 , C08K5/521 , H01L2924/0002 , C08L63/00 , H01L2924/00
Abstract: 适用于半导体密封的环氧树脂组合物，其中含有环氧树脂(A)、固化剂(B)、无机填充剂(C)、磷酸酯化合物(D)，相对于组合物而言，无机填充剂(C)的含量在80%(重量)以上。借助于上述构成，不必使用卤代类阻燃剂、锑类阻燃剂也能得到阻燃性、成形性、可靠性和焊接耐热性优异的半导体密封用环氧树脂组合物。
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公开(公告)号：CN1182447A
公开(公告)日：1998-05-20
申请号：CN96193491.3
申请日：1996-12-27
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: H01L23/293 , C08K3/01 , C08K5/521 , H01L2924/0002 , C08L63/00 , H01L2924/00
Abstract: 适宜于半导体密封的环氧树脂组合物,其中含有环氧树脂(A)、固化剂(B)、无机填充剂(C)、磷酸酯化合物(D),相对于组合物而言,无机填充剂(C)的含量在80%(重量)以上。借助于上述构成,不必使用卤代类阻燃剂、锑类阻燃剂也能得到阻燃性、成型性、可靠性和焊接耐热性优异的半导体密封用环氧树脂组合物。
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公开(公告)号：CN1143377A
公开(公告)日：1997-02-19
申请号：CN95191977.6
申请日：1995-12-27
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: C08G59/245 , C08G59/621 , C08K3/36 , C08L63/00 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L2924/0002 , Y10S524/919 , Y10T428/31511 , Y10T428/31529 , C08L61/04 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及由环氧树脂(A)、固化剂(B)和无机填充剂构成的环氧树脂组合物，其中无机填充剂含有二氧化硅(C)作为必要成分，上述固化剂(B)是每分子中至少含有2个以上苯酚性羟基和/或萘酚性羟基的固化剂，上述二氧化硅(C)含有1～99wt％的合成二氧化硅和99～1wt％的天然熔融二氧化硅,以及用其封装半导体元件构成的半导体装置。其结果是，在成型时不存在树脂未充填、树脂剥落、金丝滑移、台面偏移和弯角堵塞等缺点，并且用于半导体装置封装时，可提供耐湿可靠性、高温可靠性和耐焊接性优良的半导体装置。
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